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[爆卦]日立碳刷是什麼？優點缺點精華區懶人包

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「日立碳刷」的推薦目錄
  • 津津電動工具直播拍賣

    日立碳刷 在 津津電動工具直播拍賣 Facebook 的精選貼文

    2020-04-16 10:31:52
    有 34 人按讚

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    👉適用材料：木材135mm、低碳鋼板10mm、不銹鋼3.2mm
    👉配備無刷馬達
    👉模式：普通模式/自動模式
    👉更換鋸片免使用工具
    👉行程數：800-3500/min（回/分）
    👉行程量：26mm
    👉最小切割半徑：25mm（無導板）
    👉傾斜切割角度：277*206*81mm（含BSL36A18）
    👉重量：2.7kg（含BSL36A18,不包括刀片）
    👉可用的蓄電池：MV電池（有剩餘電量顯示）
    👉蓄電池（MV）型號：BSL36A18
    👉電壓容量：36V-2.5Ah/18V-5.0Ah
    👉充電時間：大約32分鐘（使用UC18YSL3）
    👉充電器型號：UC18YSL3（具有冷卻功能）
    👉標準配件：電池（BSL36A18*2）,充電器（UC18YSL3）,41號鋸片，六角板手，刀片板，芯片蓋，電池蓋，手提箱
    。
    看到這裡是不是已經心動了？
    那就趕快留言/私訊小編👇👇👇

  • COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

    日立碳刷 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的精選貼文

    2019-04-24 14:30:00
    有 55 人按讚


    #電源設計 #功率器件 #智慧功率模組IPM #寬能隙WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #閘門驅動器

    【高壓、大動力系統，SiC 撐場】

    當人們將 SiC 與 GaN 相提並論時，除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外，就功率器件而言，現階段在應用取向仍有分野：SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正 (PFC)、尤其是上千伏特 (V) 的高壓電源產品；而 GaN 多用於高功率密度 DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體 (HEMT) 以及 600V 以上的 HEMT 混合串聯開關。

    SiC 在相同尺寸下可帶來更高的電壓擊穿性能，在失效前可承受更高的溫度，即使在高溫或低電流下也能實現「低導通損耗」，使得 SiC 器件能耐受 200℃ 工作溫度，也可避免低負載或空載時的無謂浪費，因而成為太陽能和汽車的新勢力；SiC SBD 常用於太陽能，而 SiC MOSFET 則用於高功率電源、驅動電子開關、智慧工控和車輛電氣化等。

    SiC 功率器件的較高 dV/dt 額定值也帶動「隔離」需求，意在更好地控制電磁干擾 (EMI) 標準。利用電容隔離技術大幅延長絕緣層 (insulation barrier) 的使用壽命、簡化設計並實現更高的系統可靠度，大幅節省能耗、監控高壓系統，並對過電流事件提供有效保護。值得留意的是，SiC 在 PFC、UPS、消費電子和電動汽車等 900V 以下低電壓產品正面對 GaN 的強悍搶市，轉攻 1200V 以上市場；為彌補成本並最大化利潤，供應商正努力提供系統級解決方案、而非單純組件。

    高性能材料亦會導致印刷電路板 (PCB) 佈局變得更加困難，「虛擬原型」的佈局後分析是管理這一挑戰的理想選擇，但前提是須具備複雜的通用電磁場解算專業。為簡化開發工作，量測廠商將開關模式電源 (SMPS) 設計的效果予以「可視化」，讓工程師無需花費時間建構和測試原型。

    延伸閱讀：
    《碳化矽：損耗低、導熱佳，支撐 kV 等級的高壓應用》
    http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41525.html
    (點擊內文標題即可閱讀全文)

    #科銳Cree #Wolfspeed #羅姆半導體Rohm #英飛凌Infineon #意法半導體ST #通用電氣GE #富士電機FujitsuElectronics #電裝Denso #豐田汽車ToyotaMotor #豐田中央研究所CRDL #三菱Mitsubishi #松下Panasonic #住友電氣SumitomoElectric #日立Hitachi #世紀金光半導體CenturyGoldray #株洲中車時代電氣CRRCTimesElectric #中國國家電網SGCC #電子科技大學Uestc #瀚薪科技HestiaPower #亞德諾ADI #UnitedSiC #德州儀器TI #是德科技Keysight

  • COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

    日立碳刷 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文

    2019-04-23 08:00:00
    有 56 人按讚


    #電源設計 #功率器件 #智慧功率模組IPM #寬能隙WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #閘門驅動器

    【高壓、大動力系統，SiC 撐場】

    當人們將 SiC 與 GaN 相提並論時，除了高效率、低損耗、小型化等共通優點外，就功率器件而言，現階段在應用取向仍有分野：SiC 多用於消耗大量二極體的功率因素校正 (PFC)、尤其是上千伏特 (V) 的高壓電源產品；而 GaN 多用於高功率密度 DC/DC 電源的高電子遷移率電晶體 (HEMT) 以及 600V 以上的 HEMT 混合串聯開關。

    SiC 在相同尺寸下可帶來更高的電壓擊穿性能，在失效前可承受更高的溫度，即使在高溫或低電流下也能實現「低導通損耗」，使得 SiC 器件能耐受 200℃ 工作溫度，也可避免低負載或空載時的無謂浪費，因而成為太陽能和汽車的新勢力；SiC SBD 常用於太陽能，而 SiC MOSFET 則用於高功率電源、驅動電子開關、智慧工控和車輛電氣化等。

    SiC 功率器件的較高 dV/dt 額定值也帶動「隔離」需求，意在更好地控制電磁干擾 (EMI) 標準。利用電容隔離技術大幅延長絕緣層 (insulation barrier) 的使用壽命、簡化設計並實現更高的系統可靠度，大幅節省能耗、監控高壓系統，並對過電流事件提供有效保護。值得留意的是，SiC 在 PFC、UPS、消費電子和電動汽車等 900V 以下低電壓產品正面對 GaN 的強悍搶市，轉攻 1200V 以上市場；為彌補成本並最大化利潤，供應商正努力提供系統級解決方案、而非單純組件。

    高性能材料亦會導致印刷電路板 (PCB) 佈局變得更加困難，「虛擬原型」的佈局後分析是管理這一挑戰的理想選擇，但前提是須具備複雜的通用電磁場解算專業。為簡化開發工作，量測廠商將開關模式電源 (SMPS) 設計的效果予以「可視化」，讓工程師無需花費時間建構和測試原型。

    延伸閱讀：
    《碳化矽：損耗低、導熱佳，支撐 kV 等級的高壓應用》
    http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41525.html
    (點擊內文標題即可閱讀全文)

    #科銳Cree #Wolfspeed #羅姆半導體Rohm #英飛凌Infineon #意法半導體ST #通用電氣GE #富士電機FujitsuElectronics #電裝Denso #豐田汽車ToyotaMotor #豐田中央研究所CRDL #三菱Mitsubishi #松下Panasonic #住友電氣SumitomoElectric #日立Hitachi #世紀金光半導體CenturyGoldray #株洲中車時代電氣CRRCTimesElectric #中國國家電網SGCC #電子科技大學Uestc #瀚薪科技HestiaPower #亞德諾ADI #UnitedSiC #德州儀器TI #是德科技Keysight

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