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在 bandgap產品中有14篇Facebook貼文,粉絲數超過2萬的網紅北美智權報,也在其Facebook貼文中提到, 初探國際半導體大廠ROHM之SiC碳化矽專利佈局 帶隙能量(bandgap energy)比第一和第二代半導體 (諸如Si、GaAs) 寬,且具有高電場耐壓性能;因此能實現高耐壓化、大電流化、低導通電阻化、高效率化、低功耗化、高速開關等的碳化矽 (SiC) 第三代半導體而備受矚目。第三代半導體材...
同時也有10000部Youtube影片,追蹤數超過2,910的網紅コバにゃんチャンネル,也在其Youtube影片中提到,...
bandgap 在 北美智權報 Facebook 的最讚貼文
初探國際半導體大廠ROHM之SiC碳化矽專利佈局
帶隙能量(bandgap energy)比第一和第二代半導體 (諸如Si、GaAs) 寬,且具有高電場耐壓性能;因此能實現高耐壓化、大電流化、低導通電阻化、高效率化、低功耗化、高速開關等的碳化矽 (SiC) 第三代半導體而備受矚目。第三代半導體材料主要用於光電子器件、電力電子器件 (即功率半導體) 以及微波 (Microwave) 或射頻 (Radio frequency,RF) 器件。汽車是碳排放的重要來源,低碳排放的趨勢驅動全球電動汽車產業崛起,帶動電力電子 (即功率半導體) 快速增長。......
bandgap 在 DIGITIMES 科技網 Facebook 的最佳貼文
#碳化矽、#氮化鎵 等第三代半導體,小編五歲女兒都聽到會背了,但您有聽過 #第四代半導體 嗎?
所謂第四代半導體的優勢、挑戰又是什麼?
bandgap 在 EE Times Taiwan Facebook 的最佳貼文
台灣羅德史瓦茲寬能隙半導體電源設計測試技術研討會
3月17日R&S將在台北舉辦技術研討會, 現場將安排電路模擬及EMI Debugging與情境展示!
隨著寬能隙半導體(Wide Bandgap Semiconductor)的發展,MOSFET 與 IGBT 的測試也跟著電壓的開關速率提高。其中備受矚目的雙脈衝測試 (Double-Pulse Testing),此方式利用巧妙的電路結構去檢測功率器件的瞬態開關特性、吸收電路的設計、短路特性等實際表現。
本次活動中,R&S將邀請北科大黃明熙教授提供電源轉換器之損失分析及量測技術的深入解析,同時邀請聯合大學江炫樟教授介紹研發設計不可或缺的電路模擬與治具搭配;並由R&S Asia專家分享寬能隙半導體的雙脈衝測試需要考量的量測細節,將其所得的資訊充分反映實際應用的情況;產品研發過程中,為取得正確的量測結果,如何選擇合適的探棒,為本次重要議題之一,本次活動也將探討如何藉由EMI Debugging在各階段減少因產品開發錯誤所致的損失及縮短上市時間。
座位有限, 限時限量免費報名由此進!
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