你即將離開本站

並前往https://www.materialsnet.com.tw/DocView.aspx?id=35389

半絕緣碳化矽晶圓發展現況 - 材料世界網

目前4吋半絕緣SiC晶圓之電阻率已可達到>1E5 Ω·cm之商規要求，並由中科院自有的高頻/高功率元件驗證鏈進行晶圓磊晶及元件驗證...…以上為部分節錄資料，完整 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「中科院碳化矽」的人也找了：

  1. 精 碳材料
    2.