為什麼這篇光阻厚度鄉民發文收入到精華區：因為在光阻厚度這個討論話題中，有許多相關的文章在討論，這篇最有參考價值！作者negohsu (專打不專業環團)看板Tech_Job標題Re: [請益] 5、7nm的光阻跟1...
光阻厚度 在 IR Instagram 的最佳貼文
2021-09-17 09:43:11
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這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。
光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光
阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。
光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體的
製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中，用來表現製程能力
的代稱，在記憶體(ex:NAND)，這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。
要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小，詳細請餵狗。總的來說，用波長較短的光是最簡
單的。如KrF波長248nm，ArF波長193nm，這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um，A
rF對應0.13-0.18um
EUV波長為13.5nm，對應的則是則是7nm,5nm或以下。
從130nm - 7nm中間的空缺，則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。
對應不同波長的光，就會有不同的光阻，一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用，Ar
F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。
一般來說，7nm，5nm用到EUV，光阻就會跟14nm相異。如果7nm，5nm還是使用193i搭配多
次圖型化技術，那跟14nm使用的光阻大致上一樣。
當然，光阻會有很多改進。當光波長變短，對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法
，就是更不耐蝕刻)。
光阻廠商會做很多的調整，讓光阻厚度，均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺
陷(defect)的改進，同樣都是KrF，各家使用也是有所不同。
簡單科普，希望有幫到你。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.28.34.48 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1575355369.A.F38.html
推 michaelgodtw: 路人學經驗 12/03 14:45
→ y800122155: 樓下歐底特 這篇幾顆星? 12/03 15:12
推 kk123: ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆12/03 16:13
推 sdbb: 先推再看，謝謝12/03 16:15
推 louis021789: 希望這種認真文越來越多 12/03 17:08
噓 JJiaK: 輕輕鬆鬆問出技術細節 保密都不用了12/03 17:26
這只是基本知識，連機密的邊都沾不上。推 jeff40108: 估狗就有的要保什麼密XD12/03 17:33
推 thumba87295: 某樓以為這樣就機密，你當tune參數的都87？ 12/03 17:41
推 ssmmll: 保密 XD12/03 17:42
推 motan: 感謝科普，文組表示知道了。12/03 17:51
→ luche: 直接回我 5434現在是便宜還是貴?12/03 17:54
我記得我不是回在股版啊。※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/03/2019 18:05:45
→ j0958322080: 文組才覺得這是細節12/03 18:09
推 a810086: 認真文推一個，黃光製程基礎入門課12/03 18:11
推 djboy: 推12/03 18:21
→ wzmildf: 這東西隨便買一本半導體製程課本應該都有吧..12/03 18:52
→ feel159357: 哈哈六樓是反串吧12/03 18:54
推 nastie: 推 用心回覆12/03 18:54
推 darkangel119: 笑死 這是機密XD 要不要先關三天 12/03 19:01
推 double21: 對我們門外漢科普一下還是很有用的！ 12/03 19:07
→ double21: 感謝！ 12/03 19:07
推 maikxz: 笑死這細節機密XDDDDDDDDDDDD 12/03 19:10
推 HeartBreaker: 台灣似乎沒有公司能做出半導體用的光阻 12/03 19:38
推 newper: 感謝分享，這篇把我的記憶都找回來了XD，我是開篇原PO 12/03 19:53
推 newper: 因為成功轉Q，我那本半導體製程早就丟了(不知道華通書局還 12/03 19:57
→ newper: 在不在)12/03 19:57
推 a810086: 我記得台灣還是有可以自製的半導體光阻，但是良率不好12/03 20:06
→ faniour: 依進步的速度，生產對應的光阻，資本支出要很大12/03 20:18
→ faniour: 機台不更新很難做對應的產品 12/03 20:18
→ faniour: 另外如果沒有一間公司願意陪練，很難做出成熟產品 12/03 20:19
→ faniour: 再加上信心度跟品牌形象問題，很難有後面的競爭者12/03 20:20
推 superex: 推 12/03 20:30
噓 dxdy: 誰給你基本知識 這根本是常識12/03 20:33
閣下學識淵博，能把這些常人餵狗都不見得能理解的事當常識。推 Qcloud: 推12/03 20:34
推 ddiuyxx: 認真文12/03 20:56
推 henryyeh0731: 之前達興好像有在玩光阻，不曉得成果如何就是了12/03 21:01
推 lf2andnet: 用心給推12/03 21:01
推 Satansblessi: 達興的不錯啊 但僅限於面板業，半導體光阻還是AZ12/03 21:57
→ Satansblessi: 和日商為主12/03 21:57
推 loveFigo: 推科普12/03 22:05
推 kurll: 真正的機密是參數設定跟process內容好嗎 某樓？ 12/03 22:13
推 qwe172839: 感謝休息時間不多的黃光弟兄還出一篇好文 12/03 22:25
不是黃光弟兄，只是個求知欲比較高的打雜工。推 loveFigo: 光阻（PR) 基本上就高分子跟紫外光反應，被UV能量打斷鍵 12/03 22:35
→ loveFigo: 結的部份顯影就被洗掉 12/03 22:35
奇實還有一種光阻叫負光阻，顯影過的地方是留著的。→ loveFigo: 不同波長能量不同，會產生斷鍵反應的鍵結也不同 12/03 22:35
推 jfsu: BL/WL pitch 的1/2 是DRAM, NAND不是用這個算的唷 12/03 22:44
NAND的製程世代是B/LWL的1/2 pitch。NAND是4F^2的Cell size。推 h321123aa: 這就大方向提一提，機密在哪… 12/03 22:46
推 loveFigo: 其實記憶體跟logic線寬不能直接對應12/03 22:56
→ loveFigo: 搞不好記憶體的19nm design rule 跟logic對應起來接近7n12/03 22:58
→ loveFigo: m.12/03 22:58
→ loveFigo: (純舉例，詳細數字我也不知道 12/03 22:58
這個講起來有點雜NAND原本的製程世代是BL/WL的1/2pitch。但是在進入1字頭世代，為了搶快開始出現BL是
1X，WL是2X的NAND，這時也宣稱是1字頭世代，等到BL/WL都是1X的時候，就叫1字頭 + 世
代。
邏輯則是FinFET之後，製程世代的數字就越來越迷，I皇一套，T哥一套，星弟也一套。總
的來說是Fin pitch 的1/3約略等同製程世代，但這也只是約略，不是約定俗成的計算法
。
推 angerenergy: 推推 12/03 23:17
推 bopanda: 推12/03 23:40
推 chariot825: 科普的超好 12/04 00:14
推 Mei2521: 機密啥 我上課做的報告都比這詳細12/04 02:15
科普是要一般人都看的懂報告是要給老師看的，寫科普報告上去肯定是低分那群。
推 CarlOrz: 推12/04 02:32
推 tuyere1127: 趕緊推一下免得被發現看不懂12/04 04:34
推 homer00: 推一下12/04 06:32
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:47:51推 mmx9797: 隔行如隔山 這真的算常職了 12/04 07:39
常識是指一般大眾普遍擁有，不需要特別學習的事。知識是需要經過學習理解的過程而得到的，所以這些應該算基本知識。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:52:16
推 rosseta0702: 推 12/04 08:10
→ faniour: 光阻有正負型的差別12/04 08:21
→ faniour: 大部分的光阻是光酸或光起始劑去跟成份反應 12/04 08:27
→ faniour: 高分子比較少做為吸光中心，斷裂也是斷側鏈為主 12/04 08:28
對非黃光出身的人而言，這些知識太深。非理工科系甚至可以直接放棄理解。※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:01:54
推 ato99: 那同光源為何也有不同光阻的配置是和後續流程有關嗎？ 12/04 09:29
這跟線寬有很大的關係主要還是光阻的深寬比(AR)
有時光阻厚度需求超過了深寬比的最大值，這時就需要對光阻成份做調整，讓光阻不會因
為過高而倒塌(Collapse)。
另外還有可能就是缺陷的問題(defect)。
通常遇到這類問題，改另一種光源或xxx (可能有點違規
的風險，就請恕我保留)通常會比調整光阻成份容易。畢竟一種新成份光阻的使用與上線
，存在的後續作業太繁瑣。除非另一種光阻已經有在FAB使用，那就只是適用性的問題。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:42:13
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:44:32
推 Satansblessi: 老師您真佛心，還一個一個回覆，認真給推！ 12/04 09:44
推 z790305000: 推一個0.0 12/04 09:56
推 geniusw: 太神啦 12/04 09:59
推 b777300: 陰刻跟陽刻 12/04 11:29
噓 ngxx: 機密 ㄎㄎ 12/04 11:32
推 moonchris: 文組背完抄三次準備面試去 謝謝 12/04 11:58
推 c08371: 你這段能默寫也沒辦法pass大學部蝕刻課 是要去面試掃地工 12/04 12:56
→ c08371: 嗎 12/04 12:56
推 loveFigo: 印象中正型解析度比較好，小線寬幾乎都正型？ 12/04 15:14
→ loveFigo: 如果同樣喊7nm, I皇線寬會比較小 12/04 15:15
→ loveFigo: 後來I皇就出來講要比單位面積電晶體密度 12/04 15:16
推 modkk: 這機密啥？機密是如何做到，不是原理 12/04 21:06
推 modkk: 還有AZ已經被併購了，目前唐榮那邊主要是做面板光阻，半導 12/04 21:12
→ modkk: 體沒那麼多 12/04 21:12
推 rabbit2233: 感謝 12/04 22:44
推 yclt: 推推 12/05 00:46
推 ISNAKEI: 負光阻用在面板的彩色濾光片比較多 12/05 10:28
推 koibido: 推 12/05 19:30
推 carterlin: 感謝囉 之前看同機台但轉layer而有speedloss 12/06 08:16
推 frontseat: 一般台灣研發以為原理是機密?原理不是入門的基本能力 12/06 14:06
→ frontseat: 嗎？偏偏一堆台灣研發連基本原理都不太懂 才會東藏西 12/06 14:07
→ frontseat: 藏自以為是機密 哈哈 12/06 14:07