#11具有一替換控制閘極及額外浮動閘極之非揮發性記憶體位元單元

具有足夠厚以保持電荷之閘極氧化物之CMOS邏輯裝置可用於浮動閘極NVM位元單元。 ... 在閱讀本發明之後，熟習此項技術者應透過本文中之所揭示原理而瞭解額外替代結構及 ...

於patents.google.com

#1252+ 國立中山大學電機工程研究所碩士論文新式L 型通道之金氧 ...

而儲存在浮動閘極內的電荷會影響記憶體元件，導致臨限電壓. (Threshold Voltage, Vth)上升， ... 首先，在第二章中我們先從基本的MOS 元件操作原理，以及SONOS 非揮發.

於etd.lib.nsysu.edu.tw

#13非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探

一般的非揮發性記憶. 體具備難於寫入的浮動邏輯門設計，例如，若要對. EEPROM進行寫入，在設計上必須將電子穿過晶體閘. 極，這需要使用大功率高電壓。並且EEPROM需要較. 長 ...

於www.tsia.org.tw

#14一、報告摘要

利用FN 穿隧效應的機制使電子注入或拉出浮動閘極，使臨界電壓改變，藉以拉 ... 而我們實驗使用的是FN 穿隧效應，因此以下對其原理做說明。

於implementation.ee.nthu.edu.tw

#15可編程可抹除的非揮發性記憶體

因此，浮動閘極36可視為n型電晶體的閘極，而n型摻雜區域38可視為n型源極摻雜區域與n型汲極摻雜 ... 以下僅介紹參考記憶胞Cref的連接關係及其運作原理，其餘不再贅述。

於ftp

#16快閃記憶體-運作原理

邏輯上，單層NOR Flash單元在預設狀態代表二進位碼中的「1」值，因為在以特定的電壓值控制閘極時，電流會流經通道。經由以下流程，NOR Flash 單元可以被 ...

於eportfolio.lib.ksu.edu.tw

#17淺談記憶體IC

快閃記憶體(Flash)近年來被廣泛使用於各種攜帶式電子產品的儲存單元。 一個快閃記憶體的記憶胞是一個包含浮動閘極(Floating Gate)的單一特殊電晶. 體。快 ...

於beaver.ncnu.edu.tw

#18360501.pdf - 國立交通大學機構典藏

Memory)，其原理是使用多晶矽(Poly-Si)或氮化矽(Nitride)的浮動閘極. 作為電荷儲存單元。當電子由通道注入儲存於浮動閘極後，記憶體元. 件臨界電壓(Threshold Voltage) ...

於140.113.37.243

#19課程清單

課程同時設計理論應用課程與實驗室實作課程，讓您更了解TFT LCD的驅動原理及電路 ... 到障礙，對NAND而言其浮動閘極間的干涉效應(floating gate interference) 以及閘 ...

於saturn.sipa.gov.tw

#20讀取干擾 - 創見資訊

每個快閃記憶體單元，都有浮動閘(floating gate)和控制閘(control gate)，與字元線(word-line; WL)相連；同時，單元中還有源極(source)以及汲極(drain)，單元的源極與 ...

於tw.transcend-info.com

#21矽鍺量子點奈米級記憶元件及陣列之製作與研究

當單電子的電晶體，其以量子效應取代古典電荷的傳輸原理。在此，量子效應的穿隧將單一電子的量化電荷規則化。 目前記憶體元件之特性乃是利用將電子儲存於浮動閘極中， ...

於scholars.lib.ntu.edu.tw

#22功率MOSFET - 维基百科，自由的百科全书

在圖1中可以看到，MOSET的工作原理只要源極連接到N + 區，但源極的金屬化連接了N + 和P + 的注入部份。若有這樣的情形出現，會形成在N摻雜源極以及汲極之間的浮動的P區，可以等效 ...

於zh.wikipedia.org

#23非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探 ... - CTIMES

FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。 ... FRAM的記憶技術原理是，當一電場加到鐵電結晶體時，中心的原子隨著電場方向移動，由於原子 ...

於www.ctimes.com.tw

#24硫族合金 - 政府研究資訊系統GRB

本計畫擬研究含硫族合金之奈米複合薄膜在化合物在非揮發性浮動閘極記憶體（Nonvolatile Floating Gate Memory，NFGM）及氫氣感測器之應用。先期研究顯示，以濺鍍法可製 ...

於www.grb.gov.tw

#25Untitled

本發明之基本原理是,浮動閘極和控制閘極並不是平. 「. 「. 坦地上下互相配置著,而是互相折疊交錯著。分離此 ! -個閘極之介電質以及此二類開極(浮動閘極和控制開.

於patentimages.storage.googleapis.com

#26以巴克球作為浮動閘極之有機非揮發性記憶體

國立交通大學. 電子工程學系電子研究所碩士班. 碩士論文. 以巴克球作為浮動閘極之有機非揮發性記憶體. Organic Nonvolatile Memory Using C. 60. as. Floating Gate ...

於9lib.co

#27MOSFET 和IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 - 德州仪器

文中提供了多种模型来说明MOSFET 的工作原理，不过，找到合适的说明可能并不容易。大多数MOSFET ... 然而，可通过低电压电路元件实施驱动器和浮动偏置，因.

於www.ti.com.cn

#28新型邏輯製程N通道接點耦合閘極多次寫入非揮發性記憶體

摘要隨著可攜式電子產品的蓬勃發展，內嵌式非揮發性記憶體的市場需求量大增，內嵌式非揮發性記憶體的開發逐漸受大家重視，其中，單一複晶矽浮動閘極非揮發性記憶體成為 ...

於140.113.39.130

#29如何為邏輯電路或閘極設計選擇MOSFET - DigiKey

就配置而言，MOSFET 的內部工作原理與BJT 明顯不同，但仍使用增強型或空乏型通道的N 與P 接面，而此位置即是導電處。如需瞭解MOSFET 結構與運作的一般說明 ...

於www.digikey.tw

#30第拾章

分裂閘極式與堆疊式的Flash Cell ·堆疊式晶胞( Stack Gate)： ·分裂閘 ... Couple Ratio 電容耦合原理是為了讓控制閘的電壓傳送到浮動閘所作的方法。

於www.slideserve.com

#31CN1738489A - 浮动闸极式驻极体电容麦克风- Google Patents

本发明提供一种浮动闸极式驻极体电容麦克风，其包含可电连接于电路板上的基座， ... 无论是双晶片式麦克风晶片或是单晶片式麦克风晶片，其工作原理都是利用当外界的声 ...

於www.google.com

#32仿神經型態電子元件:軟性人工突觸電晶體

下降,則為抑制型突觸後電流(inhibitory 動元件電阻之變化,其操作原理是利用電阻 ... 法:(1) 奈米浮動閘極2-24]; (2) 高分子駐或是離子性材料介電層中,都可以成功做.

於www.twiche.org.tw

#33採用增强型矽基氮化鎵功率場效應電晶體(eGaN FET) - EPC Co.

爲了幫助用戶容易從功率MOSFET轉用新一代的電源管理元件，本應用筆記將闡述增强型氮化鎵元件的一般工作原理、閘極驅動器技術、電路的佈局、散熱管理技術和測試産品時所 ...

於epc-co.com

#34EEPROM IC 製程- 結構與操作原理學生:高柏翔. - ppt download

Presentation on theme: "EEPROM IC 製程- 結構與操作原理學生:高柏翔. ... 14 EEPROM操作原理寫入資料:使用高電壓強迫電子注入浮動閘極，代表寫入資料為1。

於slidesplayer.com

#35嵌入式非揮發性記憶體之設計與實作 - NCHU Institution ...

由於新製程的演進使氧化層之厚度持續減小，也造成一般儲存於浮動閘極中的載子容易流失，因此本論文另提出一相容於邏輯製程可多次寫入差動型非揮發性 ...

於ir.lib.nchu.edu.tw

#366-3 高容量資料儲存裝置資料存取之基本原理

6-3-1 硬碟與光碟之基本原理 ... 硬碟與軟碟的工作原理大致相同，平均存取速度卻比軟碟快很多 ... 似MOSFET，但有兩個閘極(控制閘極CG 與浮動閘極FG).

於aries.dyu.edu.tw

#3710 利用浮動閘極電晶體（Floating-Gate Transistor）的記憶細胞 ...

10 利用浮動閘極電晶體（Floating-Gate Transistor）的記憶細胞（Memory Cell）為：(A) SRAM（靜態隨機存取記憶體） (B) EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體.

於www.tikutang.com

#38IEEE IRPS - 2014國際可靠度物理研討會心得(1)— Intel呼籲 ...

... 到高載子速度基板材料；記憶體技術也面臨類似的轉變，由2D轉向3D，由浮動閘極技術 ... 這些特殊的驗證規範，是根據客戶使用經驗、規格需求、晶片本身的操作原理來 ...

於ar-ar.facebook.com

#39floating gate 原理flash產品測試總結 - Bosswu

... 層「氧化矽」厚度比較薄，存取資料的原理是以高電壓(通常大於10V)使電子由左方N型的源極「穿隧(Tunneling)」氧化矽儲存在「浮動閘極(FG：Floating Gate)」；再以高

於www.rakurakulf.co

#40利用差動式閘極驅動晶片精準控制MOSFET - 電子技術設計

而極小的元件封裝，除了能夠使其儘量靠近MOSFET以縮短驅動迴路，更是符合目前高功率密度的設計趨勢。 能夠應用於地準位浮動的電路架構中特性，使產品可以 ...

於www.edntaiwan.com

#4194 學年度專題研究一覽表

閘極 長度的最佳化設計. 簡鳳佐. 陳資翰ARM 架構簡述 ... 側壁浮動閘極結構之複晶矽薄膜電晶體電性量. 測與特性分析 ... 謝益倫Ambipolar Transport 之原理及應用.

於en.fcu.edu.tw

#42隨身碟儲存資料的原理？ - 明亮小站

隨身碟儲存資料的原理為：計算機把二進位制數字訊號轉為複合二進位制數字 ... 一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash ...

於www.mingliang.cool

#43nand gate原理在PTT/Dcard完整相關資訊 - 小文青生活

表示：「現在的浮動閘極(Floating Gate)快閃記憶體技術，. 將會在 ...CN102272850A - 对空间和温度变化的敏感性减少的感测电路和方法...TW.

於culturekr.com

#44浮接Floating 是甚麼? 電路的不確定因素 - 實作派電子實驗室

... 犯的錯誤，但系統大、軟體的Call Stack又深、人手少，有時候就會犯這種錯；硬體的解法，就是在UART RX端加上Pull High電阻，讓輸入電壓不再浮動。

於www.strongpilab.com

#45FAQ | 電源設計技術資訊網站ROHM TECH WEB

針對SiC-MOSFET、模組產品的閘極驅動電路，有推薦的電路接合面構或電路參數嗎？ SiC產品驅動時，閘極訊號 ... 需要串聯數閘極電壓用浮動電源。 ・串聯連接時，導通電阻 ...

於techweb.rohm.com.tw

#46穿隧二極體 - Lll karlsruhe

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属 ... 自旋極化掃瞄式穿隧電子顯微鏡簡介文/ 吳啟彬、徐斌睿、林敏聰當浮動閘極 ...

於lll-karlsruhe.de

#47國立台灣師範大學

3-1-1 氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN) HEMT 原理.................. 9 ... 圖23 (a) 四種結構閘極邊緣效應之電場分佈(b) 四種結構在不同汲. 極電壓下閘極穿隧漏電流…

於rportal.lib.ntnu.edu.tw

#48第一章類比設計導論

處吸引電流，換句話說只有一端是浮動的。 ... 定義一指標為汲極電流變化除以閘極－源極電壓變化，代表 ... 差動對小信號分析方法一：重疊原理.

於120.118.228.134

#49國家教育研究院雙語詞彙、學術名詞暨辭書資訊網

電機工程 · polysilicon float · 多晶矽浮動. 15594, 學術名詞 電機工程 · polysilicon floating gate · 多晶矽浮動閘. 15595, 學術名詞

於terms.naer.edu.tw

#50中国半导体关键一战今曝光！长江存储64层芯片正式量产宣告 ...

再者，过往NAND Flash 的制程结构分为浮动闸极（floating gate）和电荷捕捉（charge trap）两派，彼此原理和特性都大不相同，但Floating Gate 结构一直是2D NAND供应商 ...

於m.cls.cn

#51電腦記憶體的運作方式－ Kanawat Senanan | TED Talk

於www.ted.com

#52中國半導體關鍵一戰！長江存儲64層晶片正式量產，打破國際壟斷

再者，過往NAND Flash 的製程結構分為浮動閘極（floating gate）和電荷捕捉（charge trap）兩派，彼此原理和特性都大不相同，但Floating Gate 結構 ...

於kknews.cc

#53中國半導體關鍵一戰今曝光！長江儲存64層晶片正式量產

再者，過往NAND Flash 的製程結構分為浮動閘極（floating gate）和電荷捕捉（charge trap）兩派，彼此原理和特性都大不相同，但Floating Gate 結構 ...

於www.gushiciku.cn

#54成功大學電子學位論文服務

實驗一，先是以聚甲基丙烯酸甲酯做為浮動閘的材料，其結構為n^+型矽(閘極)/二氧化矽(介電層)/聚甲 ... 2-1 固態鈣鈦礦太陽能電池結構與工作原理...................16

於etds.lib.ncku.edu.tw

#55碳化矽電力電子系統中的有效訊號量測

量測SiC電源裝置的閘極電壓是極具有挑戰性的任務，因為這是一個低壓 ... 會導致示波器的金屬外殼浮動至匯流排電壓上，並嚴重威脅操作人員的安全。

於www.eettaiwan.com

#56新兴存储器之技术动态探析- 手机硬件和基带

新兴的储存原理及结构了解角度与层次的差异后，本文的重点将放在新兴存储器领域， ... 事实上，一直以来的主流运用结构为浮动闸极，但是随着制程尺寸不断缩小后，浮动 ...

於www.edatop.com

#57nand gate原理在PTT/Dcard完整相關資訊

表示：「現在的浮動閘極(Floating Gate)快閃記憶體技術，. 將會在 ...[PDF] 行政院國家科學委員會專題研究計畫期末報告- eTop-工程科技推展平台waveguide logic gate ...

於digitalsolute.com

#58功率MOSFET

功率MOSFE的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。 ... 功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在電力電子學，是源自信號 ...

於www.wikiwand.com

#59美光新加坡Fab 10A闪存工厂完成扩建 - 华强商城

美光第三代96层3D NAND已进入量产，第四代128层3D NAND将由浮动闸极（floating gate）转向替换闸极（replacement gate）过渡，Sanjay Mehrotra强调， ...

於www.hqbuy.com

#60新兴存储器之技术动态探析 - 百度文库

所谓「储存原理的不同」，即是从最根基的位元记忆方式就有差别，DRAM 将位 ... 事实上，一直以来的主流运用结构为浮动闸极，但是随着制程尺寸不断缩小 ...

於wenku.baidu.com

#61可變電容二極體 - 乾酪條好市多

2 鉭質：成本高、電容量小、漏在閘極與基板本體（和源極相接）間慢慢加上正 ... 這並不奇怪，駐極體麥克風的工作原理就是使介電層有意地保留電荷。

於2611202123.ammip.ru

#62二進位的世界：記憶體發展簡史/ DDR4 VS. DDR3 效能評測

這層金屬浮動閘的上下兩側皆屬絶緣體，因此除非再度施加反向電壓，否則電子會一直保存在裡面，因此與DRAM相比，擁有即使斷電資料也不會消失的優點。 這個原理和前文所述 ...

於www.computerdiy.com.tw

#63快閃記憶體原理網站相關資料 - APP開箱王

尋找快閃記憶體原理全球線上資料來【APP開箱王】提供各種開箱文與瞭解闪烁的 ... 即可進入下快閃記憶體(Flash Memory)技術發展已有20 多年餘，其浮動閘極(Floating.

於appfiiser.gounboxing.com

#64消除Buck轉換器中的EMI問題

在理想狀況下，輸入、輸出電容對於Buck轉換器的開關電流來說都具有極低的阻抗。 ... Q1是受浮動驅動器驅動的，該驅動器的供電來自於自舉電容Cboot。在集成化的Buck轉換 ...

於www.richtek.com

#65ROM:ROM是唯讀記憶體（Read-Only Memory）的簡稱，是

... 記憶胞都具有一個“控制閘”與“浮動閘”，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行編程動作。 ... 根據存儲單元工作原理的不同，RAM又可分為靜態存儲器（SRAM）和動態 ...

於www.easyatm.com.tw

#66矽晶・電子智慧科技的核心

以水道及水閘門模擬MOSFET 電晶體的操作原理 ... 的失敗，終於提出一種新的五層閘極結構儲存. 電子訊號，那就是第一個浮閘 ... 是浮動電位狀態，因此稱為「浮閘」。下.

於web.most.gov.tw

#67AN-6076 高压栅极驱动IC 自举电路的设计与应用指南

电路必须允许浮动高端和接地低端电路之间存在高电压 ... 2.2 自举式驱动电路工作原理 ... 根据开关时间tsw，选择导通闸极电阻Rg(ON). ，以获得所.

於m.onsemi.cn

#68奈米技术— 浅谈3D NAND 快闪记忆体发展 - 豆丁网

... NAND 篇幅之故，對於NAND操作原理與其資料儲存的機制，將不會在此文章中 ... 記憶體晶胞使用浮動閘極還是SONOS，都有個別的研究活動，只是從研發 ...

於m.docin.com

#69Mosfet 23 p substrate p 通道n bulkjfet p

表 2-1 為浮動閘極與基體推動技術的比較表 [13] ： 表 2-1 浮動閘極 MOSFET 及基體推動 ... 傳統的能帶隙參考電壓原理如圖3-6所示，首先以 pn 接面順向導通產生 V BE ...

於www.coursehero.com

#70國立宜蘭大學數位學習園區

1022_微處理機原理(BET0044). 報名期間：從即日起 到無限期 上課期間：從即日起 到無限期. 登入後報名. 課程介紹; 課程安排. 微處理機發展簡史. 多核心微處理器.

於eschool.niu.edu.tw

#7109/12/06 - temporary

就在一兩年前，業界曾認為高k閘極氧化物會在2007年達到應用高潮，而最早一 ... 蔡銘進解釋說，“DRAM的基本原理是利用一個電容再加上一個電晶體組成的 ...

於temporary-stra.blogspot.com

#72國立成功大學「邁向頂尖大學計畫」 延攬優秀人才工作報告表

是由重摻雜n 型矽(閘極)/二氧化矽(介電層)/量子點-聚甲基丙烯酸甲酯混合薄膜(浮動閘及穿隧層)/並五苯. (通道層)/金(汲極與源極)的結構所構成，其元件開關特性被證實是 ...

於140.116.207.99

#73第二部分歷屆試題與解析.339.

盪之頻率,穩定且精準(B)利用壓電效應原理,產生振 ... 效電路中,其互導(transconductance) gm與其閘極之寬 ... 在快閃記憶體的記憶胞結構中,浮動閘的功用為何?

於www.ting-wen.com

#74RRAM 缺點完整相關資訊 - 數位感

[PDF] 檢視/開啟- 中華大學但缺點為極化疲勞的現象，. 以及絕緣層在結構縮小化所造成的不必要漏電流等。 ... 因此我們採用浮動閘極之結構，進而改善以上缺點。

於timetraxtech.com

#75碳化矽(SiC) 電力電子系統中的有效訊號量測–– - Tektronix

量測SiC 電源裝置的閘極電壓是極具有挑戰性的任務，因為 ... 敗，會導致示波器的金屬外殼浮動至匯流排電壓上，並嚴重. 威脅操作人員的安全。

於download.tek.com

#76TLC 基本知識科普及Android >IOS 心歷路程 - Mobile01

Flash 資料書寫基本原理. Flash 記憶體主要是靠"浮動閘極(Floting gate)" 中儲存的電荷(電子)對源-受極間的N通道中的電子產生排斥力，使通道內導電載子淨空，以致無法 ...

於www.mobile01.com

#77硬碟上的資料是否有重量？ - iT 邦幫忙

閃存的工作原理閃存的基本原理在1980年代之後基本就沒有變化過。它的構成和場效應管(MOSFET)十分類似： 閃存的工作原理1. 它由：源極（Source）、漏極（Drain）、浮動 ...

於ithelp.ithome.com.tw

#78雙閘板閘閥- 工作原理 - 中文百科全書

閘閥:平行式雙閘板閘閥適用於介質為水、污水的管路上作閉路設備用，不允許作調節流量和排空使用。廣泛適用於石油、化工、製藥、電力等行業。

於www.newton.com.tw

#79Boot电容(自举电容)的工作原理-面包板社区 - 电子工程专辑

如此下去，长时间在MOS的Drink极与Source间通过的是一个N倍于工作频率的高频脉冲，这样的脉冲尖峰在MOS上会产生过大的电压应力，很快MOS管会被损坏。如果 ...

於www.eet-china.com

#80MOSFET 栅极驱动电路

概述：. 本文档说明了功率MOSFET 的栅极驱动电路。 ... 使用光电耦合器和浮动电源. ... 常规的双极晶体管是电流驱动器件，而MOSFET 是电压驱动器件。

於toshiba.semicon-storage.com

#81穿隧二極體

隧道二極體（英語： Tunnel Diode ），又稱江崎二極體、 穿隧效應二極體、 穿隧二 ... 自旋極化掃瞄式穿隧電子顯微鏡簡介文/ 吳啟彬、徐斌睿、林敏聰當浮動閘極結構之 ...

於artist-fest.ru

#82浅谈情绪管理（二）| 提升情绪觉知力有助于你变得真正开心

我们当下产生的任何情绪，都可以理解成来源于我们在过去曾经给别人造成过类似的情绪，这个就是《金刚经》里面的“种瓜得瓜，种豆得豆”的原理。

於sunnews.cc

#83穿隧二極體

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体 ... 自旋極化掃瞄式穿隧電子顯微鏡簡介文/ 吳啟彬、徐斌睿、林敏聰當浮動閘極結構之快 ...

於lepsivynosy.cz

#84天津塘沽区收天车，成都二手航吊花架龙门 - 全球五金网

... 来说，大型的起重机都采用滑轮或者杠杆原理，可以起吊自己几倍的货物。 ... 轨道，并经引导轮支架、导钳轴带动夹轨器整体在固定轴沿轨道面浮动。

於www.wjw.cn