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作者: trueclamp (克藍普) 看板: graduate
標題: [心得] 電子學
時間: Tue Aug 15 21:45:59 2006

我的資源：

大碩補習班劉明彰老師 93秋 94暑(重聽) 94秋(重聽) 95題庫
劉明彰筆記(自抄)
Smith電子學 4th 原文 中譯本 習題解答
Smith電子學 5th 原文 中譯本 習題解答
劉明彰獵殺電子學(上)(下)
劉明彰經典題庫~1
劉明彰題庫班T1
劉明彰經典題庫~1解答本
劉明彰電子學考古題解答(95.94.93~91)


我的經驗：

學校把電子學拆成三個學期來教，一學期換一位教授，可是有些地方還是草草帶過，或者
來不及教完，再加上大學太混，考試前才臨時抱佛腳，所以基礎並不扎實。
93年秋季班正值大三上，雖然暑假已經補過工數，秋季只補電子學，可是大三吃重的課業
仍讓我覺得補習來很累，咬著牙苦撐整個課程沒有缺課，讓我把自己的精美筆記完成，上
課內容大略只聽懂５成，由於底子不好，很多東西都好像第一次學，又好像以前做夢夢過
，只有到後半段時，和學校教的部分重疊產生共鳴，才算是比較有吸收。
94年暑期班開始後旁聽人數爆滿，再加上我又補電磁學和半導體，所以這段時間上課狀況
很差，筆記也沒怎麼寫，雖然沒缺課，可惜效率不好。
94年秋季班再回來重聽，和幾位同學一起衝（都考得比我好），這時候發現之前自己抄的
筆記發揮很大作用，由於劉明彰老師春暑秋內容上會有些差異，因此我在秋季班抄的筆記
在之前暑期班上課時總感覺不太搭，然而現在上秋季班時就沒有這種感覺，因為筆記只需
要再加上劉明彰老師補充的一些整理，還有上課提到有哪些必背公式作記號外，主要都以
聽課為主，回去就立刻算獵殺和題庫本，一直追著劉明彰的進度（很困難也很累），有不
會的或是觀念及解題技巧都和同學一起討論，整個課程也都沒有缺課或進度落後。
95年題庫班時，由於題庫本和經典題庫差不多，大多數題目已經算過，縱使劉明彰上課速
度飛快如行雲流水，也覺得能喚醒解題的印象。


學習過程：

我開始算題目時是在94年秋季班，要算獵殺和題庫本，即使獵殺有勘誤本，但是錯誤仍不
少，都是和同學討論才敢確定自己是對的，而題庫本的答案更是錯誤一堆，還好我手上那
解答本上有詳解，省去我不少時間（而且都是以劉明彰觀念和解法），可是那本並不是每
題都有解答，所以我還會去翻Smith來看（劉明彰經典題庫在Smith幾乎都有），由於
Smith解答和劉明彰的解法不同，我都會重新再思考寫下自己的版本，另一方面，有什麼
遺忘或是不熟的，我都可以迅速翻閱我的筆記找到（因為是自己的），而且每天或多或少
都一定有念電子學，就這樣持續到題庫班，再開始算考古題和題庫本。


內容部分：

劉明彰解題期望以考試能花較少時間的方式解題，講究背最少的公式，然後用基本電路解
法去解題，所以不會有太多龐大的解題過程，著重於觀念上的應用，而不是死記每題的解
法，當然有些題目用必須用些特殊技巧，會有卓越的效果時，劉明彰才會說：「你就背下
來吧！」，感覺上雖然背的不少，但是一想到和那本怪物Smith和考前能整理出一張A4所
有的必背公式相較，的確省下很多時間和功夫，這套方法的確有學習的價值！

另外，介於青黃不接的時代，我對Smith 5th沒太多好感，就算和4th比刪了很多東西，卻
不能確定不會考，然後5th有些解法和4th不同，造成有些公式和結果與4th不同，都必須
將自己的知識修正為5th版本（還要打聽哪間學校用第幾版，考試才用哪種版本寫），5th
只比4th多一點東西，還有講一些新的未來發展技術（考試又不會考 Orz），再來5th著
重準確度，所以計算上會用比較複雜的方式解，我必須說這樣嚴謹是好的，4th有些解法
出來只是近似，誤差有些還頗大，但是對於考試而言，這樣解法根本行不通，當你解完這
題時搞不好已經打鐘了，如果兩種答案都是可接受的答案，當然要選在考試能解出來的方
式，最後我只覺得5th的價值在於解答本比4th好太多太多，4th解答本真是慘不忍睹…。


重點整理：

0.電路技巧：
電壓單位用伏特，電流用ｍＡ，電阻用ｋΩ
三種戴維寧電路技巧
節點電壓法
負載線圖解法
將BJT和MOS視為兩顆特殊的diode
疊代解
假設與驗證
(1)Diode: ON-順流 OFF-逆壓 崩潰-逆流
(2)BJT: 主動-BC順篇不足0.4V 飽和-Ic<βIb 截止-BE順篇不足0.7V
(3)FET: 飽和-GD off 歐姆-GD on 截止-GS off
(4)OP: 線性-負回授 飽和-無負回授
關電源技巧:(1)重疊原理 (2)輸出阻抗 (3)極點 pole (4)判斷穩定度

1.Diode：
Ｉ－Ｖ特性曲線，二極體公式
小訊號等效電路，動態電阻公式
二極體順偏小訊號模型(三個參數的定義和公式)
line-regulation和load-regulation公式
Clamping circuit
齊納穩壓器

2.半導體物理:
mass-action law
drift和diffuse current
depletion region公式，built-in voltage公式

3.BJT
active、saturation、cutoff三個工作區
Early effect
Ebers-Moll model

4.MOS
pinch-off(saturation)、ohmic(triode)、cutoff三種工作區
Early effect
MOS工作模式的判斷(才知道要帶入哪個公式)

5.偏壓
BJT: 分壓偏壓法、固定偏壓法、集極回授偏壓(一定active)、電流源偏壓
MOS: 分壓偏壓法、固定偏壓法、汲極回授偏壓(一定saturation)、空乏式自偏
偏壓穩定性sensitivity(考慮worst case)

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單級放大器以後的我不知道怎麼用打的了... Orz

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