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材料科學與工程研究所 - 國立交通大學

在碳化階段以丙烷作為碳源所形成的碳化層包含β-SiC 的成份，電漿中. 的碳氫物種可能在碳化加熱矽基材的同時，也在基材表面被氫原子H•蝕刻. 較粗糙的地方成核，形成碳化矽 ...

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