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中國砸10 兆人民幣發展第三代半導體，台灣競爭有壓力也有利基

有別於先前第一、二代半導體的材料分別主要為矽（Si）、砷化鎵（GaAs），在第三代半導體的材料則是以碳化矽（SiC） 與氮化鎵（GaN） 為主，其所製成晶片可 ...

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