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SiC功率晶體的設計發展及驅動電壓限制 - 電子工程專輯

傳統上在高電壓功率晶體的設計中，採用矽材料的功率晶體要達到低導通電阻，必須採用超接面技術(superjunction)。利用電荷補償方式使磊晶層(Epitaxial ...

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