: 1. cell size 44F^2代表的什麼意思 是指cell的面積嗎? F是一種單位嗎?
: 2.cell size 0.64*0.56 um^2 =44F^2 這是怎麼換算出來的?
: 3.The TEOS liner becomes U-shaped tunnel oxide to surround the nitride plug
: as the charges at the two corners of the nitride plug. 想請問一下這是句話
: 是在說明什麼? 是不是說 TEOS liner這個材質變成U形狀圍繞氮化矽堵塞物， 電荷
: 穿透氧化層然後在氮化矽堵塞物兩個角落旁儲存。是這個意思嗎?
: 我是剛進入半導體這領域的新手 很多不懂
: 希望能請版上高手多多指導
: 謝謝

1. F不是科學記號，那是用在記憶體上來描述元件的尺寸。
F是 Feature size, F的縮寫。
中文的意思是，〔特徵尺寸〕，定義為DRAM的一半線寬(half pitch)。

ps.舉個例子，我們常說的90/65/45/32奈米製程，這些指的是
製程世代/節點(technology generation/node。)

對邏輯產品而言，指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length)
對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離

而〔F〕，指的是（或小於）該製程世代的尺寸。

以你的例子，就一個90nm製程而言(F = 90nm = 0.09um)

44F^2　＝　44 x 0.09 x 0.09 = 0.64 * 0.56 um^2

0.64與0.56指的是memory cell的X,Y尺寸(你可以把它想像是一個長方形一樣。)

如果是65nm製程(若元件的尺寸不變0.64與0.56)，那就是84F^2。
(一般而言，不會是0.64um與0.56um，而且也不會是84F^2)
(應該說要反推回去求XY的最小尺寸才對，畢竟65nm比90nm，尺寸要更小才對。)


3.這好像跟SONOS有關，講的是電荷存在tunnel oxide的兩邊，一種2bit/cell的元件架構

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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話!
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡)
但是外派到大陸的臺彎郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!

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