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[爆卦]600V 電源供應器是什麼？優點缺點精華區懶人包

雖然這篇600V 電源供應器鄉民發文沒有被收入到精華區：在600V 電源供應器這個話題中，我們另外找到其它相關的精選爆讚文章

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「600v」的推薦目錄
  • COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

    600v 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文

    2020-05-13 14:30:00
    有 111 人按讚

    #電源設計 #功率半導體 #汽車電子 #碳化矽SiC #氮化鎵GaN

    【SiC、GaN，汽車電氣化之左右護法】

    傳統功率元件已經不能滿足電動汽車發展的需要，新材料正在助力新能源汽車突破這一瓶頸。IHS 的研究報告表明，碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 材料正在汽車領域呈現爆發性成長態勢。如今，超過 40% 的純電動汽車採用 SiC 材料作為動力系統的關鍵元件。超過 600V 電壓的汽車驅動牽引逆變器 (inverter) 之馬達驅動應用，SiC 材料正在快速替代傳統的矽基 IGBT 元件。

    驅動馬達逆變器和車載充電器中的矽基 IGBT 和二極體改用 SiC MOSFET 之後，系統結構配置更緊密、輕量化，更高的轉換效率大大降低了發熱使得散熱和冷卻系統設計變得簡單，同時新材料能夠承受更高功率密度，使得新能源汽車的從點時間大大縮短，並可配置大容量電池，有效增加續航能力。然而，目前制約 SiC 材料發展的一個主要問題就是產能緊缺……。

    另一個動力源則來自 GaN 材料，600V 以下的功率市場——包括汽車、工業以及消費電子產品，將是 GaN 材料的天下。GaN 元件的開關速度是矽元件的十倍，同時工作峰值溫度更高，這些穩健強大的材料特性使它非常適合不斷發展的 100V 和 650 V區間的汽車、工業、電信和特定消費類等各種應用領域。在汽車電動化演進中，車載充電器 (On-borad Charger, OBC；大陸稱為「車載充電機」) 與 48V 直流變換器是 GaN 材料應用重點。

    延伸閱讀：
    《意法半導體 SiC 和 GaN 雙箭齊出，推動汽車電氣化革命》
    http://compotechasia.com/a/tactic/2020/0409/44451.html

    #意法半導體ST #L9908 #L9963 #L9678 #L9679 #CEA-Leti #Exagan

  • COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

    600v 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文

    2019-04-24 14:30:00
    有 55 人按讚


    #電源設計 #功率器件 #智慧功率模組IPM #寬能隙WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #閘門驅動器

    【高壓、大動力系統，SiC 撐場】

    當人們將 SiC 與 GaN 相提並論時，除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外，就功率器件而言，現階段在應用取向仍有分野：SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正 (PFC)、尤其是上千伏特 (V) 的高壓電源產品；而 GaN 多用於高功率密度 DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體 (HEMT) 以及 600V 以上的 HEMT 混合串聯開關。

    SiC 在相同尺寸下可帶來更高的電壓擊穿性能，在失效前可承受更高的溫度，即使在高溫或低電流下也能實現「低導通損耗」，使得 SiC 器件能耐受 200℃ 工作溫度，也可避免低負載或空載時的無謂浪費，因而成為太陽能和汽車的新勢力；SiC SBD 常用於太陽能，而 SiC MOSFET 則用於高功率電源、驅動電子開關、智慧工控和車輛電氣化等。

    SiC 功率器件的較高 dV/dt 額定值也帶動「隔離」需求，意在更好地控制電磁干擾 (EMI) 標準。利用電容隔離技術大幅延長絕緣層 (insulation barrier) 的使用壽命、簡化設計並實現更高的系統可靠度，大幅節省能耗、監控高壓系統，並對過電流事件提供有效保護。值得留意的是，SiC 在 PFC、UPS、消費電子和電動汽車等 900V 以下低電壓產品正面對 GaN 的強悍搶市，轉攻 1200V 以上市場；為彌補成本並最大化利潤，供應商正努力提供系統級解決方案、而非單純組件。

    高性能材料亦會導致印刷電路板 (PCB) 佈局變得更加困難，「虛擬原型」的佈局後分析是管理這一挑戰的理想選擇，但前提是須具備複雜的通用電磁場解算專業。為簡化開發工作，量測廠商將開關模式電源 (SMPS) 設計的效果予以「可視化」，讓工程師無需花費時間建構和測試原型。

    延伸閱讀：
    《碳化矽：損耗低、導熱佳，支撐 kV 等級的高壓應用》
    http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41525.html
    (點擊內文標題即可閱讀全文)

    #科銳Cree #Wolfspeed #羅姆半導體Rohm #英飛凌Infineon #意法半導體ST #通用電氣GE #富士電機FujitsuElectronics #電裝Denso #豐田汽車ToyotaMotor #豐田中央研究所CRDL #三菱Mitsubishi #松下Panasonic #住友電氣SumitomoElectric #日立Hitachi #世紀金光半導體CenturyGoldray #株洲中車時代電氣CRRCTimesElectric #中國國家電網SGCC #電子科技大學Uestc #瀚薪科技HestiaPower #亞德諾ADI #UnitedSiC #德州儀器TI #是德科技Keysight

  • COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

    600v 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文

    2019-04-23 08:00:00
    有 56 人按讚


    #電源設計 #功率器件 #智慧功率模組IPM #寬能隙WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #閘門驅動器

    【高壓、大動力系統，SiC 撐場】

    當人們將 SiC 與 GaN 相提並論時，除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外，就功率器件而言，現階段在應用取向仍有分野：SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正 (PFC)、尤其是上千伏特 (V) 的高壓電源產品；而 GaN 多用於高功率密度 DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體 (HEMT) 以及 600V 以上的 HEMT 混合串聯開關。

    SiC 在相同尺寸下可帶來更高的電壓擊穿性能，在失效前可承受更高的溫度，即使在高溫或低電流下也能實現「低導通損耗」，使得 SiC 器件能耐受 200℃ 工作溫度，也可避免低負載或空載時的無謂浪費，因而成為太陽能和汽車的新勢力；SiC SBD 常用於太陽能，而 SiC MOSFET 則用於高功率電源、驅動電子開關、智慧工控和車輛電氣化等。

    SiC 功率器件的較高 dV/dt 額定值也帶動「隔離」需求，意在更好地控制電磁干擾 (EMI) 標準。利用電容隔離技術大幅延長絕緣層 (insulation barrier) 的使用壽命、簡化設計並實現更高的系統可靠度，大幅節省能耗、監控高壓系統，並對過電流事件提供有效保護。值得留意的是，SiC 在 PFC、UPS、消費電子和電動汽車等 900V 以下低電壓產品正面對 GaN 的強悍搶市，轉攻 1200V 以上市場；為彌補成本並最大化利潤，供應商正努力提供系統級解決方案、而非單純組件。

    高性能材料亦會導致印刷電路板 (PCB) 佈局變得更加困難，「虛擬原型」的佈局後分析是管理這一挑戰的理想選擇，但前提是須具備複雜的通用電磁場解算專業。為簡化開發工作，量測廠商將開關模式電源 (SMPS) 設計的效果予以「可視化」，讓工程師無需花費時間建構和測試原型。

    延伸閱讀：
    《碳化矽：損耗低、導熱佳，支撐 kV 等級的高壓應用》
    http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41525.html
    (點擊內文標題即可閱讀全文)

    #科銳Cree #Wolfspeed #羅姆半導體Rohm #英飛凌Infineon #意法半導體ST #通用電氣GE #富士電機FujitsuElectronics #電裝Denso #豐田汽車ToyotaMotor #豐田中央研究所CRDL #三菱Mitsubishi #松下Panasonic #住友電氣SumitomoElectric #日立Hitachi #世紀金光半導體CenturyGoldray #株洲中車時代電氣CRRCTimesElectric #中國國家電網SGCC #電子科技大學Uestc #瀚薪科技HestiaPower #亞德諾ADI #UnitedSiC #德州儀器TI #是德科技Keysight

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