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#1雪崩光電二極體- 維基百科，自由的百科全書
雪崩光電二極體 (APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料中一般為100-200 ...
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#2光電二極體 - Wikiwand
雪崩光電二極體 具有和常規光電二極體相似的結構，但是需要高得多的逆向偏壓電壓。這將允許光照產生的載子通過突崩潰大量增加，在光電二極體內部產生內部增益，從而 ...
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#3什麼是雪崩光電二極管？ | 它的5+ 重要用途和特性
雪崩光電 二極管工作原理 · 雪崩擊穿發生時二極管受到高反向電壓. · 反向偏置電壓增加了耗盡層兩端的電場。 · 入射光進入p+ 區，並在高電阻p 區進一步被吸收。 這裡產生電子-空 ...
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#4雪崩二極體 - 中文百科知識
雪崩二極體 是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。雪崩二極體是一種負阻器件，特點是輸出功率大，但噪聲也很大。
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#5半導體雪崩光電二極體 - 華人百科
半導體雪崩光電二極體(semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件，又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞 ...
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#6揭秘雪崩光電二極體「結構、原理、特性 - 每日頭條
雪崩光電二極體 是由日本工程師「Jun-ichi Nishizawa」於1952 年設計的。雪崩光電二極體是一種非常靈敏的半導體探測器，它利用光電效應將光轉化為電。
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#7雪崩光電二極體(APD)結構及原理 - 研發互助社區
雪崩光電二極體 (APD)結構及原理,.當耗盡區中的場強達到足夠大（~3*1O^5V/cm）時，光生載流子將被加速到很高的速度，在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離， ...
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#8動態光電二極體點燃穿戴應用新亮點 - 電子工程專輯
而如果你想在『蓋格模式』(Geiger mode)中更進一步，則可稱為『單光子雪崩二體』(Single Photon Avalanche Diode)模式或SPAD。」 正如Magnifico所解釋的， ...
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#9揭秘雪崩光電二極體「結構、原理、特性 - 頭條匯
雪崩 擊穿主要發生在光電二極體承受最大反向電壓時，該電壓增強了耗盡層之外的電場。當入射光穿透p+ 區域時，它會在電阻極大的p 區域內被吸收，然後生成電子-空穴對。
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#10雪崩光電二極體 - 崑山電子歷程
雪崩光電二極體 (APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料 ...
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#11HgCdTe雪崩光電二極體的研究進展 - 人人焦點
雪崩光電二極體 （APD）是一種具有較高頻率響應特性和較高內增益的器件。器件工作在高的反偏壓下，當吸收層吸收入射光產生光生載流子，器件內部光生載流子在強電場的作用下 ...
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#12雪崩光電二極管_百度百科
雪崩光電 二極管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料製成的光電二極管的P-N結上加上反向偏壓後，射入的光被P-N結吸收後會形成光電流。
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#13單光子偵測器原理與其光學雷達應用 - 台灣儀器科技研究中心
與累崩式光電二極體(avalanche photodiode, APD). 等，現今普遍存在各種應用情境之中，與這些. 元件相較，近一二十年快速發展的單光子崩潰. 二極體(single-photon ...
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#14雪崩光電二極體反向電流的測量@ 小小科學實驗室 - 隨意窩
雪崩光電二極體 （APD）是一種高靈敏度、高速度的光電二極體。施加反向電壓時，能啟動其內部的增益機構。APD的增益可以由反向偏置電壓的幅度來控制。反向偏置電壓越大 ...
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#15InP/InGaAsP/InGaAs 雪崩光電二極體之TCAD 模擬 - NTU TDR
他們發現到沒有護環的元件. 在崩潰時，電流爬升得比較緩（soft breakdown），由此可見護環的功用[40]。此外. 他們在[41] 進一步說明了護環原理，他們認為因為護環能夠擴展 ...
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#16光電二極體 - 中文百科全書
光電二極體 簡介,原理,檢測方法,主要技術參數,種類,PN型,PIN型,發射鍵型,雪崩型,工作原理,製作材料,性能參數,器件特性與本徵參數關係,套用,二極體組,
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#17CIE 1976 DETECTION - 明志科技大學-電子工程系
二、架構流程圖. 三、APD 相關知識與感測電路. 雪崩光電二極體(APD)(又稱累崩光電二極體或. 崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理. 類似於光電倍增管。
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#18雪崩二极管的工作原理 - 电子元器件
雪崩 二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波 ...
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#20单光子雪崩光电二极管的超额偏压控制系统与方法
其中，单光子雪崩光电二极管SPAD与负载(load)串接于供应电压V op与接地电压之间，且温度保持定值。由图2可知，当负载电流I load静止时，超额偏压电平V e最大；当负载 ...
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#21雪崩光电二极管工作原理和应用特点 - IC先生电子商城
雪崩光电 二极管是使用雪崩方法提供额外性能的二极管，这些二极管用于将信号从光变为电，它可以在高反向偏压下工作。雪崩光电二极管包括两个重掺杂区和 ...
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#22雪崩型感光二極體Avalanche Photodiode,APD - ppt download
目錄光檢測器應用光檢測器原理P-N感光二極體P-I-N感光二極體APD結構雪崩效應光 ... 光二極體材料的選擇須使光子大於能隙Eg。 接面或空乏層電容不小，受RC時間常數的 ...
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#23電子學103-Chapter4 二極體＆特殊二極體
1 物理系光電組⼆二年級電⼦子學授課⽼老師：輔仁⼤大學物理系副教授張敏娟單元 ... 逆向偏壓時，一般二極體超過一個值之後，產生雪崩擊穿（Avalanche breakdown）。
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#24智真空科技- 高穩定性長波長雪崩型二極體元件之製作及特性研究
2 國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所 ... 崩型二極體元件特性進行比較分析,其中包含電流-電壓特性分析及其他運算等。 ... p-i-n感光二極體與雪崩型感光.
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#25雪崩光电二极管_搜狗百科
雪崩 光电二极管(APD)(又称累崩光电二极管或崩溃光二极体)是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后（在硅材料中一般为100-200 ...
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#26雪崩光电二极管工作原理 - 与非网
雪崩光电 二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。
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#27雪崩光电二极管的3个选型要素，要记牢！
雪崩光电 二极管（APD）通常被推荐用于高带宽应用，或需要内部增益来克服高前置放大器噪声的场合。本视频简单列出一些APD选型要素，有助于大家确定哪一款APD最适合您的 ...
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#28揭晓雪崩光电二极管【结构、原理、特性 - 搜狐
在光纤通信系统中，使用雪崩光电二极管等单个组件将光转换为电信号。在雪崩过程中，电荷载流子是通过碰撞产生的。 雪崩光电二极管将光信号变为电信号 ...
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#2913 何者是累崩光二極體（Avalanche photo diode）正確的檢光..
雪崩光電二極體 (APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料中一般為100-200 ...
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#30雪崩光电二极管的工作原理雪崩光电二极管的特性-技术资讯
雪崩光电 二极管高度敏感的半导体器件，可将光信号转换为电信号，常在激光通信中使用。 它们在高反向偏压下运行。 术语“雪崩”来自雪崩击穿现象。
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#31雪崩光电二极管工作原理-电子发烧友网
雪崩光电 二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩 ...
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#32现代通信技术-4.12 光检测器-雪崩光电二极管（APD）
4.12 光检测器-雪崩光电二极管（APD） 课程性质与定位《现代通信技术》依托于北京邮电大学“信息与通信工程”一流学科（教育部学科评估获“A+”），作为“通信工程”国家级 ...
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#33光电二极管(Photodiode)的简介与标定指引 - 光焱科技ENLITECH
雪崩光电 二极管(APD)：也称为累崩光电二极管或崩溃光电二极管，是一种半导体光侦测器，其工作原理类似于光电倍增管。APD在施加更高的反向偏置电压(硅材料通常为100-200 ...
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#34揭秘雪崩光电二极管「结构、原理、特性、区别PIN ... - 知乎专栏
雪崩光电 二极管是由日本工程师“Jun-ichi Nishizawa”于1952 年设计的。雪崩光电二极管是一种非常灵敏的半导体探测器，它利用光电效应将光转化为电。
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#35HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展 - 《激光与红外》杂志
碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/三维 ...
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#365月2011 - 小小科學實驗室
目前，雪崩光電二極體(APD)作為一種高靈敏、能精確接收資料和測量光功率的光探測器件廣泛應用於光纖傳感、 ... 這就是對APD溫度漂移的偏壓補償原理。
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#37用LM2733XMF 设计用于雪崩光电二极管（APD）的高升压比偏 ...
在10 公里以上光纤网络中，雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode, APD）作为最常用. 的高灵敏度光电信号转换器件被广泛使用于长距离光模块的设计中。APD 工作时通常需要.
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#39雪崩二极管的工作原理及发展史 - 立创商城
1965年，K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此，雪崩光电二极管作为一 ...
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#40二極體產業評析 - MoneyDJ理財網
在國外分離式元件大廠紛紛轉進手機相關高階二極體，以及金融風暴時並未 ... 亦是國內廠商生產的二極體產品之一，突破抑制器是雪崩式二極體(Avalanche ...
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#41淺析雪崩二極體的工作原理及作用 - 壹讀
雪崩二極體 是利用半導體PN結中的雪崩倍增效應及載流子的渡越時間效應產生微波振盪的半導體器件。如果在二極體兩端加上足夠大的反向電壓，使得空間電荷 ...
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#42什麼是二極體? 歷史與原理 - ROHM
二極體 的故事 · 1. 在真空管發明以前... 在1884年時，人類首次發現二極真空管具有整流的特性，也就是「愛迪生效應」。 · 2. 先進入鍺(Germanium)再進入矽的時代 · 3. PN接合所 ...
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#43砷化銦鎵光崩潰二極體於單光子偵測器之應用
第一章介紹過單光子偵測器可選用的各種偵測元件與相對應用，接下來要介. 紹我們所使用的單光子偵測元件Avalanche photodiode(光崩潰二極體, APD) 。 首先介紹傳統光電二極 ...
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#44揭秘iPhone14Pro的新环境光传感器 - 电子工程专辑
参考图2，光学元件似乎是一个基本的光电二极管探测器和一个边缘安装的激光 ... 之前的ST接近传感器使用直接安装在包含单光子雪崩二极管(SPAD)探测器的 ...
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#45認識二極體及電晶體特性曲線
當逆向偏壓增加到某一特定的電壓值時，電流會急速的增加，此時的電壓稱. 為崩潰電壓（breakdown voltage）。半導體二極體在進入崩潰時所能承受的最大. 逆向偏壓稱為逆向 ...
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#46ES1A_09 - Datasheet - 电子工程世界
强茂拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，主要从事整流二极体、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产；搭配洞察市场趋势的观察利，不断推出符合市场 ...
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#47雪崩二极管工作原理_雪崩二极管与PIN光电二极管区别 - 油柑网
本文主要介绍雪崩二极管工作原理_雪崩二极管与PIN光电二极管区别，雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的 ...
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#48光電技術 - 第 306 頁 - Google 圖書結果
0 二、雪崩光電二極體( APD ) 0 雪崩光電二極體是藉助強電場作用產生載子倍增效應(即 ... 雷射測距、星球定向等領域,下面簡述它的工作原理、結構、特性及供電電路。
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#49光學感測與測量 - 第 243 頁 - Google 圖書結果
自>極體。由於雪崩效應的要求,必須選用高純度,高電阻率,而且均匀性非常好的矽或錯單晶材料來製備。 ... Ge - ADP 和 Si - ADP 兩種雪崩光電二極體原理如圖 4.39 所示。
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#50雷射工程導論 - 第 421 頁 - Google 圖書結果
A B D C 圖 10-62 雪崩光電二極體工作原理圖光纖通訊系統中,廣泛用雪崩二極體通訊接收器。 5. Schottky 光電二極體: Schottky 光電二極體的結構原理如圖 10-63 所示。
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#51光機電系統設計與製作 - 第 146 頁 - Google 圖書結果
利用該原理製成的光電二極體稱為「耗盡層光電二極體」。 ... 大量電子流的產生,如同一小區域的雪地滑落而造成大區域的雪崩現象,稱為雪崩效應,由此而製成的光電元件。
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#52電子電機工程英漢對照詞典 - 第 198 頁 - Google 圖書結果
... 平 avalanche diode amplifier 雪崩二極體放均存取時間大器 average active ... 器 average behavior analysis 2916S FT avalanche photodetector 雪崩光電探測| ...
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#53【Maker電子學】稽納二極體的原理與應用 - MakerPRO
作者：Bird. 稽納二極體在二極體元件中相當特殊，它不像一般二極體工作在順向偏壓，反而多半工作在逆向偏壓，以作為電壓源之類的電路來使用。