新品焦點:新品焦點: ADI推出整合最大功率點追蹤及I2C的80V升降壓電池充電控制器

Analog Devices, Inc. (ADI) 宣佈推出LT8491升降壓電池充電控制器，該控制器具有最大功率點追蹤(MPPT)、溫度補償和I2C介面等特性，適用於遙測和控制。元件的工作電壓可高於、低於或等於經調節的電池浮動電壓，並提供三種可選的恆電流恆電壓(CC-CV)充電曲線，非常適合為各種化學電池充電，包括密封鉛酸電池、凝膠電池、溢流型電池和鋰離子電池。所有充電終止演算法均已內建而無需開發軟體或韌體，因此能縮短設計週期。

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LT8491可操作於6V至80V的輸入電壓範圍，使用單一電感並配合4開關同步整流可產生1.3V至80V的電池浮動電壓輸出。該元件能提供高達10A的充電電流，具體取決於外部元件的選擇。LT8491可與多個LT8705（80V升降壓控制器）元件並聯以提供更高的功率。

LT8491可掃描太陽能電池板的完整工作範圍以尋求真正的最大功率點，即使電池板因部分陰影而引起局部最大值點也不受影響。一旦找到真正的最大功率點，LT8491將在該點工作，同時使用擾動技術追蹤最大點的緩慢變化。透過這些方法，即使在非理想的工作環境中，LT8491也能充分利用太陽能電池板產生的近乎所有功率。

LT8491可透過檢測熱耦合到電池的外部熱敏電阻來執行自動溫度補償。透過I2C介面可完全控制充電器以及輸入/輸出電壓、電流和功率值。LT8491採用薄型(0.75mm) 64接腳7mm x 11mm QFN封裝，工作溫度範圍為-40C至125C。

LT8491主要特性
• VIN範圍：6V至80V
• VBAT範圍：1.3V至80V
• 單一電感允許VIN高於、低於或等於VBAT
• 用於太陽能供電充電的自動MPPT
• 自動溫度補償
• I2C遙測和配置
• 內部EEPROM用於配置儲存
• 採用太陽能電池板或直流電源供電
• 四個整合回饋迴路

#電源設計 #運算放大器OPA #電流感測放大器 #類比數位轉換器ADC #類比前端AFE

【精密量測電流】

電流感測電阻又稱作分流器，目的是測量電流；為避免對電流造成負面影響，其電阻值通常非常小，導致按比例所產生的電壓也相對小，不利後續類比數位轉換器 (ADC) 運作。因此，設計人員必須利用電路將此微弱電壓放大。

「電流感測放大器」是專用的運算放大器 (OPA)，額外增添雷射修整的精密電阻網路，再融入到裝置中設定增益值，可選擇是否在同一封裝內納入電流分流電阻；在高功率應用中，因為功率耗散會產生熱量，因而偏好採用外接分流電阻。

最常見的電流監測訊號鏈配置，含有分流電阻、類比前端 (AFE)、ADC 及系統控制器。諸如運算放大器或專屬電流感測放大器的 AFE，會將通過分流電阻而產生的微弱差動電壓，轉換成 ADC 可用的電壓。

可在寬幅共模範圍內測量「分流電阻」壓降的電流感測放大器，結合超低偏移電壓、極小增益誤差和高 DC 共模抑制比 (CMRR)，可實現超精密的電流量測準確度，適用於主動天線系統 mMIMO (AAS)、Macro 遠端無線電單元 (RRU)、48V 機架伺服器或商用網路／伺服器電源供應器。

延伸閱讀：
《INA290 超精密電流感測放大器》
https://www.digikey.tw/zh/product-highlight/t/texas-instruments/ina290-current-sense-amp?dclid=COiuxubBzusCFcaNvQod0T4LkQ

#德州儀器TI #INA290 #Digikey

【 新．選擇性鎢沉積技術，讓我們與5奈米以下的距離，更近了！】
　　
雖說EUV興起讓我們順利進入5奈米以下的時代，
然而隨著電晶體尺寸縮小，
在製程上也同時為2D微縮帶來了其他的技術瓶頸。
　　
　　
▪ #電晶體接觸電阻成為PPAC阻礙 ▪
傳統上，電晶體接觸通孔需襯上黏著層和氮化鈦阻障層，
接著利用沉積技術產生成核層，最後使用鎢來填滿剩餘空間。
然而襯墊阻障層好似晶片的動脈硬化斑，阻撓電子流動，
嚴重影響PPAC (chip power, performance and area/cost)表現。
　　
　　
▪ #選擇性鎢沉積_鎢填充通孔_PPAC表現更好 ▪
應材全新 Endura® Volta™ 選擇性鎢化學氣相沉積系統
(Selective Tungsten CVD)，
可讓低電阻的鎢原子在電晶體接觸點通孔內
自下而上無分層、無縫、無間隙進行選擇性沉積，
幫助PPAC表現更好；
電晶體的節點微縮與觸點，
也能縮小至5奈米、3奈米，甚至更小。
　　
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👇 看看動畫，30秒瞭解應材新式選擇性鎢沉積技術的神奇
http://blog.appliedmaterials.com/introducing-breakthrough-2d-scaling

👇 前情提要
▪ 應材解決平面微縮的瓶頸，以及為什麼需要更新、更精進的微縮技術
http://blog.appliedmaterials.com/solving-transistor-contact-resistance-requires-materials-engineering-innovations

▪ 接觸電阻嚴重影響晶片功率、性能
http://blog.appliedmaterials.com/transistor-scaling-gated-contact-resistance