你即將離開本站

並前往https://www.compoundsemiconductorchina.net/industry-news.asp?id=4005

科研| 中科院物理所在8英寸碳化硅单晶研究取得新进展

半导体产业网讯：从中科院物理所获悉，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理 ... 碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强(约为Si的10 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「中科院碳化矽」的人也找了：

  1. 精 碳材料
    2.