為什麼這篇電晶體飽和區判斷鄉民發文收入到精華區：因為在電晶體飽和區判斷這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者su35 (謠指部-指揮官)看板Electronics標題Re: [問題] BJT的主動區與飽和...
各個模式 各有不同的解法
已共射極來看
Vcc=Rc*Ic+Vce
Ic=(B)Ib 所以當你的(B)*Ib 在怎麼大 也不可能推翻上面的規定
不可能讓Vce變成小於0.2
所以當Vce等於 0.2時 這時Ic 就是它的飽和電流
所以有簡便的方法就是你先假設是飽和電流 帶第一個公式去求
在用第二個公式去看
當Ic(飽和電流)<(B)Ib 就是在飽和區 反過來就是在工作區
其它的模式也都跟這個一樣 只是還有其它的電阻消耗的電壓 考慮Ie
BJT很簡單不要只背公式
※ 引述《wayneblue (火力全開!!)》之銘言：
: 請教版上前輩一些問題
: 請問BJT的主動區及飽和區是怎麼區分呢
: 我看書上的輸出特性線圖
: Vce≧0.2 是主動區
: Vce≦0.2 是飽和區
: 但又有寫說如果一個BJT算完之後，要驗證是不是滿足主動區，要Vbc≦0.4
: 只要Vbc≦0.4，則順偏不足，bc接面就不通就是主動區
: 應該要用哪個來判斷呢@@ 為何有2種方式 囧
: 謝謝版上大大
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