鴻海、比亞迪、IDM風雲會　布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中／綜合報導

新世代半導體發展趨勢風起雲湧，醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」，但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件，GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。

特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻，欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外，中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團，以及台灣EMS龍頭的鴻海集團，紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況，以下為DIGITIMES所作整理。

IDM廠轉向8吋廠生產　凸顯領跑者角色

儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等，力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速，包括意法、羅姆等，近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品，預期2023年上半新品將進入市場。

而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一，目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。

英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出，第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置，GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。

IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整，甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略，目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。

比亞迪、鴻海各自出招　共逐EV、第三代半導體大計

鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出，EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路，未來也可望成為一座「新護國神山」。

新世代化合物半導體潛力高　新護國神山待醞釀

事實上，化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等，穩懋副董事長王郁琦指出，化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等，後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等，在在都需要更多的化合物半導體，也將成為次世代半導體關鍵之一。

整體來看，舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等，囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視，而不管是業界老鳥或集團新兵，組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式，更可能往國家產業戰略方向角度前進，這也回應鴻海總裁劉揚偉所述，台灣已經在矽半導體享有高度成就，如何複製到剛起步的第三代半導體，打造一座「新護國神山」，更是未來產官學研界重點任務。

隊長資料整理：

TrendForce示，2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，第三代半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce研究，氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。

漢民科技集團，控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠，生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產

SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求，研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程，漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高，月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高

漢磊布局化合物半導體超過10年，這將是未來營運主軸，近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展，特別鎖定車用相關，今年已看到成效，由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高，對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀，因為還有很多客戶排隊要產能，「客戶追單仍多，產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈，EPS還未顯現，
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主要電子權值股領軍衝鋒，台積電 (2330)盤中一度站上140元整數關卡並收復所有均線，不過尾盤漲幅收斂，以上漲2.59%收在138.5元；日月光 (2311) 勁揚2.69%；聯電 (2303) 更大漲5.63%收在12.2元，中止日k連7黑，並收復5日10日跟月均線。鴻海(2317)第三季營益率與每股獲利表現略優於外資圈預期，儘管港商德意志證券看好明年有機會挑戰賺1個股本，但考量到明年iPhone出貨量預估值遭到下修，昨日仍然有6家外資券商調降鴻海合理股價預估值，不過股價昨天隨著台股走揚2.66％，收在85元。光學元件廠公布的Q3季報當中，股王大立光(3008)單季合併營業利益創新高，每股盈餘達到61.17元，股價一舉收復5日線跟月線，終場收在2585元，漲幅2.78%；工業電腦龍頭研華 (2395) 併購美國B+B SmartWorx，多家外資正面看待，激勵研華放量飆漲8.87％。凌巨 (8105) Q3毛利率攀升至13.9%，創下近8年來新高，而且Q4可望持續上揚，今年每股盈餘挑戰近8年新高，雖然近期股價漲多被列為注意股，但多頭熱情不減，昨日再爆量攻頂，以漲停18.95元作收。LED走出低潮，東貝(2499)股價昨日開高走高，終場大漲8.74％做收，收盤價21.15元，重新回到月線之上，成交量放大到4,254張。強茂（2481）持續朝向高毛利的產品線布局，儘管第三季營收略有衰退，但單季毛利率拉高到20.79％，比前一季大增2.84個百分點，也是2008年以來的最高峰。在營運轉機題材下，昨日放量拉出長紅棒，以大漲5.06％、13.5元作收，突破大約1個月來的盤整局面。瀧澤科（6609）第3季有9千多萬元匯兌收益挹注，單季EPS從去年同期1.25元攀升至1.27元，前3季EPS為2.08元，昨日不單吸引外資轉賣為買，在市場買盤敲進下，盤中碰到漲停29.70元，不過在獲利回吐賣壓湧現，終場以29.05元，上漲7.59%作收，一口氣收復10日均線及月線。NAND Flash控制晶片廠點序（6485）昨日以43.4元上櫃，掛牌第一天大漲21.30元、漲幅49.08％，終場以64.7元作收。董事長暨總經理劉坤旺指出，點序是少數可支援所有大廠包括三星、新帝、海力士、英特爾的控制晶片廠，有助於明年進軍eMMC、SSD控制晶片市場發展。
傳產股指標紡織股王儒鴻 (1476) 前三季賺逾1個資本額，EPS達到11.41元，10月營收也創新高，昨天大漲超過4%，重回年線之上。美概股福興（9924）昨日開平走高，在外資和投信買超764張力挺之下，終場上漲2.85元，以49元作收，漲幅6.18％，並且回到5日移動平均線之上。
金控股漲勢較為溫吞，國泰金 (2882)收平盤46.8元。富邦金 (2881)小漲0.56%，中信金 (2891)收高0.57%。彰銀(2801)、合庫金(5880)、台新金(2887)、新光金(2888、第一保(2852)漲幅則超過2%。
生技股王浩鼎(4174)也是盤面上的強勢指標，在民進黨總統候選人蔡英文宣布由前中研院副院長陳建仁擔任副手之後，生技族群(OTC41)持續走強，浩鼎更是一鼓作氣，直接越過500元大關，最高來到531元掛牌新高價，終場收在517元創下收盤新高。

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