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三軸CMOS微磁感測器的製作與特性 - 博碩士論文網

本研究是利用TSMC 0.18 μm CMOS標準製程，並以NPN型BJT為基底，製作磁電晶體(Bipolar Magnetotransistor, BMT)，感測器以霍爾效應為原理運行，並由z軸感測單元與x/y軸 ...

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