為什麼這篇負型光阻鄉民發文收入到精華區：因為在負型光阻這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者tengyuan (tengyuan)看板NEMS標題[問題] 負型光阻一問時間Mon Mar ...
負型光阻 在 ꪔ̤̮ ⋆·˚ ༘ * ᴊᴜ ⋆·˚ ༘ * Instagram 的最讚貼文
2021-09-10 06:09:16
現在隨著生活型態的改變，我們眼睛接觸3c產品的時間越來越長，造成眼睛的負擔與日俱增。 我配戴的這隻眼鏡是 @lefoon_tw 抗藍光眼鏡，在接觸3C產品時，有效阻隔有害藍光，保護我們的眼睛👀✨ 鏡架非常輕，戴久不用擔心耳朵不舒服，很適合日常生活或是工作配戴唷！ #台灣設計師品牌 #太陽眼鏡...
在去年8.9月買負型光阻su-8 gm1040
一直用到12月後因實驗題目沒有用到後就沒有做實驗
直到今年1月才後有接觸到
但問題發生了
現在spin coating在矽基板上無法附著上去
有跟廠商反應
他們覺得可能是光阻變質
之後也提供少量未開封的光阻在測試
結果還是一樣
不知有沒有人有遇過這樣類似的問題
另外，
不知有沒有人使用過NR7-1000P的負型光阻
可否提供實驗參數
這款光阻顯影時間滿快的
一直抓不好他的參數
我要製作的pattern是約幾百奈米的grating
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.117.32.248
推 SkyLark2001:1. wafer拿去BOE泡一下改變親疏水性 03/11 13:04
→ SkyLark2001:2. RD6可以3:1稀釋，顯影時間就可以從12s延長到4,50s 03/11 13:05
→ SkyLark2001:3. NR7-1000P可以做到submicron, 技術很好啊，你才應 03/11 13:08
→ SkyLark2001:該要跟大家分享你的參數XD 03/11 13:08
→ tengyuan:我使用NR7-1000P的光阻，軟硬考的時間、溫度都是按照廠 03/11 16:18
→ tengyuan:商給的，至於曝光，我利用uv laser用全像干涉曝出我的圖 03/11 16:20
→ tengyuan:案，曝光時間目前是約10sec，顯影大概都10sec左右 03/11 16:21
→ tengyuan:RD6稀釋是RD6:water=3:1嗎? 03/11 16:23
推 SkyLark2001:對啊 03/11 16:27
→ SkyLark2001:NR7-1000P"Y"的原廠資訊。多了一個Y但基本上是一樣的 03/11 16:29
→ SkyLark2001:第二頁第五點第三行。三比一稀釋後顯影時間就變50秒 03/11 16:30
→ SkyLark2001:不過這是針對1 um的厚度的參數，你那麼薄可自行調整 03/11 16:30
推 SkyLark2001:所以你不是用光罩，是直接用laser去曝光的嗎？還是說 03/11 16:40
→ SkyLark2001:你的光罩是類似狹縫裝置用來製造干涉的？ 03/11 16:41
→ tengyuan:SKY大，我現在曝完顯影完，在OM下沒有pattern，是因為能 03/11 16:42
→ tengyuan:能量太高嗎? 03/11 16:43
→ tengyuan:我沒用marsk，直接干涉曝 03/11 16:44
推 SkyLark2001:沒有pattern是都還在還是都洗掉？ 03/11 16:48
→ tengyuan:在pattern邊邊稍為還有一些線的感覺，pattern中心都只有y 03/11 16:53
→ tengyuan:點，雷射的beam是高斯分布，中間能量會比較強，邊緣比較 03/11 16:55
→ tengyuan:弱 03/11 16:55
推 SkyLark2001:感覺像是過曝或是under development，因為只有邊緣能 03/11 17:03
→ SkyLark2001:量若的部份有線條出來。先確定你是RD6:DI= 3:1，確定 03/11 17:04
→ SkyLark2001:的話開始慢慢縮短曝光時間吧～ 03/11 17:04
→ tengyuan:OK 感謝sky大 03/11 17:05
推 LittleBlue21:請問過曝是指曝太久能量太強嗎?那為什麼pattern不見 03/11 18:15
→ LittleBlue21:會是過曝呢?不是應該是能量不夠嗎??? 03/11 18:16
→ LittleBlue21:因為我也是有pattern不見的問題... 03/11 18:16
→ tengyuan:我今晚有改變曝光強度久成功了 03/11 22:31
推 SkyLark2001:因為原po使用負光阻，曝光的部份會留下。所以沒有 03/12 03:50
→ SkyLark2001:pattern表示整片wafer都曝到光了，通常是因為過曝太多 03/12 03:51
→ SkyLark2001:才會造成這種情形，特別是原po的線寬是submicron, 03/12 03:51
→ SkyLark2001:會特別明顯。請問t兄是減少曝光時間才改善的嗎？ 03/12 03:52
→ SkyLark2001:減少曝光時間或是降低光強這樣嗎？ 03/12 03:52
→ tengyuan:我是減少光強，其他參數都沒變，曝十秒，顯影十秒 03/12 11:02
推 LittleBlue21:那請問S大,如果我的大size pattern還在(約幾百micron 03/12 20:33
→ LittleBlue21:但小的pattern(約10 micron或更小)不見了,是不是過顯 03/12 20:35
→ LittleBlue21:因為顯影前還隱約可看見小pattern 03/12 20:36
→ LittleBlue21:之前pattern不見以為是能量不夠,因此一直加曝光時間 03/12 20:37
→ LittleBlue21:後來顯影前才終於可見小pattern,但顯完又不見了... 03/12 20:38
推 LittleBlue21:還是我的也是過曝呢?不過我可以改變的只有曝光時間 03/12 20:44
→ tengyuan:顯影時間無法改嗎?比較寬的pattern應該比較好顯影吧? 03/13 01:49
→ tengyuan:我之前用SU-8有顯影過周期20um跟10um，很容易顯影 03/13 01:50
推 SkyLark2001:crosslinking過後的SU-8很強韌，已經不大怕顯影液 03/13 01:52
→ SkyLark2001:所以SU-8的顯影可以多顯好幾分鐘沒問題，顯乾淨點 03/13 01:53
→ SkyLark2001:這是SU-8本身特性。其他負光阻如Futurrex就不行， 03/13 01:53
→ SkyLark2001:很容易過顯。肉眼可判斷，這也是為什麼RD6可拿來稀釋 03/13 01:54
→ SkyLark2001:L兄可否多給一些詳盡資料？如何種光阻何種基板 03/13 01:55
推 LittleBlue21:SU8 3035稀釋光阻 SiO2基板,我的顯影時間有減少了 03/13 08:41
→ LittleBlue21:那是學長留下來的數據,稀釋完大約在3005跟3010中間 03/13 08:43
→ LittleBlue21:t大我的寬的pattern很好顯,但小的顯完就不見了,我有 03/13 08:45
→ LittleBlue21:用OM看過卻找不到,而顯影前肉眼可以勉前看到小點 03/13 08:46
推 SkyLark2001:小的pattern是留下來的還是被洗掉的？(光罩透光or不透 03/13 09:09
推 LittleBlue21:小的pattern是應該要留下來(透光的),但是看起來沒有 03/13 10:02
→ tengyuan:L大，pattern小是多小??我們實驗室OM極限應該可以看到線 03/13 11:30
→ tengyuan:寬約1um左右 03/13 11:30
推 LittleBlue21:小pattern 5um左右 03/13 12:16