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#1功函數- 維基百科，自由的百科全書
功函數 （又稱功函、逸出功，英語：Work function）是指要使一粒電子立即從固體表面中逸出，所必須提供的最小能量（通常以電子伏特為單位）。這裡「立即」一詞表示最終 ...
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#2鉿-鉬二元合金之線性功函數調變在奈米元件之應用
本次實驗是利用同時濺鍍的方式沉積鉿-鉬二元合金當金屬閘極，藉由改變對鉿及鉬的濺鍍功率，改變鉿-鉬二元合金的組成比例變化，以達到功函數的調變。
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#3金屬氮化物之功函數調變研究 - 國立交通大學
本論文介紹了氮化鉬和氮化鎢在不同成分比的功函數調變能力. 以及搭配二氧化鉿高介電常數氧化層後的電性結果。試片在含有不同. 氮/氬比例的氣體環境下，以濺鍍沈積方式 ...
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#4金屬閘極與高介電層界面製程對高功函數閘極金氧半元件之電 ...
為了改善MOSFET 的性能，元件的尺寸被要求越來越小，許多新穎的研究成果已被發表出來，其中，高功函數金屬閘極的研究相當引人注目。本論文研究重點在金屬閘極和高介電 ...
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#5CN103276357A - 一种提高铜表面功函数的生产工艺
提高铜表面功函数的方法很多，主要有：（1）合金法，优点是生产方便，缺点是以降低铜的导电性为代价；（2）表面镀绝缘层法：优点是抑制电子逸出效果好，缺点是表层易破裂； ...
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#6具有可调栅极功函数的双金属cmos晶体管以及其制法
在某些的实施例中，该NMOS器件44与PMOS器件46之栅极电极的功函数因此具可调性，其系通过使用不同种类金属或金属合金以形成金属硅化物。此可使栅极硅化物厚度在特定实施例中 ...
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#7合金的功函数分布为什么会有所差异? - 知乎
合金 的功函数分布为什么会有所差异? 在学习金属接触电势，金半接触时金属导体一端的费米能级都是直接拉平的，既然如此，为什么实验测量得到的功函数仍然是有较大波动呢.
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#8第一性原理研究Al-Cu-Li合金中T1相的腐蚀机理 - 物理学报
利用密度泛函理论的第一性原理, 讨论Al-Cu-Li 合金中主要析出相T1 相(Al6Cu4Li3) 的表面性质, 计算. 不同终结面的表面能和表面电子功函数, 并探讨应力作用和常见合金 ...
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#9铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系 - Ingenta Connect
为了揭示铝合金腐蚀的物理本质, 本文利用基于密度泛函理论第一性原理的计算方. 法, 详细计算了铝合金中一些主要第二相(Al2Cu、Al3Ti和Al7Cu2Fe)的多种晶面的电子功函数, ...
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#10二元Mg-Y 和Mg-Al 合金的电子功函数、表面能和电子特性
基于先前对二元Mg-Al 合金和Mg-Y 合金评估的新成分，执行第一原理以研究电子功函数、表面能和电子特性。计算结果表明Mg 15 Al 和MgY 由于功函数接近或 ...
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#11以高功函數鎢或鉬為主金屬閘極之金氧半元件製程研究
Process Study for MOS Devices with High Work Function Tungsten or Molybdenum Based Metal Gates · 張廖貴術 · 趙天生楊文祿 · 碩士 · 國立清華大學.
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#12金属栅电极功函数的第一性原理研究
接着,研究了基于不同表面取向的Ta_(1-x)Mo_x合金的功函数。计算结果发现,表面取向对金属功函数有重要影响;对于给定的表面取向和表面层Mo原子浓度,表面层Mo ...
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#13合金调控碳电极功函数改善无机钙钛矿太阳能电池的电荷提取
通过调控背电极功函数改善电荷提取为极大提升无机PSC的光电转换效率提供了新的思路。相关成果以“Alloy-Controlled Work Function for Enhanced Charge ...
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#14关于探针的功函数 - The Nanoscale World
因为合金的成分不同，因此并没有固定的功函数。需要使用表面电势功能在金表面做校准。金的功函数在5.2eV左右。用这跟探针测量Au，反推探针的功函数。
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#15含Ca 镁合金表面微观腐蚀第一性原理研究 - 中国有色金属学报
摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，计算了含Ca 镁合金主要第二相(Al2Ca、Mg2Ca、Mg17Al12). 不同晶面的费米能级、真空能级和电子功函数和本征电势差，分析 ...
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#17功函数测量研究氧与银和银-钯合金表面的相互作用
摘要: 在超高真空条件下, 采用电子束阻挡势技术测量固体表面功函数连续变化, 并与AES, TDS等手段相配合, 研究了氧在Ag和Ag-Pd合金表面的吸附和脱附动力学。
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#18因此鎢棒電極材料應具備高溫耗損小、承載電流能力高
相較純鎢電極，釷鎢合金電極具有高溫耗損小、承載電流能力高、電弧引燃性佳(釷元素之功函數為3.40eV)及電弧穩定性佳等特性。另因釷元素具放射性，故對施銲人員可能造成 ...
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#19具金屬閘極之半導體結構與形成方法
鋁合金(TiAl)或鈷鎢磷化物(cobalt tungsten phosphide,. CoWP)所構成。隨後,可選擇性採用另一平坦化製程以去除部份. 覆蓋於層間介電質層46上之閘極導電層90與功函數 ...
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#20國立臺灣大學工學院材料科學與工程學系暨研究所碩士論文 ...
關鍵字: 原子層沉積技術、氮化鈦、電阻率、功函數、電漿處理、金屬閘極 ... 雜的合金. [32]. ，而本章節使用ALD 成長的氮化鈦薄膜做為金屬閘極研究材料，以.
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#21功函數 - Wikiwand
功函數 （又稱功函、逸出功，英語：Work function）是指要使一粒電子立即從固體表面中逸出，所必須提供的最小能量（通常以電子伏特為單位）。這里「立即」一詞表示最終 ...
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#22金氧半元件金屬閘極和高介電係數介電層之製程整合研究
中文關鍵詞: 高介電係數、金屬閘極、功函數、等效氧化層厚度、界面特性、熱穩定性. 外文關鍵詞: high-k、metal gate、work function、EOT、interface ...
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#233 电荷注入与传递材料- 第
3.1.2 金属合金. OLED 有机电致发光材料与器件. 为了克服低功函数金属,如钙(Ca)、钾(K)及鋰(Li)等具有高度化学活性的问. 题,利用各种低功函数金属与抗腐蚀金属的 ...
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#24调控碳材料的功函数以大幅度提升其电催化氧还原性能
Regulating carbon work function to boost electrocatalytic activity for the oxygen reduction reaction. Yazhi Cai, Li Tao, Gen Huang, Nana Zhang, ...
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#25探討材質、合金功函數對電弧、光譜的影響 - 臺灣國際科學展覽會
而. 我們觀察到的波長範圍在可見光譜的部分，我們後續實驗可以利用電弧了解其他物質對此光. 譜內的光譜強度影響。 實驗二探討合金比例與粗細對電弧狀態、最大距離、功函數 ...
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#26小木虫论坛-学术科研互动平台
哪里有测紫外光电子能谱的，要功函数，价带位置 · 关于静电势曲线图的求助 · 金（属）辅助剥离二维材料 · 求助AuAg合金纳米粒子如何仿真模拟.
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#27室溫下奈米合金粒子的熱電轉換技術躍進實用階段 - 材料世界網
該公司所擁有的「Ambient Generator」技術係以奈米合金粒子進行發電， ... 由於電極間的功函數差對發電機制有幫助，並牽制奈米粒子本身的功函數，推測 ...
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#28金属功函数表 - CSDN文库
TiN / TaN双层堆叠厚度的高k /金属栅极nMOSCAP的有效功函数调整方法 ... 表面合金化对NiPt金属栅电极功函数的影响(2012年).
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#29铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系
铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系. 王健1,2,3,*. 王绍青1. (1 中国科学院金属研究所, 沈阳材料科学国家(联合)实验室, 沈阳110016;. 2 中国科学技术大学化学与材料 ...
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#30AlCu3及fcc金属表面功函数的第一性原理研究 - 艾博士论文
目前国内外对二元合金在不同应力、应变状态下功函数变化的研究主要采取实验方法,而理论研究相当匮乏。且由于实验方法的局限性,目前还不能成功地解释功函数变化的物理 ...
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#31一种有效调制TiN<sub>x</sub>金属栅功函数的方法 - X技术
通常调制栅极功函数的方法主要有杂质离子注入、合金技术等，因此，需要一种功函数相对比较低的材料来调制TiNx栅电极的功函数，使其对应的费米能级往衬底Si的导带边移动 ...
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#32Yb∶MgAg纳米双层阴极的光电特性改善 - 材料导报
摘要 MgAg纳米合金作为有机电致发光阴极,具有功函数低、稳定性高等优点,而提升Ag的比例,降低MgAg纳米合金的厚度,可提升MgAg的透过率。在蒸镀MgAg纳米 ...
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#33有機太陽能電池也想穿金戴銀 - 泛科學
之所以如此，則歸功於他們有很高的功函數（work function），高功函數的物質不易被氧化。 功函數是筆者認為取名最失敗的科學名詞之一，他的定義為：「要使一粒電子立即 ...
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#34P 型氮化鎵蕭特基二極體研究
製作較為困難，為達到p型氮化鎵之歐姆接觸需用較高溫之熱處理形成熱合金化 ... 射(thermionic field emission,TFE)的模型來計算位障高度和ITO 的功函數,最後利.
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#35p型GaN欧姆接触的研究进展 - CORE
很大（7．5eV［2］），而功函数最大的金属Pt也只有. 5．65eV。除此之外，金属化工艺（包括表面处. 理，金属沉积和合金化处理）的条件也会影响p－.
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#36當年度經費： 1228 千元 - 政府研究資訊系統GRB
鎢格隙合金及格隙化合物電極之功函數與閘極特性分析 ... 關鍵字：閘極電極；摻雜原子；功函數；矽鉿氧化物 ... 互溶型合金薄膜應用於閘極結構非晶覆蓋層之研究.
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#37Scanning Kelvin Probe Systems - 佐信科技
大範圍的Scanning Kelvin Probe能量測大小50-350 mm的樣品其功函數2D、3D圖，且對接觸電位差、伏特電位進行 ... work function resolution: 1-3 meV ... 金屬及合金
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#38OLED電極材料，決定OLED器件的性能及使用壽命 - 壹讀
OLED的陽極材料主要作為器件的陽極，要求其功函數儘可能的高，以便提高 ... 為了既能提高器件的發光效率，又能得到穩定的器件，通常採用金屬合金作為 ...
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#39MOSFET的栅极材料
反过来说，金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低MOSFET的临界电压 ... 钛（Titanium）、钴（Cobalt）或是镍（Nickel）被用来和多晶硅制成合金。
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#40國立臺灣師範大學化學系碩士論文指導教授：林建村博士葉名倉 ...
故通常陰極必須使用一個低功函數的金屬，以利於讓電子可以有效地注入電子傳. 輸層的LUMO 能階，目前較常用的陰極材料為鎂銀合金(Mg/Ag)及氟化鋰鋁合金.
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#41功函数、AES和TDS研究CO在Ag-Pd合金上的吸附 - 分子催化
王怀明,包信和,邓景发.功函数、AES和TDS研究CO在Ag-Pd合金上的吸附[J].分子催化编辑部,1987,(4):. 功函数、AES和TDS研究CO在Ag-Pd合金上的吸附. DOI：. 中文关键词:.
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#42扫描隧道显微镜功函数信息成像方法 - 金属学报
金属学报, 1998, 34(4): 345-350. [5], 薄祥正;方鸿生;王家军;黄维刚;张柏清. Fe-C-Si-Mn合金中贝氏体表面 ...
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#43金属和合金电化学腐蚀的第一性原理计算建模及应用
并且提出了用材料的表面能和功函数，以及本文提出的表面能量密度等作为基本参数，构建了阳极溶解过程中绝对电位与电流密度的关系式，提出了电化学腐蚀 ...
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#44work function - Translation into Chinese - examples English
Translations in context of "work function" in English-Chinese from Reverso Context: Theanode 120 may be selected from materials having a relatively high ...
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#45316不锈钢表面对氢同位素透过阻碍作用的功函数及俄歇能谱研究
低膨胀IN909合金650℃的氧化行为[J].沈阳工业大学学报,2011,33(1):41-44. [5]、, 贺徙,马骁,金解平, ...
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#46博碩士論文101324049 詳細資訊
The second one is the work function with various free electron concentration trapped by the defects. Afterwards, we combine these two ...
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#47GaN的欧姆接触实验 - 电子工程专辑
低功函数金属Al是很好的覆盖层金属，因为它即不会产生高功函数合金也不会合金产生厚的宽带隙材料。势垒层和覆盖层金属都不应该外扩散到接触表面形成 ...
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#48當金屬與半導體相遇時，到底是怎麼產生「火花」？ - 每日頭條
這之前我們必須要知道一些概念，首先是逸出功，它是電子克服原子核的束縛，從 ... 因此為了保證歐姆接觸，對於N型半導體可以選擇功函數小的金屬材料， ...
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#49稀土元素铈对钢中非金属夹杂物改性和腐蚀影响的第一性原理研究
通过对比夹杂物与钢基体的功函数与计算电势差，分析了不同含Ce夹杂物诱导点蚀的趋势，探讨了不同原子位置、原子数量和不同slab模型对功函数的影响。研究表明，与Fe (100)-2 ...
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#50揭秘组成OLED的五大材料-电子发烧友网
OLED的阳极材料主要作器件的阳极之用，要求其功函数尽可能的高，以便提高空 ... 为了既能提高器件的发光效率，又能得到稳定的器件，通常采用金属合金 ...
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#51雷神索爾之電光一閃-探討材質、合金功函數對電弧、光譜的 ...
雷神索爾之電光一閃-探討材質、合金功函數對電弧、光譜的影響與農藥簡易檢測應用(雲林縣斗六國中丁崇祺老師、蘇品榕、賴亭佑、石采蓁同學等). 2018/09/07.
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#52铝合金表面电偶腐蚀与电子功函数的关系 - 维普网
为了揭示铝合金腐蚀的物理本质,本文利用基于密度泛函理论第一性原理的计算方法,详细计算了铝合金中一些主要第二相(Al_2Cu、Al_3Ti和Al_7Cu_2Fe)的多种晶面的电子功函数, ...
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#53問題與習題
3.1 金屬和功函數金屬鈉(Na) 的原子濃度為。 ... 圖P3.11 不同III-V合金，GaP, GaAs, InP和InAs的能隙Eg和晶格常數a，線段代表由線段終點的化合物所形成之合金，實線 ...
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#54歐姆接觸 - 联盟百科
低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。. 51 关系: 功函数，半导体，合金 ...
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#55合金调控碳电极功函数改善无机钙钛矿太阳能电池的电荷提取
编者按：研究人员利用合金调控碳背电极的功函数改善了全无机PSC器件的电子－空穴提取过程，通过优化能级结构，获得了7．85％的光电转换效率， ...
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#56鎢棒電極材料
雖鑭鎢電極於低電流施銲時之電弧引燃性(鑭元素之功函數為3.50eV)較釷鎢合金電極略差，然因鑭元素不具放射性，故於高電流銲接操作時，鑭鎢電極為釷鎢電極首選替代品。EWLa-1 ...
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#57钙钛矿太阳能电池简介 - 超声波喷涂
FTO相比较于ITO，具有稍低的功函数~4.4 eV，其透光性能基本相同，且具有 ... 还有一些如Ag纳米线电极、碳电极、碳纳米管、Ag/Al合金电极等，这些新型 ...
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#58CN105118830A - 一种集成sbd的增强型hemt - Google Patents
然而此器件的肖特基源极金属在实际中为形成更好的电流输运能力往往选用功函数较低的金属或合金，这样极大降低了器件的耐压能力。加之此器件单纯的HEMT用途也阻碍了其更 ...
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#59Mg2Sn对镁合金耐腐蚀性能影响的计算分析与验证 - 装备环境工程
目的从计算角度分析镁合金中的主要析出相Mg2Sn对ZA系镁合金耐蚀性能的影响,并采用试验测试的方法对其进行验证.方法利用第一性原理计算方法对Mg2Sn的表面能与功函数进行 ...
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#60以三族氮化物為材料用於藍綠光和紫外光通信之光電和電子元件
因陰極與陽極功函數的差異而形成電場，激子在此電場的作用下 ... 用來防止鎂氧化，在我們的製程中鎂銀合金的厚度皆為70nm，銀的. 厚度為50nm。元件做完後以UV 膠封裝， ...
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#61单原子合金：光催化中的卓越共催化剂 - EurekAlert!
由于功函数不同，导致了Pd和Pt之间存在电荷重新分配效应。此效应受到结构精确调控和Pt配位环境改变的影响，使得Pt的表面电荷态得以系统改变（如上图） ...
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#62AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触 - 氮化镓器件
低功函数金属Al是很好的覆盖层金属，因为它即不会产生高功函数合金也不会合金产生厚的宽带隙材料。势垒层和覆盖层金属都不应该外扩散到接触表面形成氧化物 ...
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#63Pd/ p-GaN 欧姆接触退化机理
高温退火在界面处促成Ga-Pd 合金相生成利于形成良好的接触, ... 触常用低功函数的金属Ti,Al 等. [7-9] ,p-GaN 则选. 用高功函数的金属Pd,Pt,Au,Ni 等.
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#64【期刊】高通量+机器学习→高熵合金催化剂设计 - 自由微信
表面能和功函数体现高熵合金表面的化学性质，与高熵合金催化剂的催化性能直接相关，因此被用来作为催化活性的描述符。此综述总结了如何利用高通量理论 ...
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#65纳米电学模式的原理和应用
功函数 的差异（导体或半导体）. • 外加电压. PCB板电极 ... TLG是具有电可. 调带隙的半导体，. 两者的功函数存. 在差异。 ... 金属材料--926合金中Cr/Mo的富集 ...
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#66低合金钢中夹杂物诱发局部腐蚀萌生机制的研究进展
图4 MnS表面电势分布，MnS不同晶面的表面功函数图及MnS诱发局部腐蚀的机理图. Fig.4 Surface potential distribution of MnS (a), surface work function of different ...
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#67功率半导体应用知识讲座—肖特基二极管的基本结构与工作原理
欧姆接触不仅仅看金属和半导体的功函数之差。 ... 在半导体表面与金属接触处，如果先用扩散或合金等方法，掺入高浓度的施主或受主杂质，构成金属-N+-N或金属-P+-P ...
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#68镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势
Xu[9-10]等通过理论计算证明了镍铂合金表层铂原子浓度将显著影响其功函数，因此随界面Pt 含量的增加，合金功函数增加，导致势垒高度增加。
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#69金属顶刊Acta Materialia：第一性原理建立镁合金的腐蚀模型
Ma等人考虑到功函数、表面能密度、吸附能和空位能，开发了一种合理的方法来模拟阳极溶解曲线。该模型解释了镁的各向异性腐蚀行为，并提供了6种可以有效 ...
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#70OLED设备制造厂商及常用材料--来自光电与显示的文章 - 行家说
OLED的阳极材料主要作器件的阳极之用，要求其功函数尽可能的高，以便提高空 ... 为了既能提高器件的发光效率，又能得到稳定的器件，通常采用金属合金 ...
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#71二维材料，再登Nature！ - 纳米人
利用用于电子注入的铟合金vdW接触（n 型）和基于Pt和Pd的高功函数vdW接触用于空穴注入（p 型，在同一个2D TMD上实现金属-半导体-金属(MSM) 二极管，该 ...
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#72数据驱动的镁合金结构与性能设计
... 研究镁合金力学性能及相关组织结构，如热力学稳定性、滑移系启动能垒、成分-组织-工艺与性能关系，以及耐腐蚀性能，如阳极电极电位、功函数计算、 ...
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#73金属材料表面电化学问题理论研究
传统上合金电化学研究多以实验为主,理论工作. 严重匮乏。 ... 面研究了铝合金的本征表面腐蚀问题,首次从伏 ... 卤素元素在AlzPt表面吸附引起的偶极矩变化和功函数偏移.
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#74市售酵母與自製水果酵母之探討 - 臺灣網路科教館
本實驗先針對材質功函數與電弧狀態的關係進行研究，進而研究合金比例與功函數的關係，最後進行電解質、水果、豬肉以及農藥辨識分析，結果如下： 一、材質功函數與 ...
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#75(12）实用新型专利
Pt-Au合金。 5．根据权利要求1所述的混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管，其特征在于：所述. 低功函数金属层为Ti、 Al、 V、Ti-Au合金中的一种。
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#76三元錫(II)合金如何作為錫-鉛鈣鈦礦太陽能電池的空穴傳輸層而 ...
Advanced Materials 在2022年9月刊登了一項研究: SnOCl 的三元Sn (II) 合金作為Sn-Pb PSCs 的空穴傳輸材料(HTM)，其功函數為4.95 eV。溶液處理後的SnOCl 層具有紋理 ...
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#779122,8022b(80日大)一金屬的功函數為3.0電子伏特 - YouTube
每天1/10/25元，成為(1)數學(微積分)/(2)高一高二物理(學測/進度)/(3)高三物理(進度/分科測驗)頻道會員，詳情請見公告： ...
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#78比GaN 與SiC 更寬能隙的半導體材料即將出現如何選 - 科技新報
一）紫外光電子能譜（UPS）：量測「功函數」和半導體的「游離能」 ... 摻入Ga2O3 材料中形成（AlxGa1-x）2O3 的合金結構，即能夠將能隙值再作提升。
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#794.1 金属半导体结§4.2 肖特基势垒二极管SBD §4.3 欧姆接触 ...
功函数 W m. 标志了电子在金属中被束. 缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关. ② 功函数与表面有关. ... ①用金属的合金作为肖特基势垒金属，所得势垒高.
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#80功函數公式的問題包括PTT、Dcard、Mobile01，我們都能挖掘 ...
光電效應中，照射到金屬表面的光子所具能量必須大於該金屬的功函數，才能觀察 ... 這兩本書分別來自五南和五南所出版。 國立中興大學精密工程學系所劉柏良所指導王鼎元的 ...
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#81掃描穿隧顯微術
對一般金屬而言（功函數約4-5eV），1埃的間距差可導致穿隧電流10倍的增減（如圖1B） ... 或將0.25mm的鉑銥合金（PtIr）絲拉剪而成，針尖的直徑大都在幾百個埃的範圍。
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#82Introduction to oled -網路版 - SlideShare
將性質活潑的低功函數金屬和化學性能較穩定的高功函數金屬一起蒸發形成金屬陰極、如Mg: Ag（10: 效TW574383 果專利技術1），Li:Al (0.6%Li)合金電極。 愈( ...
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#83InGaSn/Si 接触电势差的测量
采用InGaSn 合金探针可以方便地对MOS 电容进行测量。 ... Si/SiOz界面附近,则电荷密度q(x) 可表示成8函数的形式,即 ... 接触电势差Wus 与InGaSn 合金的功函数.
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#84MOSFET - 抖音百科
反过来说，金属材料的功函数并不像半导体那么易于改变，如此一来要降低MOSFET的临界电压就变 ... 另外一种解决方案是将多晶硅完全的合金化，称为FUSI（FUlly-SIlicide ...
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#85oled材料有什么- 手机21IC电子网
合金 阴极。如Mg:Ag(10:1)，Li:Al (0.6%Li) 合金电极，将性质活泼的低功函数金属和化学性能较稳定的高功函数金属一起蒸发形成金属阴极，提高器件量子 ...
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#86半导体用溅射靶材 - JX金属
Cu合金靶. 我们坚持贯彻减少溅射时产生的异物，使用在矶原工厂内精炼的半导体用6N（99.9999%）Cu ... 除上述产品以外，我们还供应用于栅电极和功函数调节的各类靶材。
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#87鎢燈絲、冷場、熱場掃描電鏡的區別 - Chinatungsten
六硼化鑭(LaB6)燈絲的功函數為2.4eV，較鎢絲為低，因此同樣的電流密度，使用LaB6 只要在1500K 即可達到，而且亮度更高， 因此使用壽命便比鎢絲高出許多， ...
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#88DFT电催化干货丨研究电极与反应物之间的电子转移 - 清新电源
功函数 表示电极表面激发出一个电子穿过界面所需的能量，其随电极电势变化。 ... 通过构建PtPd近表面合金模型，调节PtPd原子比以改变催化剂的电子构 ...
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#90元素固溶与析出对镁合金耐蚀性影响的研究进展
镁合金表面能与功函数已有大量研究与报道。表面能和功函数也与合金的耐蚀性能密切相关。Chen等采用第一性原理计算了镁基体作为阳极时，合金元素对镁 ...
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#91第一原理密度泛函理論計算在材料 - 台灣化學工程學會
算主要是依據有理論基礎的半經驗數學函數 ... 升、以及新型高熵合金材料的設計等領域的 ... 空位正是造成以高功函數為金屬閘極(p-.
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#92氧化硅/低功函金属电子选择性传输层的设计原理及其在异质结 ...
在合适的氧化硅厚度和较低金属功函数的条件下，与中等掺杂的硅形成类似MIS（金属/介质层/半导体）结构，这种结构不仅可以消除金属和半导体的费米能级 ...
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#934970J138的學習歷程檔案- 維基知識
反過來說，金屬材料的功函數並不像半導體那麼易於改變，如此一來要降低MOSFET的臨界電壓 ... 鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來和多晶矽製成合金。
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#95得捷电子中国DigiKey官网| 供应商直授权电子元器件分销商
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