🎵【山水】360°全音域真空管藍芽音響 免運現貨開團🎶
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這是為新房子的「個人」視聽室準備的小物。
為什麼是個人？
因為林太太怕吵，所以我一直以來都不能有正當理由買好一點的音響🤷🏼‍♂️
但新房子我有給自己留一個隔音超好的視聽室，當然就可以好好用它來享受一下「個人式家庭電影院」的爽感了🍺

而且我發現，就算是悠閒的爵士、瑜伽的冥想音樂、健身舞曲、甚至是自然音樂，這台中低音的表現都很到位！
非常爽感的迷你360°全音域真空管藍芽音響🔊

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❤️美國Lanchiya訂製混合真空管❤️
媲美音響專業家所擁有的藝術品，重磅打造全音域音頻揚聲器，使聲音更加均衡、柔美。

❤️360度真實環繞音場❤️
融合古典與現代技術，創造優秀的音頻性能，使高低音變得溫暖、柔滑、細膩。完美擴大聆聽音樂的最佳區域，讓聲音穿透整個空間。
可以從古典樂、搖滾樂中，聽到強勁的樂器震響；從流行月中，感受高低音的悅耳動人，彷彿置身現場。

❤️清晰悅耳，無可挑剔❤️
經由獨家™IESP系統調校，不受腔體外殼而犧牲低音水準，當隔膜產生聲波時，無源輻射器的紙錐可以產生更強的線性振動，當低音單元的紙盆、無源散熱器的紙錐反向振動時，可強化低音聽感。

❤️結構原理❤️
根據小體積、大動態的要求而設計，發揮真空管放大器的極限性能，呈現出柔滑又豐富的自然聲調。
延伸低音到高音的頻寬，擴大聲音的潛深度，即使提高音量也不失真。

❤️智能心理聲學iEAI™技術❤️
集合電子與聲學，揚聲器驅動器和結構相互對應。利用HI-FI聲音技術單元，無論在高頻、中頻、低頻皆擁有強大的均衡輸出，
還原99%原音，不受音量大小限制，在重、低音的表現也能完美出色。

❤️高保真音質❤️
真實展現高保真的高端音質，支持全頻喇叭驅動器，優化氣流與頻率，透過兩個高音質單體輸出40W功率，讓你享受美聲過程~

❤️Bluetooth v4.2❤️
10M無線控制與智能設備配對後，可以在10M距離範圍控制，享受逼真的聲音!

❤️觸控式介面❤️
符合人體工學設計，操作流暢簡便，搭配優雅弧形介面，不失網帥的顏面😎

❤️支援AUX❤️
支援3.5mm音頻輸入，可連接電腦、電視播放音源，逼真的視聽體驗，
可以讓你的追劇人生、遊戲更投入😊

❤️承襲傳統精緻工藝❤️
採用高規格真空管，左右搭配旋風式懸掛邊緣支撐喇叭，將單體音色發揮淋漓盡致。

❤️情境LED燈❤️

❤️底部止滑❤️

❤️真空管保護罩❤️

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▪️商品型號：SS-36
▪️商品尺寸：280x120x130mm
▪️商品淨重：1KG
▪️材質：ABS
▪️響應頻率：70Hz-20KHz
▪️喇叭輸出：40W(RMS)
▪️電壓輸出：16V3A
▪️阻抗：4ohm
▪️信噪比：≥75dB
▪️失真率：≤1%
▪️無線範圍：7-10M(22-23ft.)
▪️藍牙技術：V4.2
▪️藍芽頻率：2.402Ghz-2.480Ghz
▪️音源播放模式 : Bluetooth、AUX IN
▪️NCC認證：CCAP18LP4480T7
▪️BSMI認證：R51434
▪️產地：中國
▪️保固：新品瑕疵或商品為非人為因素損壞，可享一年保固

🔴商品配件：使用說明書、電源適配器、音源線(3.5mm)、保固卡

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⏰團購時間：6/3-6/9
🚛運費：免運
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#高功率電源設計 #電源管理 #氮化鎵GaN

【不可不知的材料界新星：氮化鎵】

「氮化鎵」(GaN) 可望逐漸成為「高功率模組」的首選；未來更將擴及低電壓應用，如：高端音訊放大器、無人機、電動車、照明、運算、太陽能板、汽車影像技術，以及任何能接上插座的電器裝置。GaN 是一種由「鎵」和「氮」兩種元素合成的超高速半導體材料，近年來成為學術界和產業界共同關注和著力研發的熱點，矽基 GaN 功率器件更被視作聖杯。與傳統矽元件相較，GaN 在物理特性上具有明顯優勢：

1. 轉換效率高：GaN 的禁帶寬度是矽的 3 倍、臨界擊穿電場是矽 10 倍，意謂在同樣額定電壓下，GaN 的導通電阻約比矽元件低 1,000 倍，大幅降低開關的導通損耗、使功率密度倍增；
2. 工作頻率高：GaN 的電子渡越時間比矽低 10倍，電子速度比在矽中高兩倍以上、反向恢復時間基本可以忽略，因此 GaN 開關功率器件的工作頻率是矽的 20 倍以上！大幅減少電路中電容、電感等儲能元件的體積、模組尺寸可縮小 50%，連帶減少設備體積和原材料消耗，而開關頻率高可減少開關損耗，進一步降低總功耗；
3. 耐受溫度高：GaN 的禁帶寬度高達 3.4eV，本徵電子濃度極低，電子很難被激發，理論上 GaN 可耐受 800℃ 以上的高溫。

為降低 GaN 元件成本，業界設法從製程尋求變通：透過外延技術在更大尺寸的矽基取得 GaN 外延片。如此便可使用成熟的矽製程和設備大量生產，再將矽基 GaN 與光電元件、數控電路整合，集成直接面向終端應用的功能性模組。GaN-on-Si 晶圓仍有三大技術瓶頸待克服：一是失配問題，矽基與 GaN 之間存在晶格常數、熱膨脹係數和晶體結構不匹配；二是極性迥異，由於矽原子間形成的是「純共價鍵」，屬非極性半導體，而 GaN 原子間卻是極性鍵、屬極性半導體；三是矽基上的矽原子擴散，會降低外延層的晶體品質。

或許能以「增壓引擎」來比喻 GaN，只要搭配適合的驅動程式、封裝與其他元件，確實能提升伺服器和資料中心的系統效能；且可避免電子裝置或設備「散熱不佳」，拖累系統運作。當連網已成為日常生活的一部分，人們對高耗電的數位裝置，以及電力和發電廠的依賴也隨之激增；藉由 GaN 改善電路效率，既環保又節能。此外，小自手機，大至高端工業機具和伺服器，各種系統的電路皆需切換數百萬計的小型開關；每一次動作，都會產生熱能、減損供電效率。GaN 可減少生熱，讓開發者能在更小的電路板空間、納入更多的開關設計。

延伸閱讀：
《TI：製程、封裝相助集成，氮化鎵伺機而起》
http://compotechasia.com/a/____/2016/0706/32426.html
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#德州儀器TI #http://compotechasia.com/microsite/view.php?aid=32761

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