特斯拉推出第三代太陽能屋瓦，更容易安裝、目標量產每週 1,000 組，儲能產品表現佳年成長高達 99%！（10/28/2019 TechNews科技新報）

（作者 Daisy Chuang）經過一二代的摸索與嘗試，特斯拉日前推出對外預告許久的第三代太陽能屋瓦（Solar Roof ），目前已開始接受預訂，更聲稱將達成每週生產 1,000 組量產目標。

特斯拉的太陽能屋瓦乍看之下就是一般的瓦片，但其實是內部嵌入高效太陽能電池的強化玻璃瓦片，設計主要是將日光轉換成電力之餘，也能配合住家建築風格、保有美觀。

特斯拉在 2016 年以 26 億美元購併太陽能供應商 SolarCity 後，在同年 10 月底推出四種不同樣式的第一代太陽能屋頂，讓屋主可依自家住宅設計選擇不同的太陽能屋瓦，只不過目前只有紋理與平滑型瓦片上市，且產量跟裝置量也不多。

馬斯克（Elon Musk）對此表示，先前我們還在摸索與嘗試，而新推出的第三代已經準備好大放異彩了。

針對新一代太陽能屋瓦的發電效率，特斯拉也指出單體效率可能會不如傳統的太陽能板，但太陽能屋瓦裝設面積較廣，因此整體發電量還是比較高，除此之外，由於太陽能屋瓦是由強化玻璃製成，耐用性是一般瓦片的三倍以上，只可惜保固期不到先前預告的 30 年，一樣是 25 年左右。

與一二代相比，第三代太陽能屋瓦更容易安裝，馬斯克則希望能進一步加速裝設速度，最終超越傳統屋瓦。不過目前第三代太陽能屋瓦只有黑色版本，盼能先在此外觀達成大規模量產，不過特斯拉也指出，希望未來能每隔 6 到 9 個月就推出新的外觀設計。

第三代太陽能玻璃屋頂正接受預訂，部分的安裝工程也已在進行中，現階段目標是達成每週安裝1,000 座屋頂，馬斯克表示，新產品是針對想要翻新屋頂的屋主。對於剛翻新或是屋頂尚全新的屋主，太陽能屋瓦的經濟效益可能不高，但對於大多數人來說，太陽能屋瓦比翻新屋頂並加裝太陽能板還要便宜。

目前為了讓潛在消費者估算成本，特斯拉也有在美國版的官網置入成本計算機，像是 56 坪含 10KW 太陽能板大約需要花費 42,500 美元等，也可以輸入地址考量當地的政策鼓勵或是成本，最後還不忘推銷一番電池儲能系統 Powerwall。

特斯拉儲能產品表現佳年成長高達 99%

特斯拉第三季轉虧為盈，其中太陽能裝置量在連續 3 季的下跌後，終於在第三季上升，裝置量提高到 43MW，而特斯拉的儲能系統一如既往地表現良好，新增裝置量再創新高至 477MWh，與去年相比成長幅度高達 99%。

特斯拉的儲能系統裝置已連續好幾季推升，特斯拉 Powerwall 和 Powerpack 部門第二季裝置量增長 81% 達 415 MWh，第三季又創新紀錄來到 477MWh，這也就代表截至第三季，今年特斯拉已經裝設超過 1GWh 容量的電池儲能系統。

特斯拉大力發展電池儲能系統領域，除了致力發展自製電池團隊、發展家用儲能系統，在電網級儲能系統也頗有心得，像是特斯拉在 7 月推出大型電池產品「Megapack」，可以一口氣儲存 3MWh 電力，儲電量是特斯拉另一儲能系統 Powerpack 的 14 倍，預估容量超過 1 GWh 的超級電池組能滿足舊金山所有家庭 6 小時用電需求。

特斯拉在第三季財報也指出，預計 Megapack 會在 2019 年第四季開始供貨。目前特斯拉也與太平洋瓦電公司（PG&E）攜手合作，預計要利用 Megapack 打造 182.5 MW / 730 MWh 的電池儲能廠，有望在 2020 年底併網。

本月 15 日特斯拉也宣布，2020 年春季將在日本正式推出 Powerwall 家用儲能電池系統，產品將首次在亞洲亮相。

至於太陽能狀況，或許是特斯拉先前降價、24hr 到府裝設、太陽能租用服務 Rent Solar 等一系列的補救有效，第三季新增裝置量與第二季的 29MW 谷底相比，已經增加到 43MW，目前特斯拉在市場的位置僅次 Sunrun 和 Vivint，名列第三。

根據 Wood Mackenzie Power & Renewables 的報告，以過去一年的安裝狀況來看，特斯拉在美國住宅太陽能的占比約 4% 到 6%。

特斯拉旗下的太陽能屋瓦產品（Solar Roof）也將傳來好消息，預計在美國時間 24 日下午推出第三代太陽能屋瓦。其中特斯拉太陽能瓦片可直接當作屋瓦，與屋頂一體成形，對整體美觀不會產生任何影響。

特斯拉表示，團隊即將完成 Solar Roof V3，聲稱是兼具美感與性能的太陽能電池屋瓦，使用壽命更高達 30 年，除此之外，不像過去的太陽能屋瓦難以量產，團隊相信能推出可量產、更便宜的 V3 版本。馬斯克對此表示，新展品已準備就緒。

完整內容請見：
https://technews.tw/2019/10/28/solar-roof-v3

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TrendForce 發布 2020 年 10 大科技趨勢

作者 TechNews | 發布日期 2019 年 10 月 02 日 14:40 |

全球市場研究機構 TrendForce 針對 2020 年科技產業發展，整理 10 大科技趨勢，內容請見下文。

AI、5G、車用三箭頭，帶動半導體產業逆勢成長

2019 年在中美貿易戰影響下，全球半導體產業呈現衰退。展望 2020 年，儘管市場仍存在不確定性，但在 5G、AI、車用等需求挹注下，將帶動半導體產業逐漸脫離谷底。IC 設計業者將導入新一代矽智財、強化 ASIC 與晶片客製化能力，並加速在 7 奈米 EUV 與 5 奈米的應用。在製造方面，7 奈米節點的採用率增加，5 奈米量產及 3 奈米研發的時程更加明朗，先進製程製造的占比將進一步提升。此外，化合物半導體材料如 SiC、GaN 與 GaAs 等，具備耐高電壓、低阻抗與切換速度快等特性，適合用於功率半導體、射頻開關元件等領域，在 5G、電動車等應用備受重視。最後，由於晶片線寬微縮及運算效能提升，使先進封裝技術逐漸朝向 SiP（系統級封裝）方向發展；相較於 SoC（系統單晶片），SiP 的組成結構更靈活且具成本優勢，更能符合 AI、5G 與車用等晶片的發展需求。

DRAM 往 EUV 與下世代 DDR5 / LPDDR5 邁進，NAND 突破 100 層疊堆技術

現有 DRAM 面臨摩爾定律已達物理極限的挑戰，製程已來到 1X / 1Y / 1Znm，進一步微縮不僅無法帶來大量的供給位元成長，反而成本降低的難度提升。DRAM 廠目前在 1Y 與 1Znm 製程將開始將單顆晶片顆粒的容量由現有主流 8Gb 提升至 16Gb，使得高容量模組的滲透率逐漸升高，並且有機會在 1Znm 開始導入 EUV 機台，逐漸取代現有的 double patterning 技術。以 DRAM 的世代轉換來說，DDR5 與 LPDDR5 將在 2020 年問世，進行導入與樣本驗證，相較於現有的 DDR4 / LPDDR4X 來說，將會更省電、速度更快。

NAND Flash 市場將首次挑戰突破 100 層的疊堆技術，並將單一晶片容量從 512Gb 提升至 1Tb 門檻。主要為因應 5G、AI、邊緣運算等持續發展，除了智慧型手機、伺服器/ 資料中心需要更大的儲存容量外，更要求單一儲存裝置的體積進一步微縮。除了 NAND Flash 晶片的進化，智慧型手機上儲存介面也會從現有 UFS 2.1 規格，升級至更快速的 UFS 3.X 版本。在伺服器 / 資料中心方面，SSD 產品也會導入比 PCIe G3 速度與效能快 1 倍的 PCIe G4 介面。兩樣新產品明年將鎖定高階市場。

5G 商用服務範圍擴大，更多硬體終端問世

2020 年全球通訊產業發展重點仍為 5G，不論晶片大廠高通、海思、三星與聯發科等，亦或設備商華為、Ericsson 與 Nokia 等將推出各種 5G 解決方案搶攻市場。在網路架構發展上以獨立（Standalone，SA）5G 技術為主，包括 5G NR 設備和核心網路需求提升。SA 網路強調無線網、核心網和回程鏈路架構，支援網路切片、邊緣計算等，在上行速率、網路時延、連接數量均符合 5G 規範性能。另外，隨著 2020 年上半年 R16 標準逐步完成，各國電信營運商規劃 5G 網路除在人口密集大城市外，也會擴大服務範圍商用，預計將看到更多 5G 終端或無線基地台等產品問世。

全球 5G 手機滲透率有望突破 15%，中國廠商市占逾半

2020 年智慧型手機的外觀設計重點仍圍繞在極致全螢幕，進而拉升螢幕下指紋辨識搭載比例提高、螢幕兩側彎曲角度加大，以及螢幕下鏡頭的開發。此外，記憶體容量規格提高，以及持續優化鏡頭功能，包含多個後鏡頭、高畫素等，也是開發重點。至於 5G 手機的發展，隨著品牌廠積極研發，以及中國政府推動 5G 商轉，明年 5G 手機的滲透率有機會從今年不到 1%，一躍至 15% 以上，而中國品牌的 5G 手機生產總量預計將取得過半市占。然而 5G 通訊基地台的布建進度、電信營運商的資費方案以及 5G 手機終端定價才是決定 5G 手機是否能吸引消費者購機的關鍵。

高刷新率手機面板需求看增，平板成為 Mini LED 與 OLED 新戰場

在手機面板方面，目前 OLED 或 LCD 面板的規格已經能滿足各類消費者的需求，然而伴隨著 5G 布建展開，其高傳輸效率與低延遲的特性，除了改善手機內容的動態表現，也開創手機在 AR 等其他領域的應用，帶動 90Hz 甚或是 120Hz 面板的需求。

另外，以最熱門的電競應用來看，除了既有的高刷新頻率面板，透過 Mini LED 背光增強對比表現的更高階產品，量產的條件也越來越充裕。而在採用 LCD 多年後，市場也傳出 2020 年的 iPad 可能同步推出採用 Mini LED 背光與 OLED 這類增強畫質表現的面板技術，讓平板成為 OLED 與 Mini LED 另一個發展契機。

顯示器產業供過於求，Micro LED 開創新藍海

從 Micro LED 自發光顯示器進展來看，越來越多面板廠商推出玻璃背板的 Micro LED 方案，但由於良率問題，目前模組最大做到 12 吋，更大尺寸的顯示器則是透過玻璃拼接的方式實現。儘管短期內 Micro LED 的成本仍居高不下，但由於 Micro LED 搭配巨量轉移技術可以結合不同的顯示背板，創造出透明、投影、彎曲、柔性等顯示效果，未來將有機會在供過於求的顯示器產業當中，創造出全新的藍海市場。例如，若結合可摺疊顯示螢幕方案，Micro LED 因為材料結構強健，不需要很多保護層，也不需要偏光處理，或許是一個適合切入的領域。

TOF 方案的 3D 感測模組搭載率提升，有利未來 AR 應用發展

相較於結構光，TOF（Time of Flight）技術門檻較低，且供應商較多元，因此 TOF 模組成為手機後置多鏡頭的選項之一。雖然 2020 年 3D 感測並沒有明顯的新應用出現，但預計會有更多品牌廠商願意增加搭載 TOF 模組的機種，帶動 TOF 的 3D 感測模組在智慧型手機的普及度逐步提高。而隨著 iPhone 在內的智慧型手機開始搭載 TOF 模組，透過提供更精準的 3D 感測和影像定位，強化 AR 效果，將提高消費者使用 AR 應用的動機，並吸引更多開發商推出更多 AR 應用程式，進一步提升對 3D 感測模組的需求。

感測能力與演算法成為物聯網加值關鍵

隨著技術與基礎建設日漸完備，2019 年物聯網在各層面多已邁入商業驗證階段，帶來投資效益。2020 年物聯網在各垂直應用領域將向下扎根，已打底的製造、零售業等持續透過技術以優化流程與加值服務，農業、醫療等也將有更廣泛的產業轉型。在技術方面，將著重於提升感測能力，使其能進行五感偵測並對周遭環境做出更多反應，以及 AI 演算法的突破以進行更多深度學習。此外，物聯網裝置連結數的上升造就大量數據，邊緣運算與 AI 於終端設備之整合將是可期未來，進而帶動軟硬體升級商機。

自動駕駛將落實終端應用，探索更多商業模式

2020 年自動駕駛技術的商業化，以商用車、特定行駛路線和區域性特殊應用為 3 個主要的特色，並且多數鎖定在 SAE Level 4 自駕等級。能在 2020 年看到更多量、更多類型的自動駕駛商用案例，其中一項驅動因素來自各類平台化產品，如 NVIDIA Drive 運用 AI 人工智慧技術的自駕車開發平台，以及百度 Apollo 開放平台提供不同自駕場景的解決方案等，都協助車廠及各級開發商加速將自駕技術落實於產品中。然而，自駕技術的開發成本高，車廠或技術開發商需要找出更多自駕技術的可能性，並且必須可獲利、優化成本和改善問題，因此找到能滿足該可能性的商業模式也是 2020 年的重點。

太陽能模組產品標準化已成歷史，終端產品選擇將優先考量發電性價比

太陽能技術發展不斷更新，2018 年及之前的模組皆為標準 60 片或者 72 片版型排列，電池片也都以完整尺寸呈現。而 2019 年電池片的版型改變與模組端的微型技術發展多樣化，包含半片、拼片、疊片（瓦）、多柵線、雙玻、雙面（電池）模組等多樣技術疊加運用，使得最終模組產品的輸出功率相較於 2018 年增加一到兩個檔次（bin）。然而，模組產品的核心競爭力取決於度電成本。要降低度電成本，就要提升電池效率與模組功率，以創造更大發電量並確保產品長期的可靠性。未來市場產品定價的話語權將不再由製造端掌握，而是以市場需求及買方接受度為依歸。

資料來源：https://technews.tw/2019/10/02/trendforce-releases-2020-top-10-technology-trends/

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【GaN 憑什麼躍然而起？】

氮化鎵 (GaN) 市場可概略分為光電和功率兩大塊，現階段，在發光二極體 (LED)、射頻 (RF) 元件和無線充電較具優勢，在 LED 照明和顯示器等光電領域擁有高滲透率；但著眼於它能最小化功率損耗並具有小型化、高速開關和高擊穿電壓等特性，今後功率半導體的成長空間相對更大，初期鎖定「低電壓之高階產品」。

隨著技術推進、工作電壓拉高，未來在新能源、智能電網、資通訊設備和消費電子前景看俏，無線和自動化設備發展以及汽車 GaN LED 汰換潮，將成為推動氮化鎵的主力。GaN 理論上能以高於碳化矽 (SiC) 的速度進行切換、實現高速開關操作，確保電氣系統的高效率操作；物理學家表示，如果將具有高擊穿電壓和低導通電阻的氮化鎵，推廣至所有電子設備，全球用電量可減少 10～25%！

GaN 的低導電性能以緊湊尺寸維持高能量應用，進一步實現電路小型化或在同一區域擠進更多的氮化鎵。用一個淺顯易懂的形容，就是能把筆記型電腦 (NB) 原本大如磚塊的笨重充電器，精簡至一盒餅乾大小，更加輕巧、方便攜帶。此外，光達 (LiDAR) 改用增強型氮化鎵 (eGaN) 晶片感知環境的精度可以「吋」計算，較矽晶片只能明確至 10 呎以內表現更佳。

特別一提的是，氮化鎵對離子輻射靈敏度低，極適合作為衛星的太陽能電池陣列材料或應用於超音波、核磁共振成像 (MRI) 和結腸鏡檢查外科手術等醫療設備，在輻射環境相對穩定亦有利於航太和軍事——GaN 已被歐洲太空總署 (ESA) 認定為「關鍵使能技術」；美國國家航空暨太空總署 (NASA) 亦資助氮化鎵研究以支援水星和金星的探索。

當人們還在掙扎什麼情境下值得採用 GaN？新的強勁對手已悄然出現。美國國家可再生能源實驗室 (NREL) 拋出一個震撼彈：未來「氧化鎵」(三氧化二鎵，Ga2O3) 的成本可能更低！考慮諸如晶體生長和晶錠加工之類的因素，氧化鎵晶圓成本比 SiC 便宜 3～5 倍，且晶圓尺寸較 GaN 更容易擴大，可能為現有的矽、碳化矽和氮化鎵技術提供互補，應用在 AC-DC 轉換等低頻、高壓應用。

延伸閱讀：
《氮化鎵：輕巧、耐熱、高速開關，節能一把罩》
http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41524.html
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