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[爆卦]dislocation半導體是什麼？優點缺點精華區懶人包
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#1差排- 維基百科，自由的百科全書
差排（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體缺陷）。從幾何角度看，差排屬於一種線缺陷，可視為晶體中已 ...
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#2高壓半導體元件淺溝槽隔離製程之差排改善及良率提昇研究
應力會造成如差排(Dislocation)這類的缺陷，會影響元件之基本電子特性降低可靠度。一般產生較大應力的來源可能有幾種：一種為平坦化製程產生之應力，即化學機械研磨淺溝槽 ...
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#3第四章固體中之不完美性
差排是一種線性或一. 維的缺陷，圍繞其周. 圍的一些原子會排列. 錯誤。其中一差排形. 式顯示於4.3 圖。稱. 之為刃差排(edge dislocation)；它是. 一種線缺陷，其中心.
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#4一、半导体缺陷1.位错- dislocation
一、半导体缺陷. 1.位错：位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微. 观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。
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#5TWI398909B - Google Patents
具有異質磊晶層（heteroepitaxial layer）之半導體晶圓及製造 ... 所謂的錯配差排(misfit dislocation，MFD)，異質磊晶層的晶體開始鬆弛(relax)。
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#6矽佈植砷化鎵的缺陷研究 - 國內學術電子期刊系統
中文摘要： 矽佈植砷化鎵化合物半導體經由傳統高溫熱處理或雙重熱處理程序退火後，其微結構缺陷及電性的變化顯著不同，試樣經過雙重熱處理程序退火後，差排的尺度會變大五 ...
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#7臺灣博碩士論文知識加值系統
... 離子佈植後退火（post-implantation anncaling ）將形成差排環（dislocation loops ） ... 半導體矽晶中缺陷的觀察與分析DirectObservationofCrystalDefectsinSilicon.
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#8無位錯結晶Dislocation free crystal。近乎完美之結晶。 - 解釋頁
指週期性較少亂掉，且近乎完美之結晶。在光學上所謂無位錯結晶，除了以蝕刻法或Lang法窺視外，無法偵檢出位錯者，而當作完美結晶來考量，但實際上可能尚殘留有未能觀察 ...
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#9第一章晶體性質與半導體成長
半導體 材料在元素週期表中佔據在第四族及其附近 ... 單晶(Single crystal)：半導體的原子呈週期性 ... 將會使晶體產生缺陷而失配差排(misfit dislocation)。
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#10半導體
半導體. 回火(Anneal:) 回火是冶金材料製程裡，非常常見的一種製程技術。 ... 排差(Dislocation) ... 半導體製程的回火，最主要有兩種方法：.
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#11功率模組用晶體材料技術 - 材料世界網
功率模組在能源需求日增以及淨零減碳的浪潮下，化合物半導體也開始逐漸滲透 ... (Threading Screw Dislocation)等差排缺陷問題也獲得很大程度的改善。
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#12立碁電子| 半導體材料的製造 - Ligitek
常見的品質問題包括晶格的位錯（dislocation）、孿晶面（twins）或是堆垛層錯（英語：Stacking-fault energy）（stacking fault）[3] 都會影響半導體材料的特性。
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#13第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 - 電子工程專輯
根據新世代半導體特性分析(圖1)，SiC屬於高能隙(bandgap)材料，具有優異的 ... 的產生，而且還必須確保其晶圓維持低缺陷密度(dislocation density)， ...
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#14TEM/EDS - 材料分析- 服務項目- 汎銓科技~MSScorps-半導體等 ...
... e TEM/EDS analysis for study of Sn whisker growth, the composition distribution of Sn whisker. TEM inspection of LED MQWs and dislocation distribution.
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#15Chapter 4 Wafer Fabrication
在晶體中，最常見的線缺陷是插排(dislocation)。 Page 8. 8. Plane Defects (面缺陷). ◇結晶 ...
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#16WIREBOND檢察機/型號:Wire Bond AOI|鈞龍專業機械 ... - 攪拌機
... 檢查Wire width/wire misalignment(Sweep、Ball size/Ball Dislocation、Die Dislocation、4K color line scan、Resolution:3um 適用範圍:半導體廠、導線架廠.
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#17半导体材料术语
滑移面slip plane(3.226). 晶体中位错发生滑移运动的一结晶学平面。 位错腐蚀坑dislocation etch pit(3.66). 在晶体表面的位错应力区域，由择优腐蚀而产生的一 ...
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#18水平爐管個別原理
因LPCVD TEOS Oxide 的Step Coverage 能力甚佳，已廣泛為半導體業 ... Dislocation 及各種Point Defects 等。 半導體材料是一種電子元件的應用，因此只要材料或薄膜所 ...
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#19凝態科學研究中心朱明文與林昭吟團隊發現新穎氧化物界面一維 ...
二十世紀最成功也最廣為人知的科技成就中，半導體界面物理學當屬其一。 ... 應力的需要會自然產生週期性之一維錯合差排（one-dimensional misfit dislocation）缺陷， ...
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#20成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心
在半導體工業中，添加他種元素的摻雜製程，可使用來改變材料之電性；摻雜質傳製程中會有濃度不均勻的 ... during nonlinear dislocation-free diffusion processes.
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#21指紋 - 國立陽明交通大學
Study of the Growth and Dislocation Blocking Mechanisms in InxGa1-xAs Buffer Layer for Growing High-Quality ... 國際半導體產業學院 · 材料科學與工程學系.
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#22太陽能應用 - 台灣勝米磊有限公司Semilab Taiwan Co., Ltd.
SEMILAB為第三代半導體、太陽能、平板顯示、LED等行業及科研機構提供最先進的測試設備。 ... Defects & dislocation, PL Imaging. In-line 晶片檢測
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#234H 碳化硅衬底及外延层缺陷术语
由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、 ... GB/T 14264半导体材料术语 ... 外延层基晶面位错basal plane dislocation.
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#24第三代寬能隙半導體到底在紅什麼？ | TechNews 科技新報
例如，要製作SiC 的單晶晶棒，相較Si 晶棒的生產困難且時間緩慢很多，以及GaN 與Si 晶圓的晶格不匹配易生成差排缺陷（dislocation defect）等問題必須克服 ...
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#25Introduction to Threading Dislocations (螺紋位錯) | 學術寫作 ...
參考「Threading Dislocations」學術論文例句，一次搞懂! ... 與獨立式GaN 襯底上的GaN 同質外延不同，在Si 襯底上生長的III 族氮化物半導體通常富含應變和螺紋位錯， ...
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#26矽晶圓製造業資源化應用技術手冊
矽晶圓製造業於整個半導體產業架構中係擔任晶圓材料供應. 者角色。隨著半導體產業與 ... 融後，以CZ 法生長矽單晶棒的作法，有可能造成晶體中出現差排（Dislocation）.
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#274英寸氮化镓Template - 中镓半导体
≤0.05. ≤0.01. GaN厚度不均匀性. GaN Thickness Uniformity. ≤±10% (4"). 错位密度. Dislocation Density (cm -2 ). ≤5×10 8. 有效面积 Useable Surface Area.
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#28道康宁的新技术：控制SiC基板缺陷，压缩元件成本 - 集微网
不过，目前SiC功率半导体元件（以下简称SiC功率元件）在应用时还有限制。 ... 此外，“基底面位错（BPD：Basal Plane Dislocation）”也会导致SiC功率元件的成品率下降。
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#29林瑞明教授 - 長庚大學電子工程學系
... ext.5790 專長: 氮化合物磊晶成長技術/ 光電半導體元件/ 化合物半導體材料分析 ... N-based heterostructures, in-situ fabrication of low-dislocation density, ...
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#30碳化硅单晶位错研究进展| 人工晶体学报 - 中国光学期刊网
SiC作为代表性的第三代半导体材料, 具有优异的物理化学性能. ... 位错 位错形成原因 位错检测技术 位错密度降低方法 位错密度优化水平 SiC SiC dislocation cause of ...
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#31六、氮化鋁(AlN) 、氮化鎵(GaN) 奈米單晶粉體
三、水晶、石英－High End Uniformity and Low-Dislocation Quartz. 有兩種主要的工業用途，一是電子用，另一種光學用。是供應國內外光電、無線通訊、半導體、光通訊 ...
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#32Growth and Characterization of High Quality GaSb/GaAs ...
... 高品質銻化鎵/砷化鎵異質結構與特性分析及互補式金屬氧化物半導體元件之應用 ... misfit dislocations play a crucial role in the growth of the high quality ...
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#33國立中央大學- 教師履歷平台
... M0315 - 半導體物理 · M031500A2 - 半導體物理－實驗 · S - 科學教育 ... Electronic Structure and Infrared Light Emission in Dislocation-Engineered Silicon
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#34搜索
The atomic structures, pair correlation function and dislocation ... 碳化硅(SiC) 是一种很有前途的半导体材料，可用于制造具有更高耐压和更低损耗的高性能电力 ...
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#35太陽能電池隱裂檢測機
... 近年來將觸角延伸到半導體封裝產業，開發出晶圓隱崩檢查機，卷帶式IC隱崩檢查機 ... 進行檢測，而且在多晶上容易受到晶格(grain boundary)、材料缺陷（dislocation ...
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#36Dislocation density analysis in semiconductors - Gatan, Inc. |
Panchromatic cathodoluminescence image of bulk GaN sample. Dark spots (some indicated by blue arrows) correspond to threading dislocations.
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#37強化我國化合物半導體產業鏈之建議 - 中技社
化合物半導體例如氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)目前被認為極適合運用在. 5G/6G 通訊、電動車及快速充電等新興應用，化合物半導體有 ... Basal plane dislocation. 基面差排.
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#38dislocation醫學中文2022-在Mobile01/PTT/Yahoo上的房地產 ...
dislocation醫學中文2022-在Mobile01/PTT/Yahoo上的房地產討論內容懶人包，找dislocation中文 ... #fracture醫學中文 #closed reduction醫學中文 #dislocation半導體 ...
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#39材概期中Flashcards - Quizlet
半導體. semiconductor. 螺旋差排. screw dislocation. 置換型原子. substitutional atom. 高分子. macromolecule. 電負度. Electronegativity.
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#40半導體物理學：英文（第2版） - 博客來
書名：半導體物理學：英文（第2版），語言：簡體中文，ISBN：9787510077814，頁數：864，出版社：世界圖書出版公司北京公司，作者：（德）格倫德曼， ...
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#41杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
半导体 产品一览. ... We use the CZochralski method (Czochralski) to grow P-type and N-type dislocation-free silicon ingots with crystal orientations of <100> ...
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#42半导体芯片_百度百科
常见的品质问题包括晶格的位错（dislocation）、孪晶面（twins）或是堆垛层错（stacking fault）都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体器件而言，材料晶格的缺陷（晶体 ...
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#43抑制氮化物二极管的漏电流--研发报告频道 - 化合物半导体
人们普遍认为，泄漏的主要原因是结构上的缺陷，尤其是位错（dislocation），这可能会导致在AlGaN层应变。然而，日立研究人员的初步研究表明，载流子密度也会影响漏电流 ...
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#44Basal plane dislocation-threading edge dislocation complex ...
碳化硅(SiC)是目前发展较为成熟的宽禁带半导体材料之一, 具有宽带隙、高击穿电场、高饱和电子漂移速度和高导热性等优异性能, 是制作高温、高频、大功率和低损耗器件的优良 ...
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#45中国科学院半导体研究所
Atomic Mechanism of Strain Alleviation and Dislocation Reduction in Highl... Switchable and compact dual-wavelength random fiber laser based on ...
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#46107年公務人員高等考試三級考試試題全一張（正面）
一、請說明下列有關金屬材料與差排（dislocation）的性質與現象各項描述是否正確， ... 以矽為例，說明n-型半導體的形成原理與製作方式。（6 分）.
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#47VGF法生长半导体晶体的研究进展 - 《激光与红外》杂志
As VGF method has the advantages of accurate control and high repeatability,in addition,a single crystal with large diameter,low dislocation ...
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#48研究人員利用半導體材料中的固有缺陷來產生長波光
在這一過程中，材料中自然存在的位錯（dislocations）導致V形坑合併，從而直接形成富銦量子點，即發射較長波長光的材料島狀物。在常規矽基底上生長這些 ...
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#49濕式蝕刻製程提高LED光萃取效率之產能與良率 - TrendForce
所以如何從半導體之主動區萃取光源，以進而增加光萃取效率(Light ... 表面非常堅硬，乾式蝕刻會損傷藍寶石表面，使得線差排(Thread Dislocation)由 ...
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#50Dislocation Sidewall Gettering in II-VI Semiconductors and the ...
It has been shown that threading dislocations may be removed from patterned mismatched heteroepitaxial layers through a process of ...
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#51LEDs發光二極體
加拿大商科光量子半導體公司Crosslight Software Inc. © 2013 Crosslight Software Inc. All Rights Reserved. TOP. 產品介紹 ».
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#52科技研发 - 广东省科学院半导体研究所
先进材料平台是广东省科学院半导体研究所四大研发平台之一，目前主要 ... with low dislocation density”, Journal of Alloys and Compounds 901, 163609 (2022).
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#53射頻前端模組,HBT,三五族,缺陷偵測,奈米脊型工程,愛美科,imec
在晶格不匹配的矽基板上進行磊晶成長會產生缺陷—多半是穿隧差排（threading dislocation）。這些缺陷會導致不被樂見的漏電流，折損元件性能。
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#54Thickness dependent dislocation, electrical and optical ...
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown ... (1)半导体材料科学重点实验室，中国科学院半导体研究所，北京 100083; ...
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#55半导体单晶生长过程中的位错研究- 中国学术期刊网络出版总库
Study on Dislocation in Growing Process of Semiconductor Single Crystals ... 【摘要】 阐述了现有的半导体单晶位错模型,即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论 ...
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#56寬能隙半導體應用起飛GaN/SiC驗證分析全面啟動 - 新電子雜誌
在半導體材料領域中，第一代半導體是矽(Si)，第二代是砷化鎵(GaAs)，而 ... 以及GaN與Si晶圓的晶格不匹配易生成差排缺陷(Dislocation Defect)等問題 ...
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#57美国ACCDON公司旗下品牌 - SCI论文修改
中英对照. 位错密度. dislocation density. 学科分类. 物理学 半导体物理与半导体材料 · 返回搜索结果. 例句. 暂无. 我来贡献例句：. Email: （选填）. 验证码: 提交.
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#58张皇澍：A quantitative analysis of stress-dislocation evolution ...
... stress- dislocation evolution and application in GaN-on-Si作者：李孟达，张皇澍，杨志坚，吴洁君，于彤军单位：北京大学物理学院宽禁带 半导体 ...
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#59Introduction to Dislocations, 5/e (Paperback) | 天瓏網路書店
書名：Introduction to Dislocations, 5/e (Paperback)，ISBN：0080966721，作者：Derek Hull Emeritus ... 半導體元件概論(Fundamentals of Semiconductor Devices) ...
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#60Dislocations as Single Photon Sources in Two-Dimensional ...
Single photon sources hold great promise in quantum information technologies and are often materialized by single atoms, quantum dots, ...
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#61初探國際半導體大廠ROHM之SiC碳化矽專利佈局 - 北美智權集團
在ROHM集團的碳化矽半導體材料專利組合(patent portfolio)[2]中，除母 ... 集中的晶體缺陷(例如位錯dislocation)，可以進一步藉由凹槽的形成去除之。
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#62半导体缺陷解析及中英文术语一览-电子发烧友网
位错：位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。
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#63半导体芯片制造材料_应用等信息资料 - 华强电子网
常见的品质问题包括晶格的位错(dislocation)、孪晶面(twins)或是堆垛层错(stacking fault)都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体器件而言，材料晶格的缺陷(晶体 ...
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#64广东省科学院半导体所科研员提出抑制超宽禁带半导体材料AlN ...
该项工作部分结果以“Low-Defect-Density Aluminum Nitride (AlN) Thin Films Realized by Zigzag Macrostep-Induced Dislocation Redirection”为题发表在 ...
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#652022半導體元件可靠度及其失效物理Reliability and ... - YouTube
2022 半導體 元件可靠度及其失效物理Reliability and Failure Physics of ... Relationship between Dislocation Motion and Plastic Deformation.
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#66位错分析 - 牛津仪器
Discover how you can use Electron Backscatter Diffraction (EBSD) to cary out dislocation analysis to find useful information about the characteristics of ...
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#671-1 量子點簡介
波爾半徑(exciton Bohr radius)接近時，原本存在較大的半導體塊材(bulk) ... 陷，但當磊晶厚度繼續增加時就會有差排(misfit)、錯位(dislocation)及堆.
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#68GaN 衬底| Ceramicforum的宽禁带半导体与玻璃溶解技术
GaN 衬底│Ceramicforum属于专业从事SiC、GaN等下一代宽禁带半导体以及玻璃溶解相关技术产品的技术研发型贸易公司。 ... Dislocation density, cm-2, ～5・104.
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#69热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响 - 期刊界
Investigations are presented on the effects of thermal annealing on the inhomogeneity of the dislocation density and the sheet resistance across GaAs wafers.
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#70H01L 21 - Patents Sitemap - Google
... 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法High resistance and low dislocation GaN film preparation. 06/25/2014, CN103887325A 一种提高器件耐压能力的半导体装置及其制备 ...
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#71位錯
位錯（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體缺陷）。從幾何角度看，位錯屬於一種線缺陷，可視為晶體中已 ...
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#72高分辨电子显微像图像处理方法研究及其在确定原子尺度晶体 ...
半导体 材料，如SiGe等，在电子和光电器件的应用中，有着重要的作用，但是材料中位错的存在 ... it is important to learn the dislocation structure at atomic scale.
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#73大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长
大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长 ... 测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm, ... The densities of micropipe and dislocation were ca.
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#74dislocation in the markets - Linguee | 中英词典（更多其他语言）
大量翻译例句关于"dislocation in the markets" – 英中词典以及8百万条中文译文 ... 結果與前瞻性陳述所載資料有重大差異的因素， 包括（但不限於）與半導體行業週期及 ...
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#75半绝缘GaAs 衬底中AB微缺陷对MESFET 器件性能的影响3
徐岳生男,教授,博士生导师,主要从事半导体材料晶体生长和缺陷工程研究. ... [ 3 ] Schlossmacher P,Urban K. Dislocations and precipitates in ...
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#76中国科学院半导体研究所
... (100) substrate surfaces · Atomic Mechanism of Strain Alleviation and Dislocation Reduction in Highl... 官方微信. 扫描关注中科院半导体所.
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#77中科院半导体所在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
半导体 所照明研发中心刘志强研究员与半导体所半导体超晶格国家重点实验 ... of Strain Alleviation and Dislocation Reduction in Highly Mismatched ...
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#78I408262 - (此處由本局於收
圓並於其上形成成爲SiC 半導體元件之活性區域的SiC ... ( Basal Plane Dislocation: BPD)的結晶缺陷。 ... 之具備[1]之磊晶SiC單晶基板之半導體裝置、以及揭示於.
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#79Effect of dislocation scattering on electron mobility in GaN
[5], 以電漿輔助分子束磊晶技術成長 III-族氮化物半導體之研究 ; 臺灣清華大學學位論文, 2016 ; [6], The impact of neutral impurity concentration on charge drift ...
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#80雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析 - 表面技术
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#82半导体缺陷解析 - 知乎专栏
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18- MD++ installation __ Screw Dislocation creation example in Tantalum (Ta). 科研小然. 立即播放 ... 使用VASP 进行 半导体 材料计算-7.
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如：《半导体物理器件》（ Physics of Semiconductor Devices ）顺便说一句， 理科的教科书的句号一般用圆点“”! 例子： “书籍（包括辞书、学术著作你可以考虑一下我们 ...
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「陳志良、楊明迭雙個展」 新北藝文中心展書畫與創新半導體冷光科技版畫. 新北市音樂劇節獨家精彩特輯搶先看最MIT的音樂劇就在新北市!
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现场可编程门阵列(FPGA) 是由通过可编程互连连接的可配置逻辑块(CLB) 矩阵构成的半导体器件。 ... Perilunate Dislocation and Fractures of the Lunate ...
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其他常見的缺陷有點缺陷( point defect ) (如圖 1.15 )和差排( dislocation ) (如圖 1.16 ) ,堆積缺錯誤( stacking fault ) (圖 1.17 ) ,晶粒邊界有邊緣的差排(圖 1.18 ) ...
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