今天是日本311海嘯大地震與福島核災十周年，2011年3月11日，我們共同目擊了現代最慘重的災難，而至今核災仍未停止。

近日時任首相菅直人所著《核災下的首相告白》：核電的安全神話瓦解，核電比較便宜的神話也同樣瓦解，整個國家也陷入了生存危機，日本過去經濟界不敢高調主張廢核或再生能源，但現在社會氛圍已稍有改變，願意投入再生能源相關事業的企業迅速增加了。

借鏡觀形日本的經歷，台灣目前也碰上了核能安全神話，在地小人稠的台灣，核能廠密集度卻很高，核一、核二廠中間有山腳斷層，核三廠下方有恆春斷層，#核四廠最靠近我們宜蘭，在距離核四發電機廠房1公里處有 #枋腳斷層、距1.5公里有 #屈尺斷層、距約2公里有 #貢寮斷層、#澳底斷層。

核四廠製造過程中不斷發生問題，及重大工安意外讓我們大略回顧一下：
2008年初台電違規自行變更設計達395處，其中反應爐緊急冷卻水道支架焊接工程未照原設計，若爐心漏水、冷卻水又故障無法補充，恐令大台北地區民眾暴露於輻射中。

2010年1月5日核四深夜火警，因現場堆放大量電纜線起火。

2010年3月31日測試階段的核四電廠一號機主控室發生火在，儀控設備中的不斷電系統(CVCF)故障失靈，當中四分之三的電容器、70片系統控制處理器被燒毀，緩衝異常電流的突波吸收器也盡數短路，主控室的顯示盤因此失去電力。

2010年5月27日核四工人使用吸塵器及毛刷清理不斷電系統電盤，產生靜電導致變阻器(MOV)燒損，主控室電路設備再度爆炸短路。台電封鎖消息，直到當年六月底媒體爆料曝光。

2010年7月7日核四主控室電纜鋪設設計錯誤，嚴重的話可能會引起控制系統訊號干擾，反應爐失控。台電承認錯誤表示會重新設計、鋪設。

2010年7月9日核四輸配送電的電路系統高溫燒毀，整個廠區長達28小時大停電，超過全世界核電廠最長廷店可應變時間。

2010年8月核四廠消安勤務工作招標，取消廠商的消安資格門檻，被環境保護聯盟質疑涉弊。

2010年9月12日核四廠再度走火。

2010年底原能會發現整個核四廠區的電纜鋪設設計都有問題，需要全廠重新設計、鋪設施工。

2011年1月核四廠商轉時程確定延後至2012年年底，第五度延期。

2011年1月底原能會發現核四廠區內有多處重要纜線被老鼠咬毀。

2011年3月審計部、原能會調查發現，台電刻意隱瞞、規避原能會定期檢查，擅自違法自行變更核四與安全有關設計高達七百多項，包刮美商奇異公司設計權限、攸關運轉核心的「核四廠核島區」設計。

2011年6月8日監察委員提案，糾正台電公司駐工地設計辦公室，自2007年初起，自行辦理設計變更案件高達1500餘件，且多數已施作完成。於2013年3月14日台電新聞稿表示“自行變更設計修改共1536項，經全數送請奇異公司審查後，其中僅46項需進一步補強，台電公司已依奇異公司之設計圖，將其中40件施作完成，且依既定品質、品保程序完成檢驗並結案，其餘6件將於近期施作。

今年2021年的8月，將展開「重啟核四」公投「以核養綠」核能至上，莫非人們把曾經發生過的災難，忘得一乾二淨，好像一切不曾發生過，輕視安全如無物，如此氛圍實在令人非常擔心。

————————————
🔗新聞連結：https://csr.cw.com.tw/article/41876

#氮化鎵GaN #電源管理 #功率因數校正PFC #Cascode #聯結構電晶體
#圖騰柱TotemPole #總諧波失真THD #過流保護OCP

【GaN 功率元件強勢降臨】

被稱為第三代半導體材料的「氮化鎵」(GaN) 新興工藝技術，用於功率因數校正 (PFC)、軟式切換 DC-DC 等電源系統設計，以及電源轉接器、太陽能逆變器、伺服器和通訊電源等各種終端應用，可實現矽元件難以達到的高電源轉換效率和功率密度水準，為交換式電源供應器和其他在能效及功率密度至關重要的應用，帶來性能的飛躍。GaN 具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，能負載的工作溫度也更高。

GaN 提供高電子遷移率，意味著切換過程的反向恢復時間可忽略不計，故擁有低損耗、高切換頻率優點。前者加上寬頻元件的高結溫特性，可降低散熱量；後者則可減少濾波器和無源元件的使用 (如：變壓器、電容、電感等)，進而減少系統尺寸和重量、提升功率密度，有助設計人員實現緊湊的高能效電源方案。同為寬頻元件，GaN 比 SiC 成本更低、更易於商業化，具備廣泛採用的潛力，包括：工業、電腦、通訊、LED照明及網路領域的各種高壓應用。

採用單排直插 TO-220 封裝，更易於根據客戶現有製板能力進行整合。基於同一導通電阻等級，與高壓矽 MOSFET 相較，第一代 600 V 矽基 GaN (GaN-on-Si) 元件即可提供 4 倍以上的閘極電荷、更優的輸出電荷、同級輸出電容和 20 倍以上的反向恢復電荷，未來技術水準將持續演進。Cascode 相當於由 GaN HEMT 和低壓 MOSFET 組成：GaN HEMT 可承受高電壓，過電壓能力達到 750 V，並提供低導通電阻；低壓 MOSFET 則提供低閘極驅動和低反向恢復。

HEMT 是高電子遷移率電晶體的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。使用 600 V GaN Cascode 的三大好處是：
★具有卓越的自體二極體特性：串接建立在低壓矽技術上，且反向恢復特別低；
★容易驅動：設計人員可使用像普通 MOSFET 一樣的傳統閘極驅動器，採用電壓驅動，且驅動由低壓矽 MOSFET 的閾值電壓和閘極電荷決定；
★高可靠性：透過長期應用級測試，且符合 JEDEC 行業標準——零個擊穿、最終的漏電流和導通電阻皆低於規格門檻。

在連續導電模式 (CCM) 升壓 PFC 拓墣中，在 200 KHz 和 120 Vac 輸入的條件下，Cascode GaN 較超結合Si (SJ Si) 提升近 1% 的效率；隨著頻率升高，GaN 的優勢將更明顯。採用 GaN還可實現「圖騰柱」(Totem Pole) 電路，較傳統 CCM 升壓 PFC 提供更高能效。高能效的電源轉換有利於軟切換電路拓墣結構回收能量，如：相移全橋、半橋或全橋 LLC、同步升壓等。受惠技術發展和市場成長，有望降低 GaN 的採用成本。

延伸閱讀：
《安森美半導體推進更快、更智慧和更高能效的GaN電晶體》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2016/0428/31784.html

#安森美半導體OnSemiconductor #Transphorm #NTP8G202N #NTP8G206N #TO-220封裝 #NCP1654控制器 #NCP1397 #NCP4304

圖檔取材：pixabay.com

[本文將於發佈次日下午轉載至 LinkedIn、Twitter 和 Google+ 公司官方專頁，歡迎關注]：
https://www.linkedin.com/company/compotechasia
https://twitter.com/lookCOMPOTECH
https://goo.gl/YU0rHY