2019台灣艾司摩爾「ASML菁英獎學金」申請須知

申請表單請見交大電子官網
https://eenctu.nctu.edu.tw/tw/news/p1.php?num=332

一、 宗旨：
為善盡企業社會責任，以及培育優秀學生投入半導體相關產業，台灣艾司摩爾設置「ASML菁英獎學金」，提供獎助學金、實習機會及相關專業培訓課程，鼓勵大學部學生攻讀理工及商管相關科系碩士班，以在未來發揮專業推進產業發展，為台灣社會貢獻一份心力。

二、 獎學金內容：

1. 名額：8名

2. 獎學金金額及福利：
i. 每年台幣150,000，分兩次發放，共計兩年
ii. EF英語線上課程
iii. ASML暑期實習機會
iv. ASML 導生培訓 (每季聚會一次)

3. 申請資格：
i. 108年學年度入學之研究所新生
ii. 就讀台灣大學、清華大學、交通大學、成功大學、中央大學、中山大學、高雄大學、逢甲大學、台灣科技大學、台北科技大學、雲林科技大學、高雄科技大學碩士班
iii. 就讀機械/電機/電子/航太/光電/材料/物理/電物/人資/勞工/企管(或商管、科管相關)/會計/財務管理/工業工程碩士班科系
iv. 大學總成績須符合以下至少一項條件：
• GPA 3.7 / 4.0
• GPA 4.0 / 4.3
• 學業成績85分以上
• 系排名前15%

三、 申請作業

1. 電子郵件及電子資料：
i. 請將所有申請資料轉為PDF檔，連同自我介紹影音連結寄至 [email protected]
ii. 申請期限：2019年09月20日起至 2019年10月31日止。

2. 檢附文件（電子資料）：
i. ASML 菁英獎學金申請表 / 學生證及身分證正反面影本
ii. 在學證明
iii. 中文履歷
iv. 英文履歷
v. 大學歷年成績單 (含GPA及排名)
vi. 2分鐘影音自我介紹，包含申請動機、研究方向
(請寄影片連結至 [email protected])
vii. 學習計畫
viii. 彌封教授推薦函
ix. 相關優良事蹟資料 (專題或論文、競賽、社團幹部、書卷獎…)

四、 審查作業

1. 審查方式：
項目 說明 備註
申請人郵寄資料 請於申請時間將書面文件以掛號寄至本公司，並以電子郵件傳送影音連結。 本公司將通知已收件，缺件者恕不另通知。
第一階段書面審查 申請人須於期間內提供完整文件，否則視同放棄。 本公司將個別通知第一階段合格候選人面試時間及地點。
第二階段面談審查 於指定時間地點參加大師營 (Master Class)和英語面試。 將於面試前安排講座和工作坊。
核定通知 審核通過獎助學生名單後，個別通知獎助生獎學金核發相關事項。 本公司保留不足額錄取之決定權。

2. 第一階段審查標準：
i. 學業成績 50%
ii. 校內外特殊事蹟或優良表現25%
iii. 影音介紹 25%

3. 注意事項：
i. 限定中華民國國籍學生
ii. 受獎生須為全職學生，若有休學、退學等情形將按比例收回獎學金。
iii. ASML將評估學業及培訓表現決定是否核發受獎生第二年獎學金。
iv. 獲獎生須於受獎期間擔任ASML校園大使，支援ASML校園講座及徵才活動。
v. 受獎生須簽署ASML菁英獎學金合約 (pre-offer)，時效三年。
vi. 若違反上述事項，ASML將保留權力收回核發獎學金。

五、 本活動如有未盡事宜，主辦單位保留變更及修改之權利

六、 關於ASML
ASML是全球三大半導體設備廠之一，且是晶片微影技術的領導者。全球主要的半導體晶圓廠和晶片製造商都是我們的客戶。ASML的願景是驅動半導體的各種應用來幫助解決人類生活中最嚴峻的挑戰。為了實現這個目標，我們提供創新的產品和服務來幫助晶片製造商持續提升晶片價值並降低成本。我們致力於讓晶片的性能更強大、價格更合理，進而促使半導體技術能更廣泛的應用於醫療、能源、通訊和娛樂等相關產品與服務中。

35年來，ASML的成功來自於和客戶及供應商緊密合作所共同創造的領先技術、高效能的流程和優秀的員工。為了吸引國際頂尖人才，ASML致力於提供一個具啟發性的工作環境，讓全球優秀的工程師聚集在此工作、學習和分享。ASML的總部位於荷蘭Veldhoven，在全球16個國家的60個城市設有辦公室，員工超過24,000人，包括台灣員工2,500人。ASML為荷蘭阿姆斯特丹證券交易所和美國NASDAQ上市公司。更多關於ASML，請參閱 : www.asml.com

＃IC60 ＃大師論壇倒數6天

👉給我一塊蛋糕，我給你全世界 by 半導體教父施敏 🍰

＃人家根本沒這樣講過
＃大師論壇你報名了嗎？
＃零時差直播看教父
＃小編好想吃蛋糕

#IC60 #大師論壇倒數6天
　　
【A piece of cake 其實一點也不簡單】
　　
記憶體是電子產品中最關鍵性的零件，舉凡智慧型手機、平板、數位相機等消費性電子產品，現今人們使用電子產品的便利性，一切都是來自一片蛋糕🍰⁉
　　
人稱半導體教父的施敏博士，在1967年時，是貝爾實驗室（Bell Laboratories）裡半導體元件實驗室的研究員，與同事韓裔姜大元博士看到蛋糕中間夾的一層奶油，兩人靈感湧現，想到在金屬氧化物半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）的中間加一層金屬層，此舉發現了「浮閘記憶體效應」，並發明非揮發性記憶體（non-volatile semiconductor memory）!為非揮發性半導體記憶體產業奠下強力的基礎，並使人類走進了數位電子的時代。
　　
除了發明，施敏博士也出版了《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices），被翻譯成多國語言，是目前是全世界所有工程及應用科學領域最暢銷的書之一，有「半導體界的聖經」之稱。
　　
想一睹施敏博士的風采嗎?來參加科技部和 SEMI Taiwan 國際半導體產業協會共同舉辦的 #大師論壇 就可以看到囉!
　　　　
沒搶到位子或當天不能到場的朋友們，🎬當天上午會有網路直播呦　　
　　　　　　　
【IC60 大師論壇】報名資訊 👇
http://www.semicontaiwan.org/zh/programs-catalog/ic-60
日期 |107年9月5日(星期三) 09:00-17:00
地點 |台北南港展覽館一館 4樓
　　
🔎參考資料
【浮閘記憶體 從發明到數位電子時代 施敏】
http://www.ndl.org.tw/docs/publication/19_1/pdf/P02-13.pdf
　　
【比張忠謀輩分還高的半導體教父】
https://reurl.cc/9Expn
　　
📍延伸閱讀:
【矽晶・電子：3C電子產品不可缺的靈魂技術–浮閘記憶體】
https://reurl.cc/9EyDY

　　　

2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇
2018 Symposium on High Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) and Devices
學生論文海報競賽徵文啟事
Poster Competition

一、 會議主題：
全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術，將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案，進行高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發，為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究，將於2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽，期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。
二、 會議時間：107年10月18日(四)
三、 會議地點：集思交通部會議中心－國際會議廳(台北市杭州南路一段24號)
四、 主辦單位：國家中山科學研究院、台灣經濟研究院
五、 學生論文競賽主題說明
(1) 功率電子元件技術:
本主題範圍涵蓋各類功率電子元件的最新發展與新型材料元件應用研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子相關之技術、新型材料、物理與可靠性分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 高電子遷移率材料; (2) 功率電子元件製造技術; (3) 元件結構設計與模擬; (4) 元件可靠性分析與壽命預估。
(2) 功率電子封裝與功率模組應用技術:
本主題範圍涵蓋功率電子元件之散熱封裝及電源轉換功率模組應用技術研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子封裝設計與模擬、電路構裝散熱分析與量測；以及碳化矽/氮化鎵功率模組/電源轉換應用相關之模組電路架構設計與製造、應用電路效能分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 功率電子封裝材料; (2) 模組構裝散熱分析與量測; (3) 功率模組設計技術; (4) 電源轉換器應用研發。
(3) 新穎功率半導體材料與元件分析技術:
本主題範圍涵蓋功率電子材料或元件相關之檢測分析及檢測技術最新發展與應用，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 材料影像分析技術：SEM、AFM、C-AFM、SCM、STM、SSRM、MFM、TEM 及 SNOM; (2) 材料晶體結構分析技術：TEM 及XRD; (3) 材料成分分析技術：EDS、AES、XPS、SIMS 及 FTIR。
六、 投稿原則：
(1) 欲投稿者請先至下列網址登記：https://goo.gl/qGt1fF
(2) 格式：論文以中英文撰寫均可、A4紙 single-space two column、字體大小10之格式打字，圖、文合計以4頁為限。
(3) 投稿方式：一律以 pdf 格式投稿至E-mail: d32955@tier.org.tw。
(4) 日期：即日起開始受理投稿；徵文截止日期至2018年8月24日；預計2018年9月10日前通知論文審查結果。
(5) 發表方式：本次競賽之投稿論文皆以壁報方式發表，中、英文解說皆可。
(6) 論壇當日將會進行投稿者之論文海報展覽，請自行設計並輸出海報(海報尺寸將會另行告知)，並於會議當日指定時間至現場張貼，並於海報交流時間於自己的海報前為與會者及評審提供解說。
Post time: 2018年10月18日(星期四)10:40~11:10
七、 評分方式：
評分項目將分為論文內容（ 60% ）與現場答詢（ 40% ）兩部分，分別由兩組評審委員給分之總和為該論文之總得分，得分由高至低排序，若總得分相同，則由原創性部分的得分高低決定名次之先後次序。
八、 獎勵方式：
各主題將不分領域擇優評選取前6名，頒發獎狀及獎金以玆鼓勵，並於論壇會閉幕時頒獎。
(1) 頭等獎：獎金10000元，一名
(2) 特優獎：獎金6000元，二名
(3) 優等獎：獎金3000元，三名
九、 聯絡人：
(1) 台灣經濟研究院 李宜軒 副組長
電話：02-2586-5000 #808
EMAIL：d32955@tier.org.tw
(2) 台灣經濟研究院 黃威菁 行政助理
電話：02-2586-5000 #875
EMAIL：d33581@tier.org.tw