半導體28奈米製程為何再次火熱？台積電與聯電紛紛加碼

對於台積電來說，擴充28奈米製程主要是增加汽車晶片產能以及因應其他遠距應用所需。對於聯電來說，無論是電源管理、顯示驅動、車用、甚至影像處理器都是採用28奈米製程生產。...

鴻海、比亞迪、IDM風雲會　布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中／綜合報導

新世代半導體發展趨勢風起雲湧，醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」，但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件，GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。

特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻，欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外，中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團，以及台灣EMS龍頭的鴻海集團，紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況，以下為DIGITIMES所作整理。

IDM廠轉向8吋廠生產　凸顯領跑者角色

儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等，力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速，包括意法、羅姆等，近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品，預期2023年上半新品將進入市場。

而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一，目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。

英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出，第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置，GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。

IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整，甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略，目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。

比亞迪、鴻海各自出招　共逐EV、第三代半導體大計

鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出，EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路，未來也可望成為一座「新護國神山」。

新世代化合物半導體潛力高　新護國神山待醞釀

事實上，化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等，穩懋副董事長王郁琦指出，化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等，後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等，在在都需要更多的化合物半導體，也將成為次世代半導體關鍵之一。

整體來看，舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等，囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視，而不管是業界老鳥或集團新兵，組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式，更可能往國家產業戰略方向角度前進，這也回應鴻海總裁劉揚偉所述，台灣已經在矽半導體享有高度成就，如何複製到剛起步的第三代半導體，打造一座「新護國神山」，更是未來產官學研界重點任務。

隊長資料整理：

TrendForce示，2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，第三代半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce研究，氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。

漢民科技集團，控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠，生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產

SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求，研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程，漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高，月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高

漢磊布局化合物半導體超過10年，這將是未來營運主軸，近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展，特別鎖定車用相關，今年已看到成效，由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高，對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀，因為還有很多客戶排隊要產能，「客戶追單仍多，產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈，EPS還未顯現，
詳細更多第三代半導體個股資訊 以及鴻海集團、環球晶集團、廣運集團、穩懋集團等各大集團的布局與精選好股，等待大家來發掘喔。

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全球晶圓代工廠啟動軍備競賽 台積電勝算仍高

在二線晶圓代工族群方面，此次大舉投資也成為焦點，主要是因2021年以來全球半導體供需最為緊俏的莫過於成熟製程，因而客戶也相當關心各家的擴產計畫，並多以長約方式來跟晶圓代工業者進行合作，對於包括聯電、世界先進、力積電等廠商而言，未來擴產後的獲利、產能去化均能獲得保障。...

美國聯準會正式宣布升息，市場預估先前提早從新興市場流出的資金，近期將可望回歸，台灣50成分股優先報喜，包括南亞科（2408）、鴻準（2354）、寶成（9904）漲幅都在半根停板以上，買盤強勁。製鞋三熊當中的寶成擴建新廠有成，加上中國大陸通路布局已顯現具體成效，昨日盤中股價最高衝上43元，終場收在42.95元，上漲了2.3元、漲幅5.66％，總成交量逼近1萬張。
各大類股除了營建(TSE25)小跌作收之外，其餘全面上漲，尤其以金融族群(TSE28)表現最為強勢，新光金(2888)、富邦金(2881)、國泰金(2882)以及中壽(2823)等壽險為主的金融股漲勢最為領先。
電子股中，股王大立光 (3008) 股價跌深後獲得歐系及日系外資力挺，加上蘋果股價也在禮拜三止跌，帶動大立光上漲4.21%收復2200元大關，帶動蘋果供應鏈的宏捷科 (8086) 、鴻準 (2354) 及可成 (2474) 同步大漲。台積電 (2330) 受到ADR(TSM.US)上漲1.49%的激勵，最後一盤湧入萬張買單將股價拉到最高點作收，成為大盤收在最高點的大功臣。聯電 (2303) 董事會通過125.71億元的資本預算執行案，主要用在擴充28奈米製程產能，同時在ADR(UMC.US)上漲1.63%的帶動下, 現股更強彈近3%，收復月線關卡。聯詠（3034）傳出驅動及觸控整合型系統單晶片將在年底正式出貨，有望打入三星智慧型手機供應鏈，利多消息帶動股價開高走高，終場以133元作收、上漲6元，漲幅4.72％。英特爾Skylake新品搭載Type-C，相關概念股祥碩 (5269) 、創惟 (6104) 、F-譜瑞 (4966) 和智原 (3035) 表現紅通通。而太陽能族群Q4營收可望創今年新高，加上美國眾議院同意延長太陽能投資稅收抵免，太陽能股再度發光，昱晶(3514)攻上漲停價位，其他包括昇陽科(3561)、碩禾(3691)、太極(4934)、新日光(3576)、茂迪(6244)、中美晶(5483)以及綠能(3519)漲幅都超過4%。同樣屬於節能產業的LED，則以晶電(2448)股價表現最為強勢，繼前日漲停之後，昨日盤中又一度碰到漲停價位，收盤大漲8.52%，主要是因為晶電身為兩岸LED磊晶龍頭，股價卻還不到每股淨值的一半實在太過委屈，港系外資也認為晶電股價太過偏低。再看到砷化鎵磊晶廠F-IET(4971)同時受惠於幾大趨勢，包括汽車防撞雷達將逐漸被各大車廠列為新車標準配備、明年下半年高速光通訊應用(10G PON)將成為市場主流,帶動磊晶片需求爆量、以及未來高頻5G手機PA有機會採用磷化銦HBT磊晶片等等，股價在昨天開盤不到半小時就直攻漲停。另外，DRAM指標華亞科(3474)在連漲兩根停板之後已經離美光收購價30元大關越來越近，昨天爆出近25萬張天量只小漲0.36%，反而是華亞科大股東南亞科(2408)因為持股華亞科24.2%接棒漲停，以48.15元創下7月7號以來的新高價。其他個別股方面，矽創 (8016) 受惠第四季功能型手機在新興市場需求上升，加上智慧型手機驅動IC逆勢出貨優於預期，以及第四季已經打入三星智慧型手機供應鏈，股價收高將近4%。
現階段的主流族群生技類股(TSE31)也是強強滾，包括東洋(4105)、智擎(4162)、百略(4103)、健亞(4130)股價都有亮眼表現，尤其大江(8436)受惠於保健食品市場回溫，11月合併營收創歷史新高，位於上海金山工業區的S8機能性食品廠一期機能性飲料也正式量產，月產能超過880萬瓶，更是明年中國市場高速成長的重要助力，昨天股價強勢攻頂。
觀光股3強近期展開股王爭霸戰，F-美食 (2723) 仍然穩坐王位，瓦城 (2729) 緊追在後，晶華 (2707) 股價持平當老三。

針對海研五號觸礁原因，目前都在航港局調查中，鄭麗君表示，海研五號具有水密隔艙設計，如果發揮感應器自動化功能可能避免沈船，就算在最嚴重情況也可能延遲沉沒時間而增加逃生機會；沒人願意看見沈船悲劇，也尊重專業調查，但鄭麗君提醒科技部，相關問題不能用「尊重專業」迴避課責，請科技部在預算審議且在法律範圍內以科學專業態度，明確地解釋海研五號事故調查的進度。
鄭麗君指出，海研五號事故對海洋中心年度工作計畫的全面衝擊，顯示了「海洋中心」的不足，我國唯一國家級海洋專門研究單位的業務卻都只環繞在實驗室、實驗船與實驗網的運作，這些固然重要，但海洋研究的豐富性卻遠多於此；若要達到海洋中心的主要任務，勢必得把海洋政策、海洋法、海洋資源開發、海洋保育等研究能量與各大專院校整合；另外「水下文化資產保護條例」雖歸屬在文化部，但文化部可能缺乏專業能量而無法保護文化資產，此時科技部所屬的海洋中心就能妥善協助文化部進行評估。
目前我國對於半導體赴中國投資的審查規範中，是在大陸地區投資晶圓鑄造廠積體電路設計積體電路封裝積體電路測試與液晶顯示器面板廠關鍵技術審查及監督作業要點。以聯電的申請案，目前聯電最新製程為南科12吋廠的28奈米，而到中國參股的12吋廠使用的是40與55奈米，雖是成熟技術，但半導體業的現象是尺寸的推進不固定、製成推進較規律；比12吋更先進的18吋晶圓廠，廠商也得在明年底才進入風險生產階段，因此貿然將40與55奈米當成落後28奈米一個世代以上，其實有極高的風險。台灣的半導體廠商到中國投資，科技部也是關鍵技術小組的成員，請部長好好為台灣的科技業把關。
(備註：民進黨執政時為開放八吋晶圓到中國投資，所制定的｢晶圓廠赴大陸投資有效管理機制｣中，其管理套案由當時的國科會辦理者，包括｢配合大陸投資政策， 強化設備出口管制措施｣、｢政府機構研發成果及科專計畫之管制｣、｢對附屬於管制出口設備之智慧財產權輸出，須經主管機關許可｣、｢大陸投資案件之技術移轉, 須經專案審查｣、｢督促民間企業實施忠誠條款及保密協定並有效管制電子郵件外流｣、｢研議訂定國家科技保護專法｣、｢適當管制高科技人才外流｣、｢半導體產業輔導措施｣等)