[狂人新聞台] 全新第四代A3 Spotback 新潮上市

＃小編：引進三款動力規格並涵蓋七款車型

作為四環旗下最具指標性的掀背車款，Audi A3 車系自1996年問世至今，於1996、2012，2013和2020年四度獲得德國金舵獎最佳小型掀背車的殊榮，依循歷代車系優異的設計傳統，全新A3 Sportback 銳利動感的外觀造型，其線條元素融合四環新世代設計語彙，車頭前方內建蜂巢格柵的大型寬幅單體式六角型水箱護罩，前保桿兩側下方大型斜角設計進氣口，散發出強烈運動跑格與銳利無比的視覺感受。此外極為傾斜的C柱設計、採用內凹設計的車側鈑件折線、楔形尾燈組及周圍環形肩線，刻劃出充滿肌力感的車身線條，搭配後尾門擾流板及後保桿下方擴散器和梯形尾飾管，賦予全新A3 Sportback 更多運動跑格元素。

此外Audi 最引以為傲的先進燈光照明科技，其設計所蘊藏的涵義不斷與時俱進，全新A3 Sportback 全車系標配LED極光頭燈、LED識別燈和LED尾燈組(含動態指示方向燈)，車主另可選配Matrix 矩陣式 LED 頭燈(含數位日行燈)，提供包括智慧控制的防眩Matrix LED遠光燈、動態轉向輔助燈等許多功能，以及離家/返家的動態燈光展演。未來Audi 車款的燈光設計將不僅止於提供照明而已，更是耀眼的潮流指標，其設計上的獨特性及強大科技應用，將成為汽車主動與周遭用車環境進行溝通的重要媒介，以及提升人車安全的關鍵環節。

這次導入國內的全新A3 Sportback 搭載兩款四環新世代動力規格，分別為30 TFSI車型的1.0升缸內直噴渦輪增壓引擎，以及35 TFSI車型的1.5升缸內直噴渦輪增壓引擎，兼具體積輕巧、節能舒適與高效率、高效能等優點。其中「節能新星」全新A3 Sportback 30 TFSI車型搭載的1.0升引擎，在缸內直噴技術和渦輪增壓科技的加持下，可輸出110 hp 最大馬力和200 Nm 最大扭力，不僅可完整滿足一般都會行駛需求，透過多項尖端技術的優化調校，賦予引擎擁有平順、流暢的運轉品質，並具備低稅負優勢，其整體油耗表現一舉達到20.1 km/l的優異水準！

至於35 TFSI車型的1.5升引擎除了擁有「同級最強」的動力輸出外，在缸內直噴技術及渦輪增壓科技加持下，可輸出同級車中最強勁的150 hp最大馬力和250 Nm最大扭力，同時在先進的CoD主動式汽缸管理系統精準控制下，能夠在引擎處於低、中負載時，透過油門踏板感知器關閉兩個汽缸啟動運作模式，讓引擎擁有最節能的表現。

上述兩款新世代動力系統，均同步搭載四環最先進的48V輕型複合動力系統，完美結合出色結合效能與便利性。透過48V皮帶啟動馬達發電機、DC-DC 轉換器與48V 電力系統等三大核心元件的完美運作下，系統中的48V 鋰電池可協助在引擎熄火滑行期間，供應電力至各個附屬裝置，並在引擎耗能較大的起步階段，透過此系統讓起步更為平順細緻，不僅可減少引擎耗能，更創造出優異的油耗表現。

四環旗下最新世代的「勁潮鋼砲」Audi S3 Sportback 同步火熱登場，造型設計上維持高性能車款一貫的霸氣造型，除了醒目的S3專屬運動化外觀套件外，搭配全景式電動玻璃天窗、S3 專屬鋁合金塗裝車外後視鏡，營造出強烈鋼砲車格設定。全新Audi S3 Sportback 的車室座艙除延續駕駛導向設計之外，更同步增添許多運動化配件，如Fine Nappa真皮跑車式座椅、黑色織布頂篷、不鏽鋼油門 / 煞車踏板及S 式樣門檻踏板，打造性能味十足的駕駛座艙。

全新Audi S3 Sportback 強悍的性能表現，源自其所搭載的2.0升缸內直噴渦輪增壓汽油引擎，可爆發出310 hp 最大馬力與400 Nm 最大扭力，在七速 S-tronic 自手排變速箱及quattro 智慧型恆時四輪傳動系統的強勢加持下，僅需 4.8秒即可完成0-100 km/h 加速衝刺，極速達250 km/h。為了匹配其強悍性能，更標配18吋Audi Sport鋁圈搭配紅色塗裝卡鉗、跑車式轉向系統、運動化電子可調式阻尼懸吊等性能配備。


＃Audi ＃S3 ＃Sportback

#汽車電子 #電源設計 #功率元件 #牽引逆變器 #IGBT製程 #AEC-Q101

【測定電源模組之 IGBT 結溫與集電極電流的可靠方法】

用於目前和下一代混合／插電式混合、燃料電池及電池供電之電動汽車 (H/EV) 的牽引逆變器，需要崩潰電壓 650V 範圍的功率半導體裝置。採用第三代溝槽型場截止 IGBT 技術、且符合汽車級標準認證快速恢復二極體匹配的功率元件，具有更多特徵和選擇；例如，改變柵極墊尺寸和位置以容納不同直徑的鋁線、重新修改裸晶的尺寸並客製化崩潰電壓。

裸晶 IGBT 通常由電源模組製造商使用，這些製造商設計 H/EV 牽引逆變器，以實現高水準的功率整合和可靠性，或特殊的電源互連。最重要的目標是突破標準模組產品的功率限制。設計電源半導體時，設計人員將面臨功率損耗、熱管理、短路、過流／過壓和過熱保護，以及電流測定等挑戰。首先，功率損耗受 IGBT 的 VCEon 值、開關行為 (接通時間和斷開時間) 以及開關頻率影響，這些特性又會隨 IGBT 技術、柵極驅動電路、封裝的雜散電感及熱管理系統的特性而變化。

由於功率損耗不可能完全消除、只能減小，因此，熱管理的目標是消除從半導體損耗而產生的熱量。消除這種熱量最好的方法是改善矽本身和外界的熱傳導；而先進功率模組可在功率元件的頂部和底部採用燒結技術並結合雙面冷卻，以改善熱傳導。設計人員面臨的下一個問題是防止 IGBT 過熱、過壓和過流。要限制過壓，可利用合適的設計和控制電流通路的雜散電感量，並控制電流變化速率達成。透過及時檢測過電流和過熱並做出回應，能延長逆變器的使用壽命。

為控制馬達電流和轉矩，馬達控制系統要求測定電流。裸晶 IGBT 的單片式整合溫度檢測能透過測定一串多晶矽二極體的正向壓降 (VF) 實現。單片式電流檢測方法證明是測定 IGBT 接合點溫度 (Tj) 的最好方法，因為兩者具有線性依賴；惟須留意的是，溫度感測器要求二極體正向偏置且具有精確的恆定電流，造成的壓降須經介面電路檢測、調節，而此一介面電路須設計用於讀取較小的溫度相關 VF 值、抑制開關電壓，並傳送訊號通過隔離層。

單片式電流檢測可用於 H/EV 逆變器的各種應用，最簡單的用途是利用比較器電路做過流保護，以增強或代替傳統的退飽和保護。採用其他介面電路和智慧處理，並結合晶片內建溫度檢測做電機控制，則是更具挑戰性和潛在價值的應用。整合電流檢測和溫度檢測的電路，無需額外感測器，可簡化關鍵參數的檢測、減少零組件數量，擁有以下好處：對危險操作狀況的響應更快、接合點溫度測定更準確、功率矽的利用率更佳，且可靠性提高。

延伸閱讀：
《汽車級認證裸晶 IGBT 的單片式電流和溫度檢測》
http://compotechasia.com/a/ji___yong/2017/0220/34702.html
(點擊內文標題即可閱讀全文)

#安森美半導體OnSemiconductor #PCGA160T65NF8 #PCGA200T65NF8 #PCGA300T65DF8

〔本文將於發佈次日下午轉載至 LinkedIn、Twitter 和 Google+ 公司官方專頁，歡迎關注〕：
https://www.linkedin.com/company/compotechasia
https://twitter.com/lookCOMPOTECH
https://goo.gl/YU0rHY