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中科院物理所成功研製6英寸碳化矽單晶襯底 - 壹讀

碳化矽 （SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，臨界擊穿場強大，熱導率高，飽和漂移速度高等諸多特點，被廣泛應用於製作高溫、高頻及大 ...

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