[爆卦]光敏電阻電壓是什麼?優點缺點精華區懶人包

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在 光敏電阻電壓產品中有5篇Facebook貼文,粉絲數超過1萬的網紅優分析UAnalyze,也在其Facebook貼文中提到, 保護元件大廠興勤(2428)在2020年受惠個人電腦與筆電需求維持高檔,加上車用訂單自去年底回溫,旗下熱敏電阻、壓敏電阻及傳感器等生產線均出貨暢旺,營運繳出亮麗成績單,全年獲利13.85億元,年增24%,每股純益10.81元,同創新高。 . 隨著車用需求維持強勁,NB(筆記型電腦)、網通、家電需求亦...

  • 光敏電阻電壓 在 優分析UAnalyze Facebook 的精選貼文

    2021-04-14 17:43:25
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    保護元件大廠興勤(2428)在2020年受惠個人電腦與筆電需求維持高檔,加上車用訂單自去年底回溫,旗下熱敏電阻、壓敏電阻及傳感器等生產線均出貨暢旺,營運繳出亮麗成績單,全年獲利13.85億元,年增24%,每股純益10.81元,同創新高。
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    隨著車用需求維持強勁,NB(筆記型電腦)、網通、家電需求亦不遑多讓,訂單能見度已經延長一季至今年9月;以首季營收較去年同期勁揚60%,從匯率衝擊趨緩來看,法人預估興勤首季EPS上看3.5~3.8元,全年營運可望輕鬆創高。
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    未來展望
    車用布局方面,興勤因應自動駕駛,與高效能電力供應需求,開發的高效電路保護元件,不只打入特斯拉供應鏈,也受許多國際車廠青睞,後續隨市占、出貨攀升下,車用產品對營運貢獻可望同步增長,將成為營運成長一大動能。
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    💼‍關於興勤2428:
    台灣被動元件廠,以電阻類保護元件為主要產品,成立於1979年7月16日,主要產品為生產熱敏電阻器及壓敏電阻器,是國內唯一擁有三大保護功能(過電壓保護、過電流保護及過溫度保護)的插件型、SMD型系列保護元件產品的保護元件大廠。
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    🏭主要產品:
    熱敏電阻(NTC與PTC):
    用於過電流保護,產品應用於汽車空調、電動車充電槍、洗碗機、監控設備等,全球市佔率約38%。
    壓敏電阻(MOV與MLV):
    用於過電壓保護,產品應用於電動車充電椿、空調、手機、血糖/血壓機、工業幫浦。全球市佔率約40%。
    其他:
    主要為溫度感測器,用於溫度過熱保護,產品應用於咖啡機、冰箱、洗衣機、汽車車燈。
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    生產基地分布:
    位於台灣高雄、宜蘭,中國的常州、東莞、宜昌、景德鎮等地。
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    😇主要客戶:
    🔸家電:Panasonic、Bosch、Haier、Electrolux、美的家電、Samsumg、Sony、Hisense等。
    🔸照明:TRIDONIC、OSRAM、Philips。
    🔸PC產業:台達電、光寶科、Emerson、AcBel、鴻海、和碩、仁寶、廣達。
    🔸浪湧保護器:Schneider、ABB、正泰集團。
    🔸其他:華為、SMP。
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    🦾國內外競爭廠商:
    Murata、TDK、Shibaura、Littelfuse。
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    🕵️‍♂‍一起和小樂來檢視財務三率
    2020Q4毛利率47.94:比同期(2019Q4:41.73 %) 成長
    2020Q4營益率31.85:比同期(2019Q4:26.06 %) 成長
    2020Q4淨利率25.09:比同期(2019Q4:18.92 %) 成長
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  • 光敏電阻電壓 在 優分析UAnalyze Facebook 的最佳解答

    2021-01-19 18:15:08
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    保護元件廠興勤(2428)受惠個人電腦與筆電需求仍處高檔,車用訂單優於預期挹注營運動能,旗下熱敏電阻、壓敏電阻及傳感器等生產線目前均滿載運作。
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    🧑‍🔬保護元件廠興勤(2428)受惠個人電腦與筆電需求維持高檔,加上車用訂單優於預期,旗下熱敏電阻、壓敏電阻及傳感器等生產線目前均滿載運作;考量原物料成本持續上揚,供應鏈透露,興勤已在去年底陸續對客戶調漲部分產品報價,漲幅約二至三成。
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    興勤各類產品訂單能見度佳,加上車用布局邁入收割期,以及產品漲價效益,上半年營運展望樂觀,全年來看也有望較去年成長近一成,若達標,將一舉越過2018年的歷史新高紀錄60.2億元,改寫新猷。
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    💼公司簡介
    興勤(2428)台灣被動元件廠,以電阻類保護元件為主要產品,如下:
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    🧑‍💼主要產品:
    熱敏電阻(NTC與PTC):
    用於過電流保護,產品應用於汽車空調、電動車充電槍、洗碗機、監控設備等,全球市佔率約38%。
    .壓敏電阻(MOV與MLV):
    用於過電壓保護,產品應用於電動車充電椿、空調、手機、血糖/血壓機、工業幫浦。全球市佔率約40%。
    其他:
    主要為溫度感測器,用於溫度過熱保護,產品應用於咖啡機、冰箱、洗衣機、汽車車燈。
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    以上保護元件主要應用於電源供應器、智慧家電、手機、LED TV、電池、NB、車用等產品,客戶皆為相關大廠,2016年繼原有客戶BMW、福斯、比亞迪外,也打入電動車TESLA充電樁供應鏈。
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    各產業客戶群:
    家電:Panasonic、Bosch、Haier、Electrolux、美的家電、Samsumg、Sony、Hisense等。
    照明:TRIDONIC、OSRAM、Philips。
    PC產業:台達電、光寶科、Emerson、AcBel、鴻海、和碩、仁寶、廣達。
    浪湧保護器:Schneider、ABB、正泰集團。
    其他:華為、SMP。.
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    ✨533健檢來啦~✨
    ⭕️股東權益報酬率ROE(>8%),2019年18.2%
    ROE是衡量企業用股東投資的資金來賺錢的效率。
    (ex.ROE 15%表示企業能用股東投資的100元賺到18.2元)
    當企業每年持續賺到現金,便會累積在帳上,每年使公司淨值推升,公司價值也會水漲船高。
    ROE高的公司,淨值提升速度快;ROE低的公司,淨值提升速度慢。
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    ⭕️營業利益率(>0%),2019年24.9%
    如果公司的獲利率不夠高,那麼營收成長對獲利的貢獻也是有限的。所以要看 『營業利益率』。
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    ⭕️本業比例(>80%),2019年96%
    如果公司的本業獲利比重不高,那本業的月營收成長,對獲利的貢獻就變得很不確定,所以本業比例的條件訂為(>80%)。
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    ⭕️營運現金流(>0億元),2019年16億元
    如果公司無法從每一筆營收中產生現金流入,那麼月營收創新高就沒有意義。
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    ⭕️負債比(<60%),2019年26%
    公司需要不斷投入資金才能讓營收持續成長,如果負債表率已經很高了。那麼公司能再投入的潛在能量有限,所以負債比條件訂為 (<60%)。
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    #股魚價值K線
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  • 光敏電阻電壓 在 麥克風的市場求生手冊 Facebook 的精選貼文

    2020-08-13 21:36:04
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    【台積電佈局新存儲技術】

    近年來,在人工智能(AI)、5G等推動下,以MRAM(磁阻式隨機存取存儲器)、鐵電隨機存取存儲器 (FRAM)、相變隨機存取存儲器(PRAM),以及可變電阻式隨機存取存儲器(RRAM)為代表的新興存儲技術逐漸成為市場熱點。這些新技術吸引各大晶圓廠不斷投入,最具代表性的廠商包括台積電、英特爾、三星和格羅方德(Globalfoundries)。

    那麼,這些新興存儲技術為什麼會如此受期待呢?主要原因在於:隨着半導體制造技術持續朝更小的技術節點邁進,傳統的DRAM和NAND Flash面臨越來越嚴峻的微縮挑戰,DRAM已接近微縮極限,而NAND Flash則朝3D方向轉型。

    此外,傳統存儲技術在高速運算上也遭遇阻礙,處理器與存儲器之間的「牆」成為了提升運算速度和效率的最大障礙。特別是AI的發展,數據需求量暴增,「牆」的負面效應愈加突出,越來越多的半導體廠商正在加大對新興存儲技術的研發和投資力度,尋求成本更佳、速度更快、效能更好的存儲方案。

    從目前來看,最受期待的就是MRAM,各大廠商在它上面投入的力度也最大。MRAM屬於非易失性存儲技術,是利用具有高敏感度的磁電阻材料製造的存儲器,斷電時,MRAM儲存的數據不會丟失,且耗能較低,讀寫速度快,可媲美SRAM,比Flash速度快百倍,在存儲容量方面能替代DRAM,且數據保存時間長,適合高性能應用。

    MRAM的基本結構是磁性隧道結,研發難度高,目前主要分為兩大類:傳統MRAM和STT-MRAM,前者以磁場驅動,後者則採用自旋極化電流驅動。

    另外,相較於DRAM、SRAM和NAND Flash等技術面臨的微縮困境,MRAM可滿足製程進一步微縮需求。目前,DRAM製程工藝節點為1X nm,已接近極限,而Flash走到20 nm以下後,就朝3D製程轉型了。MRAM製程則可推進至10nm以下。

    在過去幾年裏,包括台積電、英特爾、三星、格羅方德等晶圓代工廠和IDM,相繼大力投入MRAM 研發,而且主要着眼於STT-MRAM,也有越來越多的嵌入式解決方案誕生,用以取代Flash、EEPROM和SRAM。

    - 台積電

    早在2002年,台積電就與工研院簽訂了MRAM合作發展計劃。近些年,該公司一直在開發22nm製程的嵌入式STT-MRAM,採用超低漏電CMOS技術。

    2018年,台積電進行了eMRAM芯片的「風險生產」,2019年生產採用22nm製程的eReRAM芯片。

    2019年,台積電在嵌入式非易失性存儲器技術領域達成數項重要的里程碑:在40nm製程方面,該公司已成功量產Split-Gate(NOR)技術,支持消費類電子產品應用,如物聯網、智慧卡和MCU,以及各種車用電子產品。在28nm製程方面,該公司的嵌入式快閃存儲器支持高能效移動計算和低漏電製程平台。

    在ISSCC 2020上,台積電發佈了基於ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該技術基於台積電的22nm ULL(Ultra-Low-Leakage)CMOS工藝,具有10ns的極高讀取速度,讀取功率為0.8mA/MHz/bit。對於32Mb數據,它具有100K個循環的寫入耐久性,對於1Mb數據,具有1M個循環的耐久性。

    它支持在260°C下進行90s的IR迴流焊,在150°C下10年的數據保存能力。它以1T1R架構實現單元面積僅為0.046平方微米,25°C下的32Mb陣列的漏電流僅為55mA。

    目前,台積電已經完成22nm嵌入式STT-MRAM技術驗證,進入量產階段。在此基礎上,該公司還在推進16 nm 製程的STT-MRAM研發工作。

    除了MRAM,台積電也在進行着ReRAM的研發工作,並發表過多篇基於金屬氧化物結構的ReRAM論文。

    工研院電光所所長吳志毅表示,由於新興存儲技術將需要整合邏輯製程技術,因此現有存儲器廠商要卡位進入新市場,門檻相對較高,而台積電在這方面具有先天優勢,因為該公司擁有很強的邏輯製程生產能力,因此,台積電跨入新興存儲市場會具有競爭優勢。

    據悉,工研院在新興存儲技術領域研發投入已超過10年,通過元件創新、材料突破、電路優化等方式,開發出了更快、更耐久、更穩定、更低功耗的新一代存儲技術,目前,正在與台積電在這方面進行合作。未來,台積電在新興存儲器發展方面,工研院將會有所貢獻,但具體內容並未透露。

    - 三星

    三星在MRAM研發方面算是起步較早的廠商,2002年就開始了這項工作,並於2005年開始進行STT-MRAM的研發,之後不斷演進,到了2014年,生產出了8Mb的eMRAM。

    三星Foundry業務部門的發展路徑主要分為兩條,從28nm節點開始,一條是按照摩爾定律繼續向下發展,不斷提升FinFET的工藝節點,從14nm到目前的7nm,進而轉向下一步的5nm。

    另一條線路就是FD-SOI工藝,該公司還利用其在存儲器製造方面的技術和規模優勢,着力打造eMRAM,以滿足未來市場的需求。這方面主要採用28nm製程。

    三星28nm製程FD-SOI(28FDS)嵌入式NVM分兩個階段。第一個是2017年底之前的電子貨幣風險生產,第二個是2018年底之前的eMRAM風險生產。並同時提供eFlash和eMRAM(STT-MRAM)選項。

    該公司於2017年研製出了業界第一款採用28FDS工藝的eMRAM測試芯片。

    2018年,三星開始在28nm平台上批量生產eMRAM。2019年3月,該公司推出首款商用eMRAM產品。據悉,eMRAM模塊可以通過添加三個額外的掩膜集成到芯片製造工藝的後端,因此,該模塊不必要依賴於所使用的前端製造技術,允許插入使用bulk、FinFET或FD-SOI製造工藝生產的芯片中。

    三星表示,由於其eMRAM在寫入數據之前不需要擦除週期,因此,它比eFlash快1000倍。與eFlash相比,它還使用了較低的電壓,因此在寫入過程中的功耗極低。

    2018年,Arm發佈了基於三星28FDS工藝技術的eMRAM編譯器IP,包括一個支持18FDS (18nm FD-SOI工藝)的eMRAM編譯器。這一平台有助於推動在5G、AI、汽車、物聯網和其它細分市場的功耗敏感應用領域的前沿設計發展。

    2019年,三星發佈了採用28FDS工藝技術的1Gb嵌入STT-MRAM。基於高度可靠的eMRAM技術,在滿足令人滿意的讀取,寫入功能和10年保存時間的情況下,可以實現90%以上的良率。並且具備高達1E10週期的耐久性,這些對於擴展eMRAM應用有很大幫助。

    2019年底,Mentor宣佈將為基於Arm的eMRAM編譯器IP提供IC測試解決方案,該方案基於三星的28FDS工藝技術。據悉,該測試方案利用了Mentor的Tessent Memory BIST,為SRAM和eMRAM提供了一套統一的存儲器測試和修復IP。

    - Globalfoundries(格羅方德半導體股份有限公司)

    2017年,時任Globalfoundries首席技術官的Gary Patton稱,Globalfoundries已經在其22FDX(22nm製程的FD-SOI工藝技術)製程中提供了MRAM,同時也在研究另一種存儲技術。

    由於Globalfoundries重點發展FD-SOI技術,特別是22nm製程的FD-SOI,已經很成熟,所以該公司的新興存儲技術,特別是MRAM,都是基於具有低功耗特性的FD-SOI技術展開的。

    今年年初,Globalfoundries宣佈基於22nm FD-SOI 平台的eMRAM投入生產。該eMRAM技術平台可以實現將數據保持在-40°C至+125°C的温度範圍內,壽命週期可以達到100,000,可以將數據保留10年。該公司表示,正在與多個客户合作,計劃在2020年安排多次流片。

    據悉,該公司的eMRAM旨在替代NOR閃存,可以定期通過更新或日誌記錄進行重寫。由於是基於磁阻原理,在寫入所需數據之前不需要擦除週期,大大提高了寫入速度,宏容量從4-48Mb不等。

    - 英特爾

    英特爾也是MRAM技術的主要推動者,該公司採用的是基於FinFET技術的22 nm製程。

    2018年底,英特爾首次公開介紹了其MRAM的研究成果,推出了一款基於22nm FinFET製程的STT-MRAM,當時,該公司稱,這是首款基於FinFET的MRAM產品,並表示已經具備該技術產品的量產能力。

    結語

    由於市場需求愈加凸顯,且有各大晶圓廠大力投入支持,加快了以MRAM為代表的新興存儲技術的商業化進程。未來幾年,雖然DRAM和NAND Flash將繼續站穩存儲芯片市場主導地位,但隨着各家半導體大廠相繼投入發展,新興存儲器的成本將逐步下降,可進一步提升 MRAM等技術的市場普及率。

    原文:
    https://mp.weixin.qq.com/s/sMZ0JwclWf1zAEPkW8Rn0Q

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