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原子層沉積二氧化鋯/三氧化二鋁於砷化銦鎵金氧半電容之電性 ...

在此篇論文初，我們研究了利用原子層沉積系統的前驅物做表面的預處理，像是TMA 以及TEMAZ。然而，與TEMAZ 相比，我們發現TMA 表面處理可以有效地抑制聚積區的頻率分散 ...

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