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電阻高頻特性 在 PanSci 泛科學 Instagram 的最佳解答
2020-11-02 10:19:57
#科基百科 所謂砷化鎵呢，是由鎵和砷兩種元素所合成的化合物，分子式為「GaAs」。 這種化合物是種很常見的半導體材料，會被用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等等元件。 _ 咦？半導體材料？那不是矽 (Si)、鍺 (Ge) 等等元素嗎？ 嘿嘿，除了元素之外，化合物也...
電阻高頻特性 在 Analog Devices台灣亞德諾半導體股份有限公司 Facebook 的精選貼文
本月新品焦點: LTC2947-65 : 具有整合式感測電阻的65A+ 功率/能量監視器
產品詳情:
LTC2947-65 是一款具有內部感測電阻的高精度功率和能量監視器，可支援高達±65A的電流。三個內部No Latency Δ∑™ ADC 確保了電壓和電流的準確測量，而電壓和電流的高頻寬類比乘法可在眾多應用中提供準確的功率測量。內部或外部時脈選項實現了精準的電荷和能量測量。
內部150µΩ 溫度補償型感測電阻最大限度減少了效率損失和外部元件數，而能簡化能量測量應用，同時在整個溫度範圍內實現高準確度電流測量。
所有的測定量均儲存在內部暫存器中，這些暫存器可透過可選式I2C/SPI 介面存取。LTC2947-65 對所有的測定量均設有可編程的上下門檻，以減少與主機的數位通訊量。
應用範圍:
伺服器
電信基礎設施
工業
電動車輛
光伏
特性摘要:
• 測量電流、電壓、功率、電荷和能量
• 具有18mA 低偏移的±65A 電流範圍
• 整合式150µΩ 感測電阻
• 0V 至15V 輸入範圍（獨立於電源電壓）
• 電壓和電流的即時倍增
• 電壓精度為0.5%
• 電流和電荷精度為1%
• 功率和能量精度為1.2%
• 超過門檻時提出警報
• 儲存最大值和最小值
• 關斷模式，I Q < 10µA
• I 2 C/SPI相容介面
• 採用38 接腳5mm × 7mm QFN 封裝
https://www.analog.com/en/products/ltc2947-65.html…
電阻高頻特性 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最讚貼文
#電源設計 #高壓隔離型閘極驅動器
【整合「米勒箝位」，驅動 IGBT 更安全有效】
絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 在切換開關時，常遭遇「米勒效應」(miller effect) ——反相放大電路，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由於放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大 1+K倍 (K 值為該級放大電路電壓的放大倍數)；造成電容與輸入電阻產生低通濾波效應，使高頻訊號衰減。所幸，內建「米勒箝位」(Miller clamp) 的閘極驅動器 (Gate Driver)，可解決此問題並提供電路保護。
整合米勒箝位，一來可將電路閘極電荷接地，抑制閘極電壓上升、避免故障；二來當閘極電壓低於臨界值，會穩健關斷 IGBT 單軌電源，以帶有或不帶有米勒箝位的單極性／雙極性副電源工作。此外，集成去飽和檢測電路，可提供高壓短路 IGBT 工作保護，包括降噪特性；如需提高抗噪水準，內部消隱開關也支援增加外部電流源。此類「晶片級變壓器」還提供晶片高壓域與低壓域之間的控制資訊隔離通訊，晶片狀態可從專用輸出回讀；一旦器件副電源發生故障，可重設器件。
「共模暫態抗擾度」(CMTI)、傳播延遲及傳播延遲偏差，是另外三項重點指標。CMTI 對於氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等新型開關技術尤其重要；該數值越高越好，代表輸入與輸出的訊號沒有失真。低傳播延遲和低傳播延遲偏差，可讓設計人員盡可能減少高壓側和低壓側開關之間的「死區」(dead-band，又稱無感應區或靜滯帶)，改善馬達控制驅動、太陽能逆變器和 DC-DC 電源的效率和性能。
演示視頻：
《ADI----ADuM4135高壓隔離型閘極驅動器》
http://www.compotechasia.com/a/CTOV/2016/0414/31667.html
#亞德諾ADI #ADuM4135 #iCoupler
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電阻高頻特性 在 Analog Devices台灣亞德諾半導體股份有限公司 Facebook 的最佳貼文
ADI技術指南
AD5111_AD5113_AD5115:單通道、128/64/32位、升/降介面、±8%電阻容差、非易失性數位電位計AD5111_AD5113_AD5115為128/64/32位調整應用提供一種 非易失性解決方案,保證±8%的低電阻容差誤差,A、B和 W引腳提供最高±6 mA的電流密度。低電阻容差、低標稱 溫度係數和高頻寬特性可以簡化開環應用和容差匹配 應用。
http://www.analog.com/…/data_sheets/AD5111_AD5113_AD5115.pdf