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#1N型半導體
（1）相對於N型半導體，當在純矽中摻入三價元素的雜質，使得每個矽原子與三價雜質結合產生共價鍵時，便缺少一電子，也就是多一個電洞，如此半導體稱之為P型半導體。
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#2目錄
固態材料依導電性大小可區分為絕緣體，導體與半導體： ... 快，NMOS 元件比PMOS 速度快。 ... P 型半導體：當本質矽半導體加入第三族雜質後使得電洞數增加.
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#3半導體物理簡介
由於電子濃度的大量增加，電洞容易被電子復合，電洞濃度p會大量減小。 這時半導體的導電度主要是由導電電子所貢獻，我們稱此種半導體為n型. 半導體(n ...
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#4半導體- 維基百科，自由的百科全書
依有無加入摻雜劑，半導體可分為：本徵半導體、雜質半導體（n型半導體、p型半導體）。 三種導電性不同的材料比較，金屬的價電帶與導電帶之間沒有距離，因此電子（紅色實心 ...
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#5第1 章(1.7~1.12) 電子學與半導體
摻雜一純半導體如何戲劇性地改變其導電度， ... 生成率–上述過程發生的速度 ... 電洞是多數載子. ▫ 自由電子是少數載子. ▫ n 型半導體. ▫ p n. 會與n.
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#6半導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介於導體
P型 半導體的導電特性：它是靠空穴導電，摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能也就越強。 N型半導體：在純淨的矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代 ...
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#7P型半導體
（1）相對於N型半導體，當在純矽中摻入三價元素的雜質，使得每個矽原子與三價雜質結合產生共價鍵時，便缺少一電子，也就是多一個電洞，如此半導體稱之為P型半導體。由於 ...
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#8[p-n junction] p-n 接面半導體原理、結構及其應用 - iT 邦幫忙
這是由於p 型半導體其內具有大量的電洞、和n 型半導體內具有大量的電子有關。兩者的雜質(dopant) 開始互相往對方區域擴散，其接面處由於能量平衡會產生一個空乏區，此時 ...
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#9(PDF) 淺論電子學- | 子龍張
n >> p n 型半導體在n 型半導體中，電子載子的數量，遠大於電洞載子的數量。 ... 通常載子的漂移速度(vd ) 會與電場(E) 的大小成正比，而遠小於其熱速度(thermal ...
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#10半導體(Semiconductor)(一) | 科學Online - 國立臺灣大學
半導體. 半導體是一種導電性介於導體與絕緣體之間的固體材料，由於電性質 ... 中電子與電洞的數目不同，而分為N型與P型半導體，將N型與P型接合的異質 ...
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#11半導體元件中的電子何去何從 - 台大電機系
形成可傳導的電子（electron），遺留之空位可供鄰近價電子佔住而導電，稱該空位等效為 ... 此電洞濃度p0 < ni 稱為半導體之少數載子，此時n0 > p0，即形成N型半導體。
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#12半導體元件與積體電路之學習內容
導電 性皆可因外加摻雜而大輻改變，故稱為半導體。常見的半導體有Si, ... P型半導體內的多數載子為電洞，而N型半導體內的多數載子為電子。當P型半導. 體及N型半導體 ...
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#13(PDF) 基本半導體物理| 若涵洪
多晶:元件中的導電層常用多晶Si以及其矽化物. ... 此五價元素稱為donor。 n型與p型半導體¾ 半導體可摻雜donors稱為n-type，因其可動電荷(稱為載流子或載子)為帶負電之 ...
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#15摻雜半導體
摻雜(Doping)是增加半導體導電性的一種方法。 ... 被五價原子摻雜的矽晶體稱為n型半導體，在n型半導體中，自由電子數遠大於電洞數，故自由電子稱為多數載子(majority ...
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#16概論
µ = ，是表示單位電場強度下，所產生之載子漂移速度。 ... 在單位濃度梯度下所產生的載子擴散速度。【98. ... P 與N 型半導體在未接合之前，整塊P 型或N 型半導體：.
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#17磷化銦奈米線場效電晶體之光電特性
如同其他半導體材料，磷化銦奈米線也可以藉由摻雜(doping)而改變為n. 型或是p型半導體，利用閘極偏壓對其電性行為的影響，即可分辨奈米線的型態，. 此外應用這些被摻雜的奈 ...
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#18第一章晶體性質與半導體成長
元素型半導體：第四族元素所構成的半導體，. 矽與鍺。 ... V 半導體最典型的結晶型態 ... 電子速度. 電子質量. 其中 r m. Kr q r m. Kr q. = ⇒. -. = - n v nv p.
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#19半導體第三章
利用霍爾電壓求遷移率又由可得 同理， n 型半導體之電子遷移率（低電場 ... 直接能帶隙與間接能帶隙導電帶能量最低點和價電帶能量最高點之p 不同導電 ...
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#20【科普】什么是N型半导体和P型半导体?它们各有什么特点?
什么是N型半导体与P型半导体? N型半导体也被称为电子型半导体,它(们)是自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体. N型半导体靠电子导电,在半导体材料中 ...
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#21模拟电路——PN结
半导体的导电能力随温度、光照和掺杂等因素发生显著变化，这些特点使它们称为制作 ... 这就是P型半导体器件的运行速度往往不如N型半导体器件的原因。
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#22電子學CH1_半導體特性 - YouTube
在室溫時, N型 或 P型半導體 的 導電 性與溫度的關係? a隨溫度升高, 導電 性變好b隨溫度 ... 終端飽和 速度 c載子的熱 速度 d在單位濃度梯度下所產生的載子擴散 速度 7.
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#23年_______班學號
（ ）32. 整塊N 型半導體是呈現(A)負電性(B)是雜質原子序數而定(C)正電. 性(D)電中性。 （ ）33. 當P 型與N 型材料相接觸時，即會產生一空乏區，而P 型半導體之空.
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#25勁園•台科大圖書
(1) 外質半導體的導電性較本質半導體好 (2) N型半導體的多數載子為電洞 (3) P型半導體加入的雜質為受體 (4) N型半導體加入的雜質為五價元素.
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#26p型和n型半导体的区别
半导体 指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管 ...
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#27CN104241413A - 热载流子光电转换装置及其方法
接着，通过该无机可导电的吸光层吸收光子而产生电子及空穴。最后，通过该电场或是扩散作用将该电子及该空穴分别移向该N型半导体层与该P型半导体层，使该电子及该空穴 ...
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#292-5二極體的偏壓
有一點值得注意的是，因為電洞是共價鍵內電子移動形成的，自由電子移動的速度會比電洞快。以致雜質半導體的N型材料之導電性強會比P型材料好。 對於P型或N型材料而言，多數 ...
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#30半導體特性
雜質的濃度越高載子會越多，則其阻值會下降、導電性會提高。 三價元素（受體Acceptor）：硼、鋁、 ... 不論是P型或N型半導體溫度上升時自由電子及電洞的數量皆會增加。
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#31p型半导体主要靠什么导电
半导体材料被广泛应用于不同类型的电子元件中，包括二极管、场效应晶体管、三极管和太阳能电池板等等。i型半导体、n型半导体和p型半导体是最基础的半导体 ...
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#32半導體材料
常用的重要半導體的導電機理是通過電子和空穴這兩種載流子來實現的，因此相應的有N型和P型之分。半導體材料通常具有一定的禁帶寬度，其電特性易受外界條件(如光照、 ...
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#33Af16 by 志光教育文化出版社
p 型半導體 ：NA ND p［ND p NA］ n i2 p2 (ND ... 靠電子流動而導電，在外加電場E 下，電子漂移速度（drift velocity）υ與E 成正比。
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#34認識發光二極體
發光二極體主要由晶粒發光，在此以氮. 化鎵LED 為例，簡介其中晶粒的製作方. 法。 發光二極體是半導體材料，需要先進行. 磊晶成長，也就是在基板上成長P 型及N.
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#35改變在一「矽」之間——半導體的誕生│《電腦簡史》數位時代 ...
二次大戰後，電腦全面使用真空管後，速度大幅提升，隨著需要大量計算的企業越來越 ... 硫有6 個價電子，所以硫化鉛是n 型半導體，一般情況下，電子只能從硫化鉛往正極 ...
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#36呂孟霖852155 涂景煥852083 陳漢銘852055
後，電子負極(-)出發，首先經過P 型半導體，於此吸熱量，到了N 型. 半導體，又將熱量放出，每經過 ... (2) P-N 接合因被加上「過大」的逆向電壓而大量導電時，若不設法.
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#37半導體元件的特性| mengwen
P型半導體 ：. 摻雜三價元素（硼B、鋁Al、鎵Ga、…） P 表示positive；電洞可視為正電荷。 由於加入三價元素後會造成一個空缺，故三價元素又被稱為“受體原子”。 N型 ...
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#38載流子遷移率_百度百科
電子遷移率（英語：electron mobility）是固體物理學中用於描述金屬或半導體內部電子，在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中，另一個類似的物理量稱為空穴 ...
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#39半導體物理與元件 - 光電工程系
透明導電層(transparent conductive layer). 為了改善注入電流的分散，. 使擴增發光面積。 EC. EV. 位障層. 量子井層 p型半導體層 n型 ...
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#40題庫
(A)在本質半導體中加入微量的五價元素，則形成P型半導體(B)N型半導體的多數載子為 ... (A)半導體內部的多數載子為電洞(B)半導體內部的導電率會下降(C)純質矽晶體會成為 ...
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#41Silicon wafer - 銳隆光電 矽晶圓介紹
矽晶圓本身不導電，但只要適當的加入一些離子，就可以使它產生正、負電極，以此來控制電子的流動。半導體有二種類別分別為N型半導體及P型半導體，在N型半導體的狀態下 ...
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#42PN结
在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体；P区和N区的电子经过一系列的 ... PN结加正向电压时的导电情况,如打不开点这儿（压缩后的）.
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#43P型氫端鑽石及其應用於金氧半場效應電晶體之研究
鑽石可透過氣體的處理或是沉積過程中的摻雜得到P型半導體或N型半導體的結果， ... 以二維電洞氣體層為導電通道實現出電晶體之特性，其量測結果顯現出此電晶體有著高 ...
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#44半导体物理基础/黄昆, 韩汝琦
时, 主要靠施主提供的电子导电, 这种依靠电子导电的半导体叫做n 型半导体. 另 ... 的n 沟道器件比p 沟道器件能以更高的速度工作, 就是因为前者主要利用电子运.
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#45科學探究MIT 第7 期物理科學習單【你吃麵它喊燙
試簡述P 型與N 型半導體分別參雜何種元素到矽晶圓上？且分別利用什麼來導電？一般而言. 是P 型還是N 型導電速度較快？ 參考答案：P 型參雜三價元素，以電洞導電.
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#46第二讲半导体的基本概念
半导体导电 的温度特性 ... N v. )1/2 exp(-E g. /2kT). 对于没有掺杂的半导体，导带中的电子浓度与禁带 ... 把主要依靠空穴导电的半导体称为空穴型或p型半导体。
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#47载流子迁移率
硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子 ... 一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.
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#48P型半导体、N型半导体、PN结_n型半导体掺杂什么元素
N型半导体 是添加+5价的P元素，参一个P原子就多一个自由电子，多子是自由 ... 单项导电性如果我给PN结加正向电压，由上图可知，外电场会削弱内电场， ...
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#49探討陰陽離子的''霍爾效應''
霍爾電壓的量測，可判斷材料為N 型或P 型的半導體，並計算其載子濃度與其. 遷移率。我們利用陰、陽離子比擬半導體中的電子與電洞,於電解質溶液中導入.
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#50【物理好好玩S1EP08】台灣這美麗的矽島——聊一聊半導體物理
導電 是電子的流動，而物質來自電子與原子核所形成的原子。 ... 這個介面非常特別，它的左邊是p型半導體，裡面有許多電洞，而右邊是n型半導體，裡面有 ...
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#51Semiconductor Note. PN… | by Vince | vswe
半導體的導電性介於良導電體與絕緣體之間，半導體材料通常是矽、鍺或砷化鎵。 · 經過各式特定的摻雜(Doping)，產生P型或N型半導體，作成整流器、振盪器、發光器、放大器、 ...
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#52现代半导体的基本知识
本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。自由电子和空穴在半导体中都是导电粒子，称它们为载流子。 2. N型半导体和P型半导体. (1) N型半导体.
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#53化合物半導體碳化矽粉體品質分析
發展化合物半導體材料及元件時，由於原料粉體的品質和相關特性會直接影響最終 ... 根據電阻率不同，SiC基板可分為導電型(N-Type/P-Type)和高純半絕緣 ...
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#54变温霍尔效应
子的杂质称为施主杂质，这种由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做N 型半导体。如. 图2（b）所示。 ... 假设为P 型）时，空穴有一定的漂移速度v，.
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#55氮化镓(GaN) - 化合物半导体
电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好 ... Conduction Type 导电类型, Un-doped, N-type, High-doped N-type ... 非掺杂是n型半导体;Mg掺杂是p型半导体
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#56半导体物理小抄.docx
电子的迁移率为负值。在这个区域中电子的平均漂移速度随电场的增加而减小。 14. 霍尔效应：. N型半导体和P型半导体的霍尔电场方向相反，其中霍尔效应的应用：判断导电 ...
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#57半导体中的电子状态习题1-1、 什么叫本征激发？温度越高
p 型 半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带下方. 2-4、解：在纯净的半导体中掺入杂质后，可以控制半导体的导电特性。掺杂半导体又分. 为n 型半导体和p 型半导体 ...
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#58助攻MIT次世代半導體材料中山大學6吋晶體技轉5千萬
雙方於未來5年在6吋、8吋大尺寸的導電型（n-type）與半絕緣型（Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC）4H、6H碳化矽單晶，都將攜手合作。
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#59矽
這種令人驚歎的發展速度---每三年來就有一種新的半導體 ... 我們所用的矽材料為p型高純,高阻單晶(電阻率~2 10 4 ... 度比在導電性晶片上的電子元件快出許多.
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#60摩爾定律說的「電晶體」是什麼東西？跟晶片效能有關嗎？
半導體 產業是臺灣最重要的產業之一，在美中貿易戰的局勢下，於半導體製造 ... 極性的不同，又分成N 型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P 型金氧半場效電 ...
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#616吋晶體生長關鍵突破！ 中山大學助攻MIT產業升級
中山大學材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇指出，晶體研究中心已成功長出六吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度 ...
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#62第五章：电磁场中的输运现象
因此：平均漂移速度大小与电场成正比。 ... 欧姆定律. • n型半导体 σ= neμ n. • p型半导体 σ= peμ p. • 本征半导体σ= n ... 对半导体，两种载流子导电： σ = neμ n.
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#63奈米材料簡介1. 奈米結構的分類與判斷依據奈米科技之父的諾 ...
另外，在半導體中參雜其他元素. 可增加半導體的導電性或改變特性，以矽為例，可加入三價的硼(B)或. 五價的磷(P)等元素，使其變成p 型或n 型半導體，此類摻雜的半導體.
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#64明新科技大學校內專題研究計畫成果報告
對於p 通道元件而言，電洞載子遷移率的增加是由於有效載子質量 ... 圖2.1 p 型與n 型半導體材料與能帶圖[11] . ... 內所獲得的動量，可得到漂移速度n.
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#65第三代寬能隙半導體到底在紅什麼？
2021 年嶄露頭角的第三代寬能隙半導體，連晶圓代工大廠都搶先布局，這到底 ... 圖三、使用SEM 剖面觀察SiC 元件的結構，搭配SCM 分析N/P 型與擴散區的 ...
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#66半导体的类型-N型、P型是怎样定义和区别的？
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电 ...
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#67p型半导体和n型半导体霍尔效应差异
您在查找p型半导体和n型半导体霍尔效应差异吗？今日头条提供详尽的搜索结果聚合，每天实时更新。我们致力于连接人与信息，让优质丰富的信息得到高效精准的分发， ...
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#693.1 單晶矽非等向性濕式蝕刻
電化學控制蝕刻停止乃用以製作n-type silicon 薄膜或懸臂樑【79-81】。此 ... 蝕刻結束，由於電化學蝕刻率與電流密度有關，在這種狀況下，p 型半導體的.
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#70答案卡上之個人資料請填寫清楚並正確劃記,如造成無法順利 ...
中子與氣體離子碰撞前,假設中子速度為v,氣體離子速度視為零,碰撞之後氫或氮離子 ... 度升高,半導體導電能力增加(E)在n型半導體內沒有電洞,而是完全靠自由電子作為載子 ...
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#71透明導電薄膜特性及光電元件應用
由於光電產品日新月異，透明導電薄膜的應用倍增，對於其電阻率及穿透率的要求各有不同， ... 透明導電薄膜的摻雜與矽(Si)摻雜磷(P)為n型半導體及摻雜硼(B)為p型半導體 ...
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#72光電業原物料耗用通常水準
最簡單的LED 結構具有導電. 載子為帶正電荷電洞(hole)的P 型半導體層、導電載子為帶. 負電荷電子(electron)的N 型半導體層及主動層（ active.
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#73半導體的誕生（七）——發現p-n接面
他打開檯燈仔細檢查，發現這塊矽石中間有條裂痕，猜想這就是導電性不一致 ... 才發掘出半導體材料的關鍵秘密；而n型、p型、p-n接面這些名詞後來便成為 ...
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#74電阻
電流飄移速度I ＝nAvQ ... 於它的導電率，可以隨著摻雜、溫度、照光程度產生變化。 ... 定義：pn接面是指p型及n型半導體相接，在接面處會產生內建電場，外加偏.
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#75有機太陽電池的研發動向
矽系太陽電池已有使用背面電極收集電荷之背面導電型(back conduct)結 ... 吸收層，由p 型與n 型半導體所組成；若依分子量的多寡，可區分為高分子型與. 低分子型。
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#76二維材料在次奈米電晶體的應用
英特爾(Intel)在十多年前，動用了非常多的資源，準備將N型通道的材料改為InGaAs，而將P型通道改為鍺(Ge)材料，以改善電子及電洞的導電率。這在學理上雖然 ...
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#77自動化如何幫助美國製造商擴大半導體製造規模
常見的N 型摻雜劑是磷和砷，而常見的P 型摻雜劑是硼和鎵。 Jabil Jabil Precision Automation Solutions 機器中的六軸機器人圖片 圖3：Jabil Precision ...
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#78三极管的原理书上都讲不清楚，为什么能被造出来
1、灯丝加热阴极；阴极受热后会发射出一些电子；这些电子的速度有快有慢（ ... 后来，人们发现了“半导体”，推测出了P型N型半导体的导电机制——简单说， ...
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#79博文分享| 功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？
图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构，都是沟槽型Trench结构。从结构上来看，衬底都是漏极D，但半导体的类型不同：N沟道的漏极是N型半导体，P沟道的漏 ...
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#802.3.1 半导体二极管的结构
其导电性能介于绝缘体和导体之间且受外界因素 影响较大,如光,温度和掺杂等。 半导体材料 ... 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
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#81世界第一简单的半导体原理老叶科普堂（五）
由于半导体的导电性不够好，所以必须使用「单晶」来制作集成电路(IC)以增加导电性，但是科学家 ... 为什么在N型半导体内原子的四周却有9个电子呢？
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#82二極管Diode: 最新的百科全書、新聞、評論和研究
正向半導體二極管還必須超過其閾值電壓才能導電。 ... 當n 型和p 型材料結合時，電子會瞬間從n 側流向p 側，從而在它們之間形成一個沒有電荷載流子的第三區域。
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#83報告題名： 高電子遷移率電晶體高頻參數萃取與微波模型建立
霍爾效應(Hall effect)乃是電場與磁場力量作用於移動電. 荷時所得的結果。霍爾效應可用以鑑別下列元件特性：. (1) 半導體是n 型抑或是p 型. (2) 量測 ...
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#84这些微电子知识，你知道多少？
对于n型半导体，其中的多数载流子——电子主要是掺杂所提供的，极少量是由热激发产生 ... 表征漂移快慢的物理量是迁移率（等于单位电场下的漂移速度）。
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#85半导体物理学- 抖音百科
霍耳效应的符号直接反映载流子电荷的符号，所以霍耳效应的测量还可以区别N型和P型导电性。 与金属中高度简并的电子不同，一般半导体中载流子的热运动显著依赖于温度，因此 ...
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#86晶圓代工爭霸戰：半導體知識（前傳） - 寫點科普，請給指教。
半導體 是導電性介於導體（金屬）與絕緣體（陶瓷、石頭）之間的物質，包括 ... 由於P型和N型分別多了電子和少了電子，所以電晶體在N 型和P 型接起來的 ...
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#87第一部份：基本電學
伏特時，則電子的移動速度會變為何？ (A) 不變 ... (C) 和P 型半導體組成PN 二極體，則N 側帶正電 ... (A) 摻雜可提高導電能力的原因是有些電子不在共價鍵上. (B) N 型 ...
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#88在两种不同的半导体材料之间形成的结
导电 类型相同→同型异质结 ... 在不同的偏置状态金属-n型和p型半导体接触的能带图。 ... 电流由能量足以克服势垒的电子浓度和它在x方向的运动速度给出 ...
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#89太陽能電池
對於非晶矽的太陽能電池來說，由於價格最便宜，生產速度也最快，所以非晶矽 ... 在P-N 接面附近，因電子－電洞的結合形成一個載子空乏區，而P 型及N 型半導體中也因而 ...
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#90半導體製程概論(第4版) | 誠品線上
半導體 製程概論(第4版)：全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性 ... 雜質，負型和正型(Dopant, n-type and p-type)習題第2章半導體能帶與載子傳輸2-1 ...
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#91基本电子半导体
当向加入有三价杂质的P型半导体施加电场时，空穴向负电极行进，但速度比电子缓慢。这被称为P型导电性。 在这种P型导电性中，与N型不同，价电子从一个共价键移动到另 ...
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#923D 電晶體你真的懂嗎？完全看懂多閘極電晶體的奧祕
為了解決短通道效應，有人會預先在通道形成的部位加入雜質，使得原本的NP接面導通電壓下降。其原理就是讓P型半導體不要這麼偏向P型，有點接近N型，但是 ...
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#93現代科技生活的墊腳石——半導體｜科技大補帖
依據材料的導電性，半導體顧名思義，其導電能力介於導體（金屬）與非導體（ ... 只需小能量就可以釋放此電子成為自由電子，形成負型（n 型）半導體。
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#94專家知識社群
➤N型金屬半導體場效電晶體(NMES：N-type MES)：NMES的構造如＜圖一＞所示，在P型砷化鎵基板的左右各製作一個N型的區域(類似水溝的構造)，並且在上方 ...
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#95111_1_電子構裝導論_期中考考古題
能讓半導體導電的載子有哪些？ ... N型半導體: Si外加V族元素, 即最外層電子數為5的元素(如P), 鍵結後多一個電子, ... 其是利用電洞來導電，所以速度會變得較慢。
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#96晶体管、集成电路比较1947年贝尔实验室
有科学家预测，集成度还将按10倍/6年的速度增长，到2015或2020年达到饱和。 ... 4. 杂质半导体的导电作用. I. IP. IN. I = IP + IN. N 型半导体 I IN. P 型半导体 I ...
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#97固态器件理论（4）电子和“空穴”
较高的掺杂水平会产生较强的导电性。因此，导电性差的本征半导体已转变为良好的电导体。 （a）供体N型磷，硅（供参考）和受体P型硼的外壳电子构型。 （b）N型施主杂质 ...
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#98半導體相關術語解釋
N型半導體 ：又稱為電子型半導體，其自由電子濃度遠大於空穴濃度。 PN結(PN iunction)：採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體 ...
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#99PPT - 基礎半導體物理載子傳輸現象PowerPoint Presentation
雜質散射：雜質濃度越高， I越小溫度越高，電子速度越快，越不受離子 ... 半導體的電阻率 考慮非本質半導體： N型：n >> p P型：p >> n 與摻雜濃度 ...