為什麼這篇migration半導體鄉民發文收入到精華區：因為在migration半導體這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者shushuky (有五分埔達人給我建議嗎?)看板Physics標題[問題] 關於電子遷移(el...
想請問一下
在半導體製程中
金屬Al導線的電子遷移現象(electro migration)與溫度的關係
就是說溫度越高時這種現象會越強或越弱呢??
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◆ From: 118.169.76.27
※ 編輯: shushuky 來自: 118.169.76.27 (05/11 23:16)
推 sputtering:當線寬作越小,原子可沒變小also電子也沒有 05/12 16:50
→ sputtering:電子的動能變得不能忽略,所以會漸漸搬動al-atoms 05/12 16:52
→ sputtering:晶格中越熱的原子會往低溫的地方擴散...... 05/12 16:54
推 sputtering:上列說明是根據個人的推測,劣者查過書,正確說法如下: 05/14 18:10
→ sputtering:1.T越高是不是EM越明顯,答案是:Yes 05/14 18:11
→ sputtering:2.EM成因:金屬晶格受到電子撞擊動能變大(溫度變高)因而 05/14 18:13
→ sputtering:局部晶格原子的動能變的非常大(接近成為液態狀態),因這 05/14 18:15
→ sputtering:種材料都是薄膜材料,空穴會在晶界或薄膜表面形成,所以 05/14 18:20
→ sputtering:高溫原子會向空穴擴散,故巨觀上成為EM. 05/14 18:21