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功率半导体再迎新一轮扩产契机IGBT、SiC、GaN成集中发力方向

MOSFET领域，新洁能、华润微在沟槽MOS，屏蔽栅SGT-MOS和超结SJ-MOS等高 ... 在IGBT领域，比亚迪半导体、时代电气、士兰微、斯达半导占据明显优势。

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