極小尺寸碳化矽蕭特基二極體問世

新日本無線(New Japan Radio)研製出世界極小尺寸，且具有高散熱性的650V/10A碳化矽蕭特基二極體NJDCD010A065AA3PS，並開始提供樣片。

如今，為了實現可持續發展和繁榮的社會，在能源領域十分要求效率。新日本無線為了實現這一目標正在開發新的產品群，進而推進新一代電力設備的發展。這次開始提供的樣片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化矽材料的世界極小尺寸的蕭特基勢壘二極體，其最大額定值為650V/10A，與傳統矽的快速恢復二極體相比，可以實現低損耗和高速切換。

特點包括：

1.由於實現了世界極小尺寸和低熱阻特性，可最佳化電路板佈局和外殼尺寸；

2.有助於進一步提升應用的高效率化和降低雜訊。

NJDCD010A065AA3PS具有世界極小的尺寸、低損耗、高速開關和低雜訊的特點，有助於進一步提升各種電源電路和馬達驅動電路的高性能、高效率化、小型化和輕量化。

http://www.tw.njr.com/news/newproducts/NJDCD010A065AA3PS.html

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【SiCＸGaN，開啟功率新時代】

被視為「戰略物資」的第三代半導體——以碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 為首的二元 III-V 族「寬能隙」(Wide Band Gap, WBG) 化合物半導體，原就挾著耐高溫、耐高壓、切換快、效率高 (耗損低) 等優異物理特性而備受關注，近來更因被中國「十四五計畫」點名列入重點扶植對象而再掀熱議；特斯拉 (Tesla) Model 3 採用 SiC 功率器件及小米科技發佈 GaN 手機充電器，更將之推向高潮。

碳化矽約有四成在車用 (含汽車電子與電動車週邊)，目前業界於電動車較積極導入碳化矽的主要裝置／部件包括主驅逆變器 (inverter) 與車載／車外充電器，儘管 SiC-SBD (蕭特基二極體) 的市場因國際貿易摩擦而放緩，但由於能源、汽車和工業需求維持增長，預計市場將繼續擴大；至於氮化鎵，「製程介面」(基板材料) 是其應用的最大關鍵，分為：碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 和矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 兩種。

延伸閱讀：
《「寬能隙」半導體的現在與未來》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46364.html

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3/4 收復月線了，讚!

2/17 尼克森(3317)

尼克森為國內同時具備高效率電源轉換系統、類比控制IC、高電壓功率元件及特殊半導體製程設計能力之IC 設計公司，產品營收比重為MOSFET佔84%、電源管理IC佔9%、其他佔7%。雖然Q1是傳統淡季，加上受到武漢肺炎疫情影響，使得營運動能較弱，但今(2020)年英特爾、超微等CPU大廠仍將持續推出新平台，搶攻伺服器、PC市場，另外輝達(NVIDIA)亦將在上半年推出新款Ampere繪圖晶片，可望帶動新一波換機、更新潮，並推動MOSFET廠於第二季開始擴大營運動能。

近期智慧手機市場掀起一波氮化鎵(GaN)快充插頭潮，小米最新推出的快充插座(65W快充插頭)全面導入GaN技術，充電速度大幅提升，繼小米之後，OPPO子品牌realme也傳出將跟進，且以標準配備方式隨機出貨，隨著5G智慧手機大力採用快充技術，可望掀起一波GaN快充插頭潮、推動GaN需求全面崛起，對MOSFET廠而言是新應用商機。由於GaN與功率半導體新星的SiC(碳化矽)，具備耐高溫、高功率密度等特性，適合應用在5G基礎建設、電動車及車用電子等終端應用，加上快充需求興起，預料未來GaN/SiC市場將成為功率半導體市場的發展主流；此外，尼克森研發已久的SiC基板高電壓接面位障蕭基二極體(JBS)已經研發完成，2020年將開始量產出貨，成長潛力值得期待。