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在 室溫超導體應用產品中有3篇Facebook貼文，粉絲數超過2萬的網紅余海峯 David . 物理喵 phycat，也在其Facebook貼文中提到， 【科普文分享】研究首發現近室溫超導體 可在 15°C 無損耗輸電／Alan Chiu 然而依然需要超高壓才行😀 //超導體研究又有新突破。最新刊於《自然》的研究指，首次實現了在室溫下無電阻的電流流動，而該溫度為 15°C ，打破之前「最暖」的有物質出現超導性的記錄。 領導該研究的羅徹斯特大學物...
室溫超導體應用 在 余海峯 David . 物理喵 phycat Facebook 的最佳貼文
【科普文分享】研究首發現近室溫超導體 可在 15°C 無損耗輸電／Alan Chiu
然而依然需要超高壓才行😀
//超導體研究又有新突破。最新刊於《自然》的研究指，首次實現了在室溫下無電阻的電流流動，而該溫度為 15°C ，打破之前「最暖」的有物質出現超導性的記錄。
領導該研究的羅徹斯特大學物理學家 Ranga Dias 表示，由於低溫限制，具有如此卓越性能的材料，並未如許多人想像般可完全改變世界。然而團隊的發現打破這個障礙，並為許多超導體潛在的應用打開大門。//
室溫超導體應用 在 國立清華大學National Tsing Hua University Facebook 的最讚貼文
來開箱清華材料系葉均蔚教授打造飛碟......
呃，不是，是製作「高熵合金」的實驗館啦👽👀🤩
葉均蔚教授創造了「高熵合金」的理論，他突破傳統金屬學、混合多種金屬，開創了全新的材料研究及應用領域✨
但混合多種金屬這個研究方向，在二十多年前，是不被看好的瘋狂想法😲
當年敢與所有人「走反方向」的科學家葉均蔚教授，從1995年開始研究高熵合金，九年後才一口氣發表5篇論文，目前已累計140多篇，享譽國際，人稱 #高熵合金之父 😍
葉教授說：「『熵』這個字，不只是一種現象，還是一種哲學。」
「為了讓大家更了解什麼是高熵，我做了一首『高熵合金之歌』」
🎤歡迎點播 #高熵合金之歌：https://youtu.be/Vop07Qyo0no
(( 有網友留言：要唸書前聽一次總能讓我靜下心來
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🔖葉均蔚被媽祖看衰3次… 高熵合金狂人再戰「造飛碟」
https://www.upmedia.mg/news_info.php?SerialNo=81435
(( 製作飛碟所需的材料，就差室溫超導體了🤩（編編劃錯重點）
🔖有一種哲學叫做「熵」 MIT煉金博士唱給你聽
https://www.upmedia.mg/news_info.php?SerialNo=81436
(( 葉教授在清華從念書到教書生活了46年💜
🔖清華首頁故事：
頂尖科學家齊聚台灣 高熵合金研究邁向新紀元(2016.11.14)
http://www.nthu.edu.tw/hotNews/content/114
室溫超導體應用 在 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所 Facebook 的精選貼文
交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智以及交通大學電子系教授暨國際半導體產業學院副院長陳冠能團隊，與美國UCLA杜經寧院士合作，在微電子封裝業的研究有重大突破。
2015-06-03 交大研發第五代高階電子封裝技術 低溫(150 oC)及低壓下之銅-銅直接接合
交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智以及交通大學電子系教授暨國際半導體產業學院副院長陳冠能團隊，與美國UCLA杜經寧院士合作，在微電子封裝業的研究有重大突破。團隊利用特殊電鍍技術，發展低溫低壓的銅銅接合技術，若未來進一步提升反應速度與均勻度，將有望取代銲錫，成為繼打線接合、捲帶自動接合、覆晶封裝技術、微凸塊/矽穿孔電鍍後的第五代電子封裝技術。
交通大學材料系特聘教授暨奈米學士班主任陳智表示，2012年團隊利用特殊電鍍技術，製備具有高度(111)優選方向的奈米雙晶銅金屬膜 (當時發表於Science期刊)。因為(111)面為最密堆積平面，其平面上的銅原子擴散速度較快的特性，團隊開始發展低溫低壓的銅銅接合技術，目前已經可以成功在一般真空環境(10-3 torr)下，以低溫(150 oC)低壓(小於1MPa)進行銅-銅接合，接合過程可在60分鐘內完成(如下圖)。此溫度已經遠低於一般無鉛銲錫迴銲的溫度，若將溫度提昇至250 oC，將可在十分鐘內接合完成，此一令人振奮的結果在銅-銅接合發展上，是一重大突破，並已發表於五月出版的科學報導(Scientific Reports)。
研究團隊表示，現今半導體界的發展乃跟隨著摩爾定律的曲線，但預期即將達到微影技術及材料的物理極限，無法再繼續微縮。而三微積體電路(3D IC)技術低耗能及高傳導的優點，被預期能使各大廠繼續維持在摩爾定律上的技術，並且能大幅減少元件尺寸。現今3D IC 技術中，因銲錫具有低熔點及製程簡單的優點，所以自1969年以來被廣泛應用於半導體元件中的接點，但在大家不斷追逐體積縮小的效應下，會造成機械性質較脆、導熱速度慢。因此，使用焊錫接點在3D IC的應用會引發許多可靠度的問題。
銅具有非常好的導電率與導熱係數，但因熔點為1083 oC，要將兩片銅膜直接接合有其難度。過去銅接合的研究指出可在超高真空(10-8 torr)的環境下，將兩片經過氬離子束表面活化且具有高平整度的銅膜，可在室溫且不需施加壓力的情況下做接合。但由於此方法需要超高真空(10-8 torr)的環境，對於業界來說所需耗費的成本過高。此外，也有研究提出可在一般的真空(10-3 torr)環境下，利用300oC的熱壓可接合兩片銅膜，但300oC的溫度對於業界實際應用來說溫度還是過高。除了熱預算對成本及可靠度的影響外，有些應用例如CMOS image sensor，希望其接合溫度能降低到200 oC以下。綜合以上所述，銅直接接合技術要能實際應用在業界，必須符合兩個要求: (1)一般的真空環境下(10-3 torr)、(2)接合溫度需低於300 oC。
交大研究團隊成功研發在一般真空環境(10-3 torr)下，以低溫(150 oC)低壓(小於1MPa)進行銅-銅接合，實為學術與產業界一大突破。更難能可貴的是，此一研究為台灣團隊主導，實驗也都在台灣完成，足以證明交大與台灣的研究水準具世界級競爭力。此技術已經獲得台灣發明專利，並同時申請美國及德國專利。
本研究是台灣團隊主導，研究水準具世界級競爭力
此研究由交通大學材料系陳智教授與電子系陳冠能教授領導，團隊成員包含交通大學材料系博士後研究員劉健民博士、蕭翔耀博士，與博士班學生劉道奇、林漢文、呂佳凌、黃以撒，碩士班學生呂典融，以及加州大學洛杉磯分校，同時也是中研院院士杜經寧教授等人，所有的實驗都在台灣完成。
秘書室
科學新知
http://nctunews.nctu.edu.tw/index.php/component/…/913-150-oc
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