※ 引述《ap4318 (gorockboy)》之銘言：
: 在設計類比電路最重要的源頭大概就是bias電路了吧！?
: 因為很多子電路都需要bias電壓
: 自己在設計bias電路時多參考Martin書中的constant gm電路
: 但還是不太曉得怎麼樣算是好的設計?
推文已經有人說明了：reference電壓不隨溫度與電源擾動

For BSIM3V3 model, its accuracy of the temperature range is around
-50°C to 150°C or -40°C to 125°C. 自己決定一下溫度範圍.
學術的大概不care溫度, 有跑出東西就偷笑了, 反正只要萬中取一 (just joking)
FYI, temperature stable voltages typically have a temperature coefficient(TC)
10 ppm/°C (If you want a challenge, try to follow it.)

電源雜訊除了測PMRR, 就去買一顆要用的DCDC or PMIC然後量測其輸出power supply雜訊,
將雜訊存起來放進電路模擬,看看結果.

用constant gm (I assume it's Beta Multiplier Reference), 要用外接電阻調電壓時,
注意正回授loop gain要小於1.(bonding pad會貢獻大電容), Vref做成震盪器也是很有趣
就是了~

: 是兩條path的電流值要相近一點?!
應該是看Vov是否相近(假設你的unit MOS size相同), 多少還要看製程.
反正電流密度一樣就是了.自己layout注意.

: 還是要考慮每顆電晶體的Vov大小?!
: 我的考慮是電流值不必太大，其他電路有需要電流源的話在放大W/L就好
要複製電流的話還是用Vref做一個Linear Voltage Regulator(DCDC)再將電流複製去別處
(這可外接R去調電流) Current Mirror離的遠要記得放Caps, 並且注意Vov, 看是否要加
R or MOS去做Vov matching.

: 如果電流想copy的準一點再取長一點的L
: 其餘偏壓點的電壓值就不知如何決定了
: 主要就是tune到都操作飽和區
: 然後Vov在100mV~200mV
: 有前輩可以分享自己的經驗嗎？
: 感謝!!!!!
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: Sent from JPTT on my HTC One 801e.

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